Выбираем оперативную память: руководство Hardwareluxx – Hardwareluxx Russia

Что такое ecc?

ECC означает “Error Correction Code” или код коррекции ошибок. При чтении данных из памяти или записи в память код ECC позволяет исправлять одиночные битовые ошибки. Что повышает надежность работы памяти в окружениях, где это необходимо. Например, в серверах и рабочих станциях. Для кода ECC добавляются 8 дополнительных бит (64 базовых 8 дополнительных = 72).

Алгоритм ECC позволяет исправлять битовые ошибки, а также определять два ошибочных бита, но уже не исправлять их. Технологии Chipkill или Advanced ECC расширяют алгоритм ECC, позволяя корректировать до 4 ошибочных битов и определять до 8 ошибочных битов.

Если ошибок будет много, то данная функция позволяет скрыть сбойный чип в системе без перезагрузки (отсюда и название “Chipkill”), при этом сервер продолжает стабильную работу. Технологии Chipkill или Advanced ECC работают как массив RAID на жестких дисках, опираясь на распределенное избыточное хранение данных.

Технология Memory Scrubbing производит постоянную проверку памяти на наличие ошибок, результаты отправляются серверным утилитам управления, например, IPMI (Intelligent Platform Management Interface) в BMC (Baseboard Management Controller).

Но для работы ECC вместе с функцией ChipKill/Advanced ECC необходимо чтобы процессор, материнская плата с BIOS и оперативная память поддерживали ECC. Данная технология обязательна для всех RDIMM, но также встречаются и UDIMM с ECC.

Lga 1200

Для Comet Lake-S LGA 1200 нужно использовать DDR4 память с и без ECC частотой до 2933 МГц. Существует 2 типа плат: с 2 разъемами и с 4 разъемами DIMM (SO-DIMM). Для 2 разъемов используйте парные модули, чтобы задействовать оба канала. Для 4 разъемов устанавливайте память парами (2х DIMM в 2 канала или 4х DIMM в 2 канала).

Lga 4189 (v2)

Альтернатива? lrdimm на 128гб!

Технология не стоит на месте и Samsung представила новые модули памяти LRDIMM емкостью 128 Гбайт. В них применяется технология упаковки микросхем под названием TSV (Through Silicon Via) – чипы DRAM соединяются вертикально с помощью электродов, проходящих через микроскопические отверстия, как они сделали на 3D VNAND.

Память TSV DDR4 DRAM в модулях 128GB RDIMM считается настоящим технологическим прорывом. Ее преимущества – удвоенная по сравнению с прежними стандартными модулями емкость, высокая скорость и эффективность. Благодаря 20-нм техпроцессу у памяти 128GB TSV DDR4 на 50% снижено энергопотребление по сравнения с модулями 64GB LRDIMM. Остается прояснить цену вопроса.

Архитектура подсистемы памяти numa

Начиная с процессоров Intel Xeon 5500, контроллер памяти стал интегрирован непосредственно в процессор, переместившись туда из микросхемы чипсета.Такая конструкция процессора, а также появление в процессорах Intel шины QPI (Quick Path Interconnect) определили архитектуру подсистемы памяти, известную как NUMA (Non-Uniform Memory Access).

К слову сказать, сервера на процессорах AMD Opteron использовали построение подсистемы памяти по архитектуре NUMA c момента своего появления – с модулями DDR1 и DDR2.Применение архитектуры NUMA в серверных системах позволило обойти узкое место в виде сокращения ширины пропускания процессорной шины, неизбежно появлявшееся в SMP-системах при увеличении количества процессоров.

Все современные серверы построены по архитектуре NUMA, что означает возможность для каждого из процессоров сервера получить доступ ко всей памяти системы (см. Рис. 9):Двухпроцессорные серверы, построенные на базе процессоров Intel и AMD, имеют сходную архитектуру подсистемы памяти, с разницей лишь в названии шины, предназначенной для обмена данными между процессорами – у Intel она называется QPI, а у AMD – HyperTransport (см. Рис. 9):

Применение архитектуры NUMA в серверных системах позволило решить следующие проблемы:

• Избавиться от узкого места в виде процессорной шины;
• Позволило создавать системы с большим количеством оперативной памяти без значительного падения производительности подсистемы памяти.

Использование модулей памяти DDR3 в системах, имеющих организацию памяти по архитектуре NUMA, позволяет обеспечить значительный рост пропускной способности. Так, использование модулей памяти с эффективной скоростью 1600 MT/s позволяет теоретически обеспечить пропускную способность в 12,8 Гбит/с для единственного канала памяти.

Использование модулей DDR3 в двухпроцессорных системах с тремя каналами памяти для каждого процессора позволит обеспечить ширину полосы пропускания подсистемы памяти в 64 Гбит/с, что на 65% выше аналогичного показателя для систем, построенных по архитектуре с использованием северного моста и модулей DDR2.

Буферизованная и небуферизованная память

Есть два основных типа оперативной памяти ОЗУ – буферизованная (buffered) и небуферизованная (unbuffered). В буферизованной памяти есть т.н. уровень повышения мощности обработки (processing power), который ускоряет процессы записи и считывания. В такой памяти модули памяти – 4-битовые, в отличие от 8-16 битовых в небуферизованной памяти.

Основное отличие буферизованной памяти – наличие чипа буфера, который обрабатывает информацию, получаемую от процессора (CPU). Буферный чип затем посылает эту информацию в другие чипы модуля ОЗУ. Такая буферизация позволяет централизовать посылку информации из CPU в чипы ОЗУ.

При использовании небуферизованной памяти, CPU будет коммуницировать непосредственно с каждым банком памяти, таким образом, CPU будет посылать информацию на каждый чип на каждом модуле ОЗУ. Хотя при этом система получается немного более расширяемой и гибкой, однако, при этом значительно возрастает потребляемая процессором мощность, и это осложняет выполнение других задач.

В серверах используются, в основном, буферизованные ОЗУ.

Количество рангов в канале

Как упоминалось выше, одной из характеристик модуля памяти является количество рангов – один, два или четыре. Вернёмся к понятию ранга. Ранг модуля памяти – это количество наборов микросхем разрядностью 64 бита, подключенных к линии выбора микросхемы (chip select).

Таким образом, наибольшее количество чипов, одновременно подключенных к линии адреса, у четырёхранговых модулей.Теперь рассмотрим процесс считывания данных из оперативной памяти. Как мы знаем, оперативная память представлена двумерным массивом запоминающих элементов, обращение к которым происходит путём указания строки и столбца.

Так вот, в начале цикла считывания происходит открытие ряда (строки), из которой будет производиться чтение, затем осуществляется выбор столбца и производится считывание данных. В двухранговых и четырёхранговых модулях в строке содержится больше запоминающих элементов, чем в одноранговых модулях, строка как бы проходит сквозь ранги.

Также следует отметить, что выбор столбца и последующее считывание при открытой строке происходит гораздо быстрее, чем при регулярном повторном открытии строки. Собственно, на этом и базируется преимущество модулей с большим количеством рангов – для них выше вероятность повторного чтения из уже открытой строки, т.к. строка содержит больше запоминающих элементов.

Если следовать этой логике, то наиболее перспективно при создании конфигурации памяти использовать именно четырёхранговые модули, т.к. именно для них вероятность повторного чтения из открытой строки будет выше всего. На практике дело обстоит таким образом, что применение четырёхранговых модулей создаёт большую электрическую нагрузку на шину, чем при использовании одно- или двухранговых модулей, поэтому контроллер вынужден снижать скорость работы памяти, чтобы обеспечить целостность сигнала.

Поэтому, несмотря на то, что теоретически четырёхранговые модули должны быть производительнее двухранговых, на практике получается так, что конфигурации, построенные с использованием четырёхранговых модулей, работают медленнее, чем конфигурации, построенные с использованием одно- и двухранговых модулей.

В современных серверах, построенных на процессорах Intel Xeon 5600 и более новых, а также аналогичных им процессорам AMD, прослеживается следующая тенденция – скорость работы канала остаётся постоянной величиной при установке в него как единственного одноранговогно или двухрангового модуля, так и при установке пары из двух одноранговых или двухранговых модулей.

Конструктивные отличия серверной памяти

Серверная память, в особенности, RDIMM и LRDIMM, может отличаться по типоразмерам от памяти для рабочих компьютеров. Кроме того, что модулях серверной памяти бывает напаяно больше компонентов, там могут ещё устанавливаться и теплоотводы, поскольку при работе памяти в сервер выделяется больше тепла, как процессором, так и памятью.

Для серверных модулей памяти может также понадобиться больше пространства над ними, для отведения тепловых потоков. Иногда, это обстоятельство вынуждает приобретать специальные низкопрофильные модули VLP (Very Low Profile). Многие пользователи именно такие модули и стараются приобретать, поскольку они в любом случае обеспечивают лучший теплоотвод.

Многоканальный режим работы подсистемы памяти

Многоканальный режим работы подсистемы памяти является ключевым фактором, влияющим на производительность. Чем больше каналов задействовано, тем выше пропускная способность подсистемы памяти. Многоканальный режим работы подсистемы памяти называется термином «interleaving» и состоит в том, что хранение блоков данных, составляющих единое целое в адресном пространстве операционной системы, распределяется между модулями, установленных в разных каналах контроллера памяти.

В обычном случае во время обращения к памяти никакие другие обращения к памяти производиться не могут. При работе в многоканальном режиме, соседние по адресам ячейки размещаются в различных модулях памяти, и появляется возможность производить несколько операций одновременно.За счёт такого распараллеливания достигается выигрыш в скорости записи и чтения данных (см. Рис. 10):

Поэтому, устанавливая модули в слоты, сперва следует двигаться «вширь», заполняя все каналы, и только потом «вглубь», добавляя второй и последующий модули в канал.Задействование каждого следующего канала теоретически удваивает величину пропускной способности.

Рост пропускной способности наблюдается до тех пор, пока все 8 каналов (для 2-процессорной системы) не будут задействованы.При установке модулей памяти следует обращать внимание на объёмы модулей. Наиболее предпочтительной является ситуация, когда объёмы модулей, устанавливаемых в соседние каналы, одинаковы.

Требование одинакового объёма следует из распараллеливания хранения данных – когда объёмы модулей одинаковы, контроллер памяти может равномерно «размазать» по ним адресное пространство (для двух модулей – в один четные «слова», в другой «нечетные», длина «слова» зависит от разрядности памяти)

Тогда при последовательном чтении адрес надо передавать в два раза реже, и т.к. адрес для второго чтения известен заранее, то не надо второй раз ждать его дешифрации и пока откроются банки памяти.В случае если используются модули разного объёма, равномерное распределение данных по модулям памяти становится невозможным, к тому же контроллер вынужден чаще передавать адрес для считывания данных из модулей большего объёма, что приводит к снижению производительности.

Немного о hostkey

С 2008 года мы сдаём выделенные и виртуальные сервера в аренду, предоставляем услуги размещения серверов в 4 датацентрах Москвы, включая два Тиер-III сертифицированных ЦОД. Мы специализируемся на крупных выделенных серверах и создании частных облаков и кластеров для наших клиентов на их основе.

Для наших читателей у нас есть горячее предложение:Сервера в наличии на базе суперкомпьютеров Т-Платформы и процессоров Intel Xeon E5-2630v2 со скидкой 15% до конца декабря (или пока они не закончатся) при использовании промокода TMW5U0S8SE

Например, для сравнения:

– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/128Gb RAM/1x2Tb SSD 1x2Tb 7,2K HDD = 25700р в месяц, со скидкой 21800
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/256Gb RAM/2х2Tb Samsung SSD = 36500р в месяц, со скидкой 31000
– 2xE5-2630v2 (12×2,6 GHz)/32Gb RAM/2х600Gb SAS 10K = 13650р в месяц, со скидкой 11600р

Все цены с НДС, конфигурация возможна практически любая.

Все сервера подключены на гигабитном канале, лимит трафика 10Тб без ограничений. К каждому выделенному серверу предоставляется удаленный доступ через IPMI, возможна организация VLAN на скорости до 10Gbps.

Неочевидные характеристики

Частота и тайминги: покупать память с частотой выше поддерживаемой вашим сервером не приведет к росту пропускной способности. Это 100% аксиома, потому что редкий случай, когда материнская плата позволяет менять частоту. Классический вариант – поддерживаемая частота считывается из SPD микросхемы и выбирается поддерживаемая процессором.

Ранги памяти: 1R,2R и 4R.

Модули памяти могут быть одно, двух, четырех или даже восьмиранговыми. Самые распространенные – это 1-2 ранговые модули, которые не накладывают множество ограничений в отличие от 4-8 ранговых. Производители материнских плат в инструкциях подробно расписывают поддерживаемые конфигурации пулов памяти при различной ранговости памяти. Часть оборудования позволяет устанавливать разноранговые модули, но не во все разъемы.

Чип RCD: Rambus или IDT.

Register Clock Driver (RCD) – микросхема управления, устанавливаемая на модули. Есть 2 крупных производителя (Rambus и IDT). Нет никаких ограничений в выборе того или иного производителя. Используется в паре с буферами и температурными сенсорами.

Несбалансированные конфигурации

Существует два вида несбалансированных конфигураций:

Несбалансированная по каналам;Несбалансированная по процессорам.

Несбалансированная по каналам

Конфигурация памяти является несбалансированной по каналам в следующих ситуациях (см. Рис. 13):

• В каналы установлено разное количество модулей;
• Модули памяти в каждом канале имеют разный объём;
• Модули памяти в каждом канале имеют разные ранги.

Несбалансированная по каналам конфигурация обладает меньшей производительностью по сравнению со сбалансированной или почти сбалансированной. Падение производительности несбалансированной конфигурации может быть вызвано следующими причинами:

• Нарушением многоканального режима работы;
• Использование модулей с большим количеством рангов.

Можно говорить о нарушении многоканального режима работы, когда каждый из каналов представляет собой уникальную конфигурацию модулей памяти. В этом случае, на контроллер возлагается дополнительная работа по синхронизации чтения и записи из модулей разного объёма, что ведёт к появлению циклов простоя и, как следствие, снижению производительности.

Как говорилось выше, использование модулей памяти с большим количеством рангов, повышает электрическую нагрузку на шину, поэтому использование четырёхранговых модулей приводит к тому, что контроллер понижает скорость работы с памятью. В этом контексте следует отметить, что установка всего одного модуля памяти с четырьмя рангами приведёт к снижению скорости всей подсистемы в целом.

Следует отметить, что снижение скорости работы также возникнет в случае, если каналы содержат разное количество модулей, например, в один канал установлено два двухранговых модуля, а в другой – три двухранговых. В этом случае скорость работы конфигурации будет определяться по наиболее загруженному каналу, которым оказывается канал с шестью рангами.Несбалансированная по процессорам

Несбалансированная по процессорам конфигурация получается тогда, когда различаются объёмы памяти, доступные каждому процессору (см. Рис. 14):

Появление несбалансированной по процессорам конфигурации приводит к снижению производительности приложений, исполняющихся на процессоре с недостатком памяти ввиду частых межпроцессорных обращений, которые выполняются гораздо дольше, чем запросы к локальной памяти.

Нужны ли модули lrdimm?

Как узнать, нужно ли вообще использовать модули LRDIMM? Определите скорость передачи данных памяти для вашего сервера (см. документы вендора, касающиеся производительности). Если вам необходимо более 8 x 32 Гбайта на процессор, то нужны модули LRDIMM, в противном случае достаточно будет четырехранговых модулей RDIMM емкостью 32 Гбайта с частотой 800 МГц. Если необходимы частоты 1066 МГц или 1333 МГц, следует использовать только модули LRDIMM.

Ниже показаны ограничения по рангам и максимальным частотам функционирования памяти на примере двухпроцессорных материнских плат Supermicro X9 (LGA2022) и X10 (LGA2022-3) серий при установке процессоров Intel Xeon E5 2600 серии разных поколений.

Supermicro X10 Series E5-2600 v3 (Haswell)

Двухпроцессорные платы Supermicro X10 Series не поддерживают небуферизированные модули памяти (UDIMM). Очевидно, что для достижения максимальной емкости оперативной памяти и максимальной скорости ее функционирования необходимы модули типа LRDIMM DDR4.

Hynix HMTA8GL7AHR4C-PBM2: Оперативная память для сервера, емкость памяти: 64 Гбайта, пропускная способность: PC12800, тип: DDR3 LRDIMM.Kingston KVR16LL114/32 – модуль памяти DDR3L, емкость 32 Гбайта, форм-фактор LRDIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11. Средняя цена такого модуля – 28 тыс. руб.

Модуль памяти Samsung DDR4 2133 Registered ECC LRDIMM 32Gb. Средняя цена – около 22 тыс. руб. Это 288-контактный модуль LRDIMM с частотой 2133 МГц. Есть поддержка ECC, CAS Latency (CL): 15.

Модуль памяти Samsung 32GB 288-Pin DDR4 SDRAM DDR4 2133 (PC4 17000) Server Memory Model M386A4G40DM0-CPB, Cas Latency 15.

В целом модули LRDIMM позволяют до 35% повысить пропускную способность оперативной памяти по сравнению со стандартными модулями RDIMM.

Наибольший эффект применение LRDIMM даст для приложений, интенсивно использующих оперативную память, облачных вычислений и задач HPC (high-performance computing), когда надо загружать в ОЗУ и обрабатывать большие объемы данных. В виртуальной среде это дает возможность увеличить «плотность» виртуальных машин. В дата-центрах – повысить энергоэффективность и уменьшить TCO (Total Cost of Ownership).

Особенности lrdimm

Кроме увеличения емкости оперативной памяти и её быстродействия архитектура LRDIMM обладает рядом других полезных особенностей. iMB, буфер памяти LRDIMM, поддерживает средства тестирования DRAM и LRDIMM, включая прозрачный режим и MemBIST (Memory Built-In Self-Test)

, VREF (voltage reference) для шины данных (DQ) и команд/адресов (CA), проверку четности для команд, встроенное управление, аналогичное регистру 32882 для RDIMM, опциональный интерфейс SMBus (Serial Management Bus) для регистров конфигурации и состояния LRDIMM, а также интегрированный температурный датчик.

Прозрачный режим (Transparent Mode): используется для тестирования модуля памяти. Модуль работает просто как буфер и передает сигналы и данные на микросхемы DRAM.

MemBIST: для инициализации DRAM и тестирования компонентов память LRDIMM поддерживает функцию MemBIST (Memory Built-In-Self Test). Она служит для полного тестирования DRAM. Тестирование выполняется с рабочей частотой, используется доступ по шине команд/адресов или по SMBus.

VREF: модули LRDIMM могут использовать внешние параметры напряжения для данных (VREFDQ) и команд/адресов (VREFCA) или внутренние, из буфера памяти. Если VREF задается буфером памяти, то уровнем напряжения может управлять хост – контроллер памяти.

Проверка четности: чтобы выявить на шине команд/адресов искаженные команды, для входящих команд в буфере памяти выполняется проверка четности. При ошибке генерируется сигнал ERROUT_n.

Интерфейс SMBus: буфер памяти поддерживает управление по дополнительному последовательному каналу (out-of-band serial management bus). Оно позволяет записывать и читать данные из регистров состояния.

Температурный датчик: он встроен в буфер памяти и обновляется 8 раз в секунду. Обращаться к нему можно через интерфейс SMBus. Для передачи сообщения контроллеру памяти о высокой температуре можно использовать пин EVENT_n буфера.

Платформы intel

За более чем 40-летнюю историю существования компания Intel разработала и выпустила десятки серверных платформ. Сейчас две из них пользуются повышенным вниманием: V3/V4 Xeon процессоры распространены благодаря относительно дешевым ценам в пересчете на 1 ядро, а также Xeon Scalable из-за неимоверного разнообразия процессоров.

Чтобы не запутаться в версиях/ревизиях посмотрим на типы процессоров Intel, разделив их на большие группы по архитектуре.

В процессе подбора оттолкнемся именно от архитектуры процессора, потому что лучше всего идти правильным путем: процессор -> материнская плата… В принципе можно этот путь пройти назад, однако частота и канальность памяти на 100% зависит от установленного процессора, но возможны и ограничения платы.

Почти сбалансированные конфигурации

Почти сбалансированные конфигурации называются так, потому что они похожи на сбалансированные конфигурации тем, что все каналы заполнены модулями одинаковым способом, но внутри канала модули могут отличаться (см. Рис. 12):

• Задействованы все каналы памяти;
• Модули установлены во все каналы одинаковым способом;
• Все модули памяти работают на одной частоте;
• Модули памяти внутри канала отличаются по объёму или количеству рангов.

Основным отличием почти сбалансированной конфигурации от полностью сбалансированной является то, что модули внутри канала могут варьироваться по объёму и/или количеству рангов. При такой же или чуть меньшей производительности, почти сбалансированные конфигурации обладают одним неоспоримым преимуществом – они позволяют более гибко управлять объёмом ОЗУ, получаемым в процессе конфигурирования, по сравнению с полностью сбалансированными конфигурациями.

Практическая польза

128Гб в сервер с 8 местами под память можно собрать на DDR3 RDIMM по 16Гбх8, то есть 9000 рублей * 8 = 72000 рублей. На LRDIMM – это две планки на 64Гб по 30500р каждая, то есть затраты составят 61000 рублей, что дешевле традиционного решения. Более того, теперь нет особого смысла переплачивать за материнские платы с 16 слотами памяти – 99% серверов можно собрать на 8-слотовых платах. Это выходит 512Гб памяти на стандартную X9DRL.

Пока крупные DDR4 LRDIMM на 64Гб стоят по 75000р за штуку (модуль памяти 64GB PC17000 LR M386A8K40BM1-CPB0Q SAMSUNG в ЭЛКО). Если ставить по 32Гб, то цена LRDIMM DDR4 в 21000р за штуку – это 84000р за 128Гб, что немногим дороже обычной регистровой памяти.

Примеры конфигураций

Итоговая конфигурация подсистемы памяти для сервера может быть одного из трёх видов:

• Сбалансированная;
• Почти сбалансированная;
• Несбалансированная.

Особенности этих конфигураций приведены в Табл. 3:

Примеры серверной памяти

Ниже представлены два изображения Registered DIMM с ECC:

Приведены два серверных RDIMM, по крайней мере, с одной стороны установлены 18 чипов памяти, по центру чипы ECC и регистра. Типичные RDIMM выпускаются в емкостях 8, 16 и 32 Гбайт, с тактовой частотой 2400 МГц, 2666 МГц, 2933 МГц и 3200 МГц.

Разница между памятью udimm, lrdimm и rdimm – русские блоги

Ранняя архитектура подсистемы памяти

Вплоть до процессоров Intel Xeon 5500 подсистема памяти серверов на базе процессоров Intel строилась с использованием северного моста, который содержал в себе контроллер памяти (см. Рис. 8):

Каждый процессор имел доступ ко всей памяти, общаясь с контроллером памяти при помощи шины FSB (Front Side Bus). Такое построение подсистемы памяти обеспечивало до 9,6 Гбит/с теоретической пропускной способности для канала, заполненного модулями памяти PC2-6400 FBDIMM.

• Ширина полосы пропускания шины FSB является узким местом подсистемы памяти;
• Конфигурации большого объёма требуют использования модулей FBDIMM, что приводит к увеличению задержек и снижению общей производительности подсистемы памяти.

Сбалансированные конфигурации

Сбалансированная конфигурация памяти, это конфигурация, все каналы и банки которой заняты одинаковыми модулями (см. Рис. 11):

Конфигурации такого вида обладают наилучшей производительностью, которая достигается ввиду наилучшей возможности работы в многоканальном режиме.

Создание конфигураций памяти

После того, как мы разобрались с тем, как устроена подсистема памяти в современных серверах и описали все значимые характеристики модулей памяти, перейдём непосредственно к описанию процесса создания конфигураций памяти.В процессе создания конфигураций памяти всегда решается вопрос баланса между итоговым объёмом ОЗУ, производительностью подсистемы памяти, её энергопотреблением и ценой модулей.

В этой связи сложно предложить решение, одновременно являющееся оптимальным по всем параметрам, однако можно наметить некоторые соображения, следуя которым можно будет проще получить решение в каждом конкретном случае.В первую очередь следует задуматься о том, какие требования предъявляются к подсистеме памяти со стороны приложений, для работы которых собирается сервер, к чему они наиболее требовательны – к объёму, скорости работы или пропускной способности.

На следующем шаге следует задуматься о том, какую цену вы готовы заплатить за максимально эффективное удовлетворение запросов приложений, потому что иногда дополнительные 3-5% производительности могут стоить до 40% дороже.Факторами, влияющими на производительность подсистемы памяти, являются:

• Многоканальный режим работы подсистемы памяти;
• Скорость работы модулей;
• Электрическая нагрузка на шину данных.

Схема подбора памяти

Выводы

В конфигураторе Kingston для покупателей создан удобный интерфейс, помогающий выбрать тип, объем и характеристики памяти.

→ В разделе «Manufacturer Qualification» выбирается память по производителю системной платы:выбрать

→ В разделе памяти с фиксированным BOM подбирается память исходя из требуемых характеристик: подобрать

Для получения дополнительной информации о продуктах Kingston обращайтесь на официальный сайт компании.

Похожее:

Что нужно знать при выборе оперативной памяти для компьютера Rdimm или udimm что лучше SODIMM Vs. SDRAM Non ecc модулями озу что это значит совместимость