Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 17 августа 2015 года; проверки требуют 55 правок.
GDDR5 (англ. Graphics Double Data Rate) — 5-е поколение памяти DDR SDRAM, спроектированной для приложений, требующих более высокой рабочей частоты. Как и её предшественник (GDDR4), GDDR5 основана на памяти DDR3, которая имеет удвоенные, по сравнению с DDR2, DQ (Digital Quest) каналы связи, но у GDDR5 также есть буферы предварительной выборки шириной 8 бит, как у GDDR4.
РазработкаПравить
Первые чипы, поддерживающие напряжение 1,5 В (в отличие от 2,0 В для GDDR3) и имеющие плотность 0,5—2 Гбит, предлагали скорость передачи до 1000*4=4,0 ГГц. В дальнейшем этот параметр увеличился до 9 ГГц.
Технические особенностиПравить
GDDR5 соответствует стандартам, которые были изложены в спецификации GDDR5 JEDEC. Она использует 8n архитектуру предварительной выборки и интерфейс динамической конфигурации устройств, для достижения высокого быстродействия и может быть сконфигурирована для управления в режимах x32 или x16 (clamshell), который выбирается во время инициализации устройства.
Один 32-битный чип GDDR5 использует 170-контактный корпус BGA. Изготавливается по 40-нм техпроцессу (Samsung) и потребляет меньше энергии, чем чипы предыдущего поколения.
GDDR5 использует две тактовые частоты, CK и WCK, последняя в два раза больше первой. Команды передаются в режиме SDR (стандартная тактовая частота) на частоте CK; адресная информация передаётся в режиме DDR на частоте CK; а данные передаются в режиме DDR на частоте WCK. Интерфейс GDDR5 передает два информационных слова шириной 32 бита за тактовый цикл (WCK) через выводы микросхемы памяти. Соответствуя 8n предварительной выборке, единичный доступ для чтения или записи состоит из двух передач данных шириной 256 бит за тактовый цикл (CK) внутри ядра памяти и восьми соответствующих половинных передач данных шириной 32 бита за тактовый цикл (WCK) на выводах микросхемы памяти.
Например, для GDDR5 со скоростью передачи данных 5 Гбит/с (Gbps) на вывод CK подается тактовая частота 1,25 ГГц, а WCK c частотой 2,5 ГГц. Также часто употребляется эффективная частота (QDR), поскольку, как написано выше, данные передаются на частоте WCK в режиме DDR. В приведенном примере эта частота составляет 5 GHz.
В связи с наличием двух частот (CK, WCK) производители изделий использующих GDDR5 могут указывать разные частоты для памяти, хотя скорость передачи данных может не отличаться. Nvidia указывает частоту WCK, AMD — частоту CK.
Несмотря на то, что чипы памяти GDDR5 стали дороже, чем GDDR3, особенно в начале её широкого применения, узкая ширина шины памяти позволяет упростить дизайн ПП, что дает преимущество, так что это перспективное решение.
Использование в коммерческих продуктахПравить
25 июня 2008 года компания AMD выпустила свой первый графический ускоритель, использующий память GDDR5 — ATI Radeon HD 4870. На плате установлено 512 либо 1024 МБ памяти GDDR5.
AMD использует данную память в видеокартах среднего и высокого ценового диапазона, объём которой варьируется от 512 МБ до 8192 МБ: HD 4770/4730, HD 4870, HD 4890, HD 4870×2, HD 5670, HD 5750/5770, HD 5830/5850/5870 , HD 5970, HD 6770, HD 6850/6870, HD 6930/6950/6970/6990, GCN — Radeon HD7750/7770,HD 7850/7870, HD7950/7970, R9 2xx, R9 3xx, RX 4xx, RX 5xx, а также в графических картах для ноутбуков: HD 6490M, HD 6570M, HD 6750M, HD 6770M.
В апреле 2010 года вышел первый продукт от корпорации Nvidia, обладающий памятью стандарта GDDR5 — NVIDIA Fermi. Продукты на этой архитектуре обладают от 1024 МБ до 6144 МБ памяти стандарта GDDR5 для профессиональных карт: Quadro 2000, Quadro 4000, Quadro 5000, Quadro 6000 и от 512 МБ до 4096 МБ для игровых решений: GT240, GT430, GTS 450, GTX 460, GTX 465, GTX 470, GTX 480, GTX 500 линейки, GTX 600 линейки, GTX 700 линейки, GTX 900 линейки и GTX 1000 линейки, кроме GTX 1080 и GTX 1080 Ti, а также в GTX 1650 и 1660.
В игровой приставке восьмого поколения PlayStation 4 и серверных системах GDDR5 используется в качестве оперативной памяти.
ПерспективыПравить
Также чипы GDDR5 занимают слишком много места на плате видеокарты и требуют применения нескольких каналов памяти, что усложняет сам графический процессор (особенно если говорить о топовых GPU с 384/512-битной шиной памяти).
- У Elpida готовы собственные микросхемы памяти GDDR5 плотностью 2 Гбит Архивировано 3 мая 2018 года. // 24 июня 2010
- Samsung начинает выпуск первых в отрасли микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит Архивировано 24 февраля 2017 года. // 15 января 2015
- Потребление энергии исключительно чипами GDDR5-памяти в современных топовых видеокартах, по оценке компании AMD, уже сейчас составляет около 15-20 % — то есть из 250 Вт потребления видеокарты Radeon R9 290X где-то до 40-50 Вт тратится на обеспечение работы чипов памяти
- Новый стандарт высокоскоростной памяти High Bandwidth Memory Архивная копия от 16 марта 2016 на Wayback Machine // 31 мая 2015
- «в GDDR5X закреплены скорости передачи 10—14 Гбит/с, что вдвое превосходит возможности GDDR5» Опубликован стандарт на память GDDR5X, вдвое превосходящую GDDR5 по пропускной способности Архивная копия от 19 марта 2016 на Wayback Machine // 22 января 2016
СсылкиПравить
- Обзор памяти GDDR5 // «Открытые системы»
- GDDR5 // TAdviser
- Radeon HD 4870: быстрее GTX 260! // «Русский Tom’s Hardware Guide», 4 июля 2008
- Introduction To GDDR5 SGRAM // ELPIDA (англ.)
- Making Accurate Measurements on GDDR5 Memory Systems (Руководство по применению (англ.)), 2010-06-28
- GDDR5 Pinout and Description // interfacebus.com (англ.)
- : GDDR5 — следующий стандарт видеопамяти // HardwareTech, 26.03.2007
- Qimonda GDDR5 whitepaper (недоступная ссылка) (англ.)
Время на прочтение
Наверняка, в обзорах смартфонов вы слышали словосочетание LPDDR5. Мы знаем, чем больше оперативной памяти, тем лучше. Но не всегда.
Это весной президент Xiaomi Group провел опрос в социальной сети Weibo, в котором спросил у фанатов: сколько оперативной памяти они бы хотели видеть в новом флагмане Redmi: 8 или 12 ГБ при одинаковой цене. И как вы думаете за какой вариант проголосовали фанаты? За 8 Гб. Но почему? Дело в том, что Xiaomi предлагали выбор 12ГБ стандарта LPDDR4x, и 8 ГБ стандарта LPDDR5. Но что такого нового в этом LPDDR5, чтобы идти на такие жертвы?
Сегодня мы разберемся в стандартах оперативной памяти. Выясним, чем отличается LPDDR от DDR. Узнаем как новая оперативка влияет на автономность устройств, помогает развитию 5G и спасает жизни водителей!
Память в мобильных устройствах и компьютерах, как вы знаете, можно поделить на два типа. Оперативная: ОЗУ или RAM, и постоянная: ПЗУ или ROM. В чём отличие?
ПЗУ
Постоянная память называется энергонезависимой, то есть ПЗУ может хранить данные без подпитки энергией. Например, в флеш-памяти, которая используется в смартфонах, картах, памяти, SSD дисках и так далее — данные хранятся в CTR-ячейках, то есть ячейках с ловушкой заряда. Эти ловушки буквально способны запирать заряд и хранить в себе годами. Поэтому данные на SSD-диске не стираются когда вы выключаете компьютер. Также ПЗУ устройством можно назвать VHS-кассеты с магнитной лентой, CD-диски и даже перфокарты. В общем всё, что может хранить данные достаточно долго.
ОЗУ
Оперативная память напротив — энергозависимая. То есть она способна хранить данные только при постоянной подпитке электричеством. Почему так? В оперативной памяти каждый бит данных хранится на маленьком конденсаторе. В конденсаторах есть преимущества: их можно очень плотно упаковать, а заодно можно очень быстро считывать записывать данные.
Но есть и большой недостаток: конденсаторы очень быстро разряжаются. Поэтому, чтобы данные сохранить их постоянно нужно обновлять. Например, типичный модуль DDR4 нужно обновлять каждые 64 мс.
Какая же бывает оперативная память? Немного поговорим о стандартах оперативной памяти.
SDRAM
С 1993 по 2000 года миром правил стандарт SDRAM – Synchronous Dynamic Random Access Memory: синхронная динамическая память с произвольным доступом. Стандарт был шикарным, но был недостаток, за один такт SDRAM могла принимать одну команду и передавать одно слово данных.
DDR
Поэтому в 2000 году появилась DDR-память, которая расшифровывается как Double Data Rate, то есть буквально — двойная скорость передачи данных. Название настолько крутое, что так можно было назвать суперсникерс. И крутость вполне оправдана, потому как теперь за один тактовый цикл передавалось две задачи записи и две операции чтения. Всё благодаря тому, что в DDR научились передавать данные по обеим частям синхросигнала, как по восходящему, так и по нисходящему. Отсюда и двойная скорость.
Стоит сказать, что DDR — это не замена SDRAM, а просто её частный случай. Поэтому полное название стандарта DDR SDRAM.
LPDDR
Итак, DDR — память быстрая-прекрасная, но, так как вы помните, что конденсаторы нужно постоянно подзаряжать эта память жрёт очень много энергии. И если для стационарных устройств это проблема решаемая, то для мобильных — критическая. Поэтому в 2006 году появилась новая разновидность DDR-памяти — LPDDR. Она отличалась пониженным напряжением питания с 2,5 В до 1,8 В, отсюда и название Low Power DDR. Также была уменьшена площадь чипа.
Как же им удалось сберечь немного энергии?
За счет двух хаков:
- На низких температурах заряд из памяти утекает медленнее, поэтому, если сильно память не гнать, то можно увеличить интервалы обновления наших конденсаторов. Так и сделали.
- Добавили режим Deep Power Down и это не фильм Ридли Скотта про вертолёт (Black Hawk Down), а просто режим глубокого сна, в котором из памяти стирается абсолютно всё, (как и сюжет этого фильма из моей памяти).
Развитие LPDDR
Естественно, эти оптимизации негативно повлияли на скорость работы памяти. Но стандарт быстро развивался и сейчас энергоэффективная память уже во многом предпочтительнее своего старшего брата.
LPDDR используется во многих ноутбуках, например MacBook, что позволяет экономить до 70-90% энергии в режиме сна. Тем более LPDDR5 уже вовсю ставят в смартфоны (Xiaomi Mi 10, например). А первые компьютеры на DDR5 в лучшем случае появятся только в 2022 году. Поэтому на данный момент, пропускная способность мобильной памяти может быть выше своего старшего собрата.
- DDR4 2400 DUAL: (2400 x 64 / 8)*2 =38,4 ГБ / с
- LPDDR5 6400 QUAD: (6400 x 32 / 8)*4 = 51,2 ГБ / с
Например, новая память Samsung LPDDR5 6400 может отправлять 51,2 гигабайта данных или примерно 14 видеофайлов в формате Full HD (3,7 ГБ каждый) за секунду.
LPDDR5
Но чем всё таки LPDDR5 отличается от прошлой версии? Давайте посмотрим.
LPDDR5 vs LPDDR4x
Начнём с того, что новый стандарт стал экономичнее на 20%: 0,5 В против 0,6 В. Это позволит продлить время жизни смартфона на 5-10% в режиме активного использования. А вот в режиме сна получится сэкономить до 40% энергии за счёт нового режима глубокого сна. Теперь, когда ваш смартфон или ноутбук спит, при желании можно будет полностью очистить оперативку и выгрузить её содержание в энергонезависимую память. Но в этом случае на обратное включение уйдет одна-две секунды. Зато можно не беспокоиться, что девайс сожрёт всё батарейку, когда спит.
Также было улучшено динамическое масштабирование частоты. В версии 4 и 4X была возможность выбора из двух рабочих частот, в LPDDR5 вариантов стало три.
Скорость передачи данных выросла до 6,4 Гбит/сек. Это полезно для SuperSlowMotion 960 fps и всяких VR приложений. И, вы не поверите, для работы в 5G сетях. 5G сети быстрее современной оперативки, представляете?
Новый стандарт оперативки разрабатывали с учетом появления беспилотных автомобилей и прочих девайсов, в которых любой сбой в работе системы чреват тяжкими последствиями. Поэтому в LPDDR5 появилась поддержка дополнительного сигнала коррекции ошибок – Link Error Correcting Code (ECC). Поэтому, когда будете брать себе тачку с автопилотом, проверьте есть ли там LPDDR5.
С новой памятью уже есть куча смартфонов. Например, программа DevCheck показывает, что мой OnePlus 8 Pro заряжен 12 GB LPDDR5 2750 МГц с пропускной способностью 44 ГБ / с. Неплохо.
Другие модели в которых уже стоит новая память:
- Xiaomi MI 10 5G
- Redmi K30 Pro
- Realme X50 Pro 5G
- OnePlus 8 / 8 Pro
- Samsung Galaxy S20 / S20+ / S20 Ultra
- Samsung Galaxy Note 20 / 20 Ultra
- Samsung Galaxy Z Flip
- Vivo IQOO 3 Pro
- Vivo IQOO 5 / 5 Pro
- Vivo NEX 3S 5G
- Nubia Red Magic 5S
- Motorola Edge+
- ZTE Axon 10s Pro
Но стоит ли гнаться за самой последней оперативкой в смартфонах? Думаю, нет. Грамотно оптимизированный смарт со старой памятью будет и быстрее работать, и дольше.
Но вот если вам нужен долгоживущий ноутбук. Я бы присмотрелся к моделям с LPDDR5, как только они появятся на рынке.
Этот материал написан посетителем сайта, и за него начислено вознаграждение.
Кто периодически читает мои записи, тот наверняка еще помнит, что не так давно у меня уже был тест видеокарты GTX 1650 с памятью GDDR5 в исполнении Palit StormX и тест видеокарты GTX 1650 Super в исполнении все того же Palit StormX.
В конце прошлой записи из теста видеокарты GTX 1650 GDDR5 я затронул тему о том, что существует вариант GTX 1650 с памятью GDDR6 и предположил, что для видеокарты такого уровня подобная память, скорее всего, будет избыточна. Сегодня я, вооружившись вариантом видеокарты GTX 1650 с памятью GDDR6 проверю это предположение и мы вместе с вами по результатам тестов сделаем выводы, имеет ли смысл оснащать видеокарту такого уровня памятью стандарта GDDR6.
Тестировать я буду видеокарту от ASUS в исполнении PHOENIX (новая версия), которая оснащается одним фирменным вентилятором Axial-tech (таким сейчас оснащаются почти все современные видеокарты от ASUS) и позиционируется производителем как компактная видеокарта. По правде говоря, ее компактность заключается лишь в ее длине 178 мм. В высоту и глубину видеокарта вполне себе взрослых размеров. Да и в длину, если сравнить ее с той же GTX 1650 Palit StormX видеокарта от ASUS заметно так крупнее.
Система охлаждения видеокарты представляет из себя крупный алюминиевый цельный радиатор с большим количеством толстых ребер, занимающий всю площадь видеокарты. В отличие от варианта от Palit, где радиатор контактирует только с чипом GPU, радиатор на видеокарте от ASUS контактирует (через термопрокладки) и с микросхемами памяти, и с подсистемой питания. Видеокарта также оснащена разъемом дополнительного питания на 6-pin.
Что касается технических характеристик, то по части GPU это все та же GTX 1650, по части же видеопамяти она повторяет старшую GTX 1650 Super. Оснащение видеокарты памятью стандарта GDDR6 позволило ей поднять пропускную способность со стандартных 128 ГБ/с до уровня 192 ГБ/с, как у старшей GTX 1650 Super. Обращаю ваше внимание, что значения энергопотребление бралось из общих для видеокарт паспортных данных. Фактически же ASUS GTX 1650 GDDR6 PHOENIX потребляет примерно на 20-30 ватт больше, чем стандартная GTX 1650 и приближается к значениям в 100 ватт.
И прежде, чем перейти непосредственно к самим тестам, хотелось бы отметить один интересный факт, всплывший во время эксплуатации данной видеокарты. Запустив утилиту GPU-Z я обнаружил, что видеокарта построена на базе старшего чипа TU106, ровно того самого, который лег в основу RTX 2060. Для сравнения, GTX 1650 Super от Palit StormX основан на чипе TU116. А вариант GTX 1650 с памятью GDDR5 от того же Palit StormX базируется на TU117. Для сравнения привожу вам два снимка из программы для ASUS GTX 1650 GDDR6 и Palit GTX 1650 Super. Обратите внимание, интересным отличием является не только более старший вариант чипа у младшей видеокарты, но и его физический размер и количество транзисторов.
Имеет ли это какое-то практическое значения, честно говоря, не знаю. Поэтому просто принимаем данную информацию как интересный факт.
Тесты видеокарты я буду проводить в тех же самых играх, на тех же самых настройках и в тех же самых условиях, что и в прошлый раз. Это даст нам возможность сравнивать полученные результаты с уже имеющимися результатами и понять, какое место данная видеокарта займет в сравнении с GTX 1650 GDDR5 и GTX 1650 Super. Все видеокарты во время теста эксплуатировались в штатном режиме. Частота графического процессора для всех карт во время тестов составляет в среднем около 1900 МГц.
Все тестовые отрезки были взято из этой записи. С настройками можно ознакомиться здесь. Все замеры производились программой FRAPS.
Тестовая конфигурация выглядит следующим образом:
- ASUS TUF B350M-Plus Gaming (Bios ver. 5602, AGESA 1.0.0.6)
- GTX 1650 GDDR6 (WHQL 461.40)
- SSD WDS500G2B0A 500GB
- NZXT S340
- Cooler Master V1000
Ультра пресет настроек, разрешение 1920×1080. Вариант GTX 1650 с памятью GDDR6 расположилась “почти” посередине между GTX 1650 с памятью GDDR5 и старшей GTX 1650 Super. Хотя, конечно, к своему прямому конкуренту видеокарта все же заметно ближе. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 25%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 11%. Все три видеокарты обеспечивают достаточный для игры комфортный уровень показателя фреймрейта.
Ручные настройки графики, двукратный мультисемплинг, разрешение 1920×1080. Ситуация в целом повторяет предыдущую. GTX 1650 GDDR6 расположилась посередине, но ближе к своему прямому конкуренту в лице GTX 1650 GDDR5. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 22%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 8%. Все три видеокарты обеспечивают комфортный показатель фреймрейта.
Максимальный пресет графики, четырехкратный мультисемплинг, разрешение 1920×1080. А вот здесь уже ситуация заметно поменялась и GTX 1650 GDDR6 умудряется оказаться ближе к старшей GTX 1650 Super, нежели к своему младшему брату-близнецу. Это в особенности бросается в глаза по показателю максимального показателя фреймрейта. По среднему фреймрейту GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 4%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 14%. Все три видеокарты обеспечивают комфортный показатель фреймрейта в данной игре.
Максимальный пресет настроек графики, разрешение 1920×1080. В Far Cry 5 GTX 1650 GDDR6 вновь оказалась ближе к своему прямому конкуренту с памятью GDDR5. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 20%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 8%. При этом младший вариант с памятью GDDR5 опускается чуть ниже 60 кадров по среднему значению фреймрейта, вариант с памятью GDDR6 оказывается чуть выше этого значения.
Средний пресет графики, тесселяция отключена, HairWorks отключен, разрешение 1920×1080. В Metro Exodus ситуация напоминает DiRT Rally, в которой видеокарта GTX 1650 с памятью GDDR6 практически сравнялась со старшей GTX 1650 Super по показателю максимального фреймрейта. Однако по среднему показателю все не так радужно, видеокарта находится примерно посерединке между двумя другими видеокартами. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 18%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 16%. Комфортно поиграть удастся на всех трех видеокартах.
Ручные настройки из прошлой записи, разрешение 1920×1080. В Resident Evil 2 Remake GTX 1650 с памятью GDDR6 оказывается посередине между остальными участниками, ближе к своему младшему конкуренту. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 16%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 8%.
Максимальные настройки графики, сглаживание FXAA, разрешение 1920×1080. В Rise of The Tomb Raider GTX 1650 GDDR6 вновь оказывается где-то посерединке, чуточку ближе к младше видеокарте. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 18%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 15%. При этом значение среднего фреймрейта выше 60 кадров показывают только GTX 1650 Super и GTX 1650 GDDR6.
Максимальные настройки графики, сглаживание TAA, разрешение 1920×1080. И вновь мы наблюдаем, как видеокарта GTX 1650 с GDDR6 памятью оказывается между GTX 1650 Super и GTX 1650 с памятью GDDR5, располагаясь несколько ближе именно к младшему варианту. GTX 1650 Super обходит GTX 1650 GDDR6 на 21%. GTX 1650 GDDR6 обходит GTX 1650 GDDR5 на 15%. Комфортно поиграть получится на всех трех видеокартах.
Сводный график всех результатов с учетом предыдущих тестов, включающий также видеокарту RX 560 2GB:
RX 560 2GB ожидаемо располагается далеко позади всех остальных видеокарт, все же это видеокарта другого уровня. Остальные же участники располагаются в ровную линеечку недалеко друг от друга. GTX 1650 Super на первом месте, GTX 1650 GDDR5 на последнем месте. Но комфортный уровень средней частоты кадров показывают обе видеокарты. GTX 1060 3GB за счет разгона смогла пробиться на второе место, сумев обойти GTX 1650 GDDR6, но без разгона, скорее всего, она оказалась бы между GTX 1650 GDDR5 и GTX 1650 GDDR6. В среднем разница между соседними видеокартами составляет порядка 10%.
Выводы
Глядя на некоторые результаты немножко даже не верится, что такое может быть. Только благодаря более скоростной видеопамяти GTX 1650 GDDR6 местами умудряется не просто отрываться от GTX 1650 GDDR5, но и даже оказываться ближе к старшей GTX 1650 Super. Держим в голове тот факт, что GTX 1650 GDDR6 и GTX 1650 GDDR5 отличаются только видеопамятью, тогда как GTX 1650 Super отличается от них более мощным GPU, обходя оба младших решения на 43% по количеству вычислительных ядер CUDA. Оттого результаты выглядят еще более удивительными и впечатляющими. Пожалуй, стоит признать, что я сильно ошибался в своем предположении о том, что для видеокарты такого уровня более скоростная видеопамять может быть избыточна. Кроме того, исходя из результатов и различиях в GPU, смею предположить, что старшую GTX 1650 Super на самом деле тоже сдерживает видеопамять, и с более скоростной (более широкой шиной) она показывала бы более высокие и логичные результаты.
И, конечно же, я не забыл про бенчмарк Neon Noir Ray Tracing, оставив его напоследок.
Результаты здесь уже не вызывают никаких удивлений, скорее закономерность. GTX 1650 с памятью GDDR6 в штатном режиме показывает тот же результат, что GTX 1650 с памятью GDDR5 в разгоне. Разгон же GTX 1650 с памятью GDDR6 ставит ее, очевидно, еще выше, но до старшей GTX 1650 Super все еще далековато. GTX 1650 Super даже в штатном режиме обходит GTX 1650 GDDR6 с разгоном на 20%. К слову о разгоне. Искать предельные значения по GPU я не стал, установил стандартные 2000 МГц, чтобы все три видеокарты были в равных условиях. По памяти же сходу удалось получить рабочие 14000 МГц. Пробовать выше не стал, т.к. думаю, что и этот результат вполне достойный для данной видеокарты.
Напоследок затрону температурный режим видеокарты и вот здесь все оказалось не так просто и очевидно. Несмотря на более крупную и серьезную систему охлаждения, видеокарта греется даже сильнее, чем оба других варианта от Palit StormX, в среднем мы имеем температуру порядка 65-67 градусов. Причем как ни странно, самой холодной оказалась самая компактная GTX 1650 с памятью GDDR5 от Palit StormX, ее температуры едва ли переваливают за показатель в 60 градусов. GTX 1650 Super от Palit StormX по температурам близка к варианту GTX 1650 от ASUS и прогревается примерно до 63-65 градусов. И тут мне в голову приходит несколько теорий по этому поводу. Во-первых, радиатор на обеих видеокартах от Palit StormX не имеют контакта с памятью и подсистемой питания, там весь радиатор целиком охлаждает только GPU, тогда как в варианте от ASUS радиатору приходится охлаждать и GPU, и GDDR6 память и зону VRM. Во-вторых, это уже больше из области теории заговора, но допускаю, что TU106 сам по себе может быть более прожорливым несмотря на равное количество вычислительных процессоров. Что касается оборотов вентилятора, то здесь такая же странная ситуация. Напомню, что мониторинг показателя количества оборотов в минуту на видеокартах от Palit StormX нет, только процентное значение. И там значения оборотов в среднем достигали 40-45%. На ASUS это значение под нагрузкой может достигать 65-70%, что соответствует 1800-2200 оборотам в минуту, благо на видеокарте от ASUS мониторинг количества оборотов присутствует. При этом шум становится заметным в основном именно с этих значений. До 60-65% он остается скорее фоновым. Если же говорить о шуме в целом, то именно по уровню, опять же, как ни странно, самой тихой оказалась самая маленькая GTX 1650 с памятью GDDR5 от Palit StormX. Маленький вентилятор на ней не создает именно высокого уровня шума, но создает характерное для небольших вентиляторов “звучание” в работе. Вентилятор на ASUS создает привычный звук “потока воздуха”, но делает это громче. GTX 1650 Super от Palit StormX оказывается где-то посередине между ними и по уровню, и по характеру.
У каждого компьютера есть ОЗУ, встроенное в процессор или находящееся на отдельной подключенной к системе плате — вычислительные устройства просто не смогли бы работать без оперативной памяти. ОЗУ — потрясающий образец прецизионного проектирования, однако несмотря на тонкость процессов изготовления, память ежегодно производится в огромных объёмах. В ней миллиарды транзисторов, но она потребляет только считанные ватты мощности. Учитывая большую важность памяти, стоит написать толковый анализ её анатомии.
Итак, давайте приготовимся к вскрытию, выкатим носилки и отправимся в анатомический театр. Настало время изучить все подробности каждой ячейки, из которых состоит современная память, и узнать, как она работает.
Зачем же ты, RAM-ео?
Процессорам требуется очень быстро получать доступ к данным и командам, чтобы программы выполнялись мгновенно. Кроме того, им нужно, чтобы при произвольных или неожиданных запросах не очень страдала скорость. Именно поэтому для компьютера так важно ОЗУ (RAM, сокращение от random-access memory — память с произвольным доступом).
Существует два основных типа RAM: статическая и динамическая, или сокращённо SRAM и DRAM.
Мы будем рассматривать только DRAM, потому что SRAM используется только внутри процессоров, таких как CPU или GPU. Так где же находится DRAM в наших компьютерах и как она работает?
Большинству людей знакома RAM, потому что несколько её планок находится рядом с CPU (центральным процессором, ЦП). Эту группу DRAM часто называют системной памятью, но лучше её называть памятью CPU, потому что она является основным накопителем рабочих данных и команд процессора.
Как видно на представленном изображении, DRAM находится на небольших платах, вставляемых в материнскую (системную) плату. Каждую плату обычно называют DIMM или UDIMM, что расшифровывается как dual inline memory module (двухсторонний модуль памяти) (U обозначает unbuffered (без буферизации)). Подробнее мы объясним это позже; пока только скажем, что это самая известная RAM любого компьютера.
Она не обязательно должна быть сверхбыстрой, но современным ПК для работы с большими приложениями и для обработки сотен процессов, выполняемых в фоновом режиме, требуется много памяти.
Ещё одним местом, где можно найти набор чипов памяти, обычно является графическая карта. Ей требуется сверхбыстрая DRAM, потому что при 3D-рендеринге выполняется огромное количество операций чтения и записи данных. Этот тип DRAM предназначен для несколько иного использования по сравнению с типом, применяемым в системной памяти.
Ниже вы видите GPU, окружённый двенадцатью небольшими пластинами — это чипы DRAM. Конкретно этот тип памяти называется GDDR5X, о нём мы поговорим позже.
Графическим картам не нужно столько же памяти, как CPU, но их объём всё равно достигает тысяч мегабайт.
Не каждому устройству в компьютере нужно так много: например, жёстким дискам достаточно небольшого количества RAM, в среднем по 256 МБ; они используются для группировки данных перед записью на диск.
На этих фотографиях мы видим платы HDD (слева) и SSD (справа), на которых отмечены чипы DRAM. Заметили, что чип всего один? 256 МБ сегодня не такой уж большой объём, поэтому вполне достаточно одного куска кремния.
Узнав, что каждый компонент или периферийное устройство, выполняющее обработку, требует RAM, вы сможете найти память во внутренностях любого ПК. На контроллерах SATA и PCI Express установлены небольшие чипы DRAM; у сетевых интерфейсов и звуковых карт они тоже есть, как и у принтеров со сканнерами.
Если память можно встретить везде, она может показаться немного скучной, но стоит вам погрузиться в её внутреннюю работу, то вся скука исчезнет!
Скальпель. Зажим. Электронный микроскоп.
У нас нет всевозможных инструментов, которые инженеры-электронщики используют для изучения своих полупроводниковых творений, поэтому мы не можем просто разобрать чип DRAM и продемонстрировать вам его внутренности. Однако такое оборудование есть у ребят из TechInsights, которые сделали этот снимок поверхности чипа:
Если вы подумали, что это похоже на сельскохозяйственные поля, соединённые тропинками, то вы не так далеки от истины! Только вместо кукурузы или пшеницы поля DRAM в основном состоят из двух электронных компонентов:
- Переключателя, представленного MOSFET (МОП-транзистором)
- Накопителя, представляющего собой канавочный конденсатор.
Вместе они образуют так называемую ячейку памяти, каждая из которых содержит 1 бит данных. Очень приблизительная схема ячейки показана ниже (прощу прощения у специалистов по электронике!):
Синими и зелёными линиями обозначены соединения, подающие напряжение на МОП-транзистор и конденсатор. Они используются для считывания и записи данных в ячейку, и первой всегда срабатывает вертикальная (разрядная) линия.
Канавочный конденсатор, по сути, используется в качестве сосуда для заполнения электрическим зарядом — его пустое/заполненное состояние даёт нам 1 бит данных: 0 — пустой, 1 — полный. Несмотря на предпринимаемые инженерами усилия, конденсаторы не способны хранить этот заряд вечно и со временем он утекает.
Это означает, что каждую ячейку памяти нужно постоянно обновлять по 15-30 раз в секунду, хотя сам этот процесс довольно быстр: для обновления набора ячеек требуется всего несколько наносекунд. К сожалению, в чипе DRAM множество ячеек, и во время их обновления считывание и запись в них невозможна.
К каждой линии подключено несколько ячеек:
Строго говоря, эта схема неидеальна, потому что для каждого столбца ячеек используется две разрядные линии — если бы мы изобразили всё, то схема бы стала слишком неразборчивой.
Полная строка ячеек памяти называется страницей, а длина её зависит от типа и конфигурации DRAM. Чем длиннее страница, тем больше в ней бит, но и тем большая электрическая мощность нужна для её работы; короткие страницы потребляют меньше мощности, но и содержат меньший объём данных.
Однако нужно учитывать и ещё один важный фактор. При считывании и записи на чип DRAM первым этапом процесса является активация всей страницы. Строка битов (состоящая из нулей и единиц) хранится в буфере строки, который по сути является набором усилителей считывания и защёлок, а не дополнительной памятью. Затем активируется соответствующий столбец для извлечения данных из этого буфера.
Если страница слишком мала, то чтобы успеть за запросами данных, строки нужно активировать чаще; и наоборот — большая страница предоставляет больше данных, поэтому активировать её можно реже. И даже несмотря на то, что длинная строка требует большей мощности и потенциально может быть менее стабильной, лучше стремиться к получению максимально длинных страниц.
Если собрать вместе набор страниц, то мы получим один банк памяти DRAM. Как и в случае страниц, размер и расположение строк и столбцов ячеек играют важную роль в количестве хранимых данных, скорости работы памяти, энергопотреблении и так далее.
Например, схема может состоять из 4 096 строк и 4 096 столбцов, при этом полный объём одного банка будет равен 16 777 216 битам или 2 мегабайтам. Но не у всех чипов DRAM банки имеют квадратную структуру, потому что длинные страницы лучше, чем короткие. Например, схема из 16 384 строк и 1 024 столбцов даст нам те же 2 мегабайта памяти, но каждая страница будет содержать в четыре раза больше памяти, чем в квадратной схеме.
Все страницы в банке соединены с системой адресации строк (то же относится и к столбцам) и они контролируются сигналами управления и адресами для каждой строки/столбца. Чем больше строк и столбцов в банке, тем больше битов должно использоваться в адресе.
Для банка размером 4 096 x 4 096 для каждой системы адресации требуется 12 бит, а для банка 16 384 x 1 024 потребуется 14 бит на адреса строк и 10 бит на адреса столбцов. Стоит заметить, что обе системы имеют суммарный размер 24 бита.
Если бы чип DRAM мог предоставлять доступ к одной странице за раз, то это было бы не особо удобно, поэтому в них упаковано несколько банков ячеек памяти. В зависимости от общего размера, чип может иметь 4, 8 или даже 16 банков — чаще всего используется 8 банков.
Все эти банки имеют общие шины команд, адресов и данных, что упрощает структуру системы памяти. Пока один банк занят работой с одной командой, другие банки могут продолжать выполнение своих операций.
Весь чип, содержащий все банки и шины, упакован в защитную оболочку и припаян к плате. Она содержит электропроводники, подающие питание для работы DRAM и сигналов команд, адресов и данных.
На фотографии выше показан чип DRAM (иногда называемый модулем), изготовленный компанией Samsung. Другими ведущими производителями являются Toshiba, Micron, SK Hynix и Nanya. Samsung — крупнейший производитель, он имеет приблизительно 40% мирового рынка памяти.
Каждый изготовитель DRAM использует собственную систему кодирования характеристик памяти; на фотографии показан чип на 1 гигабит, содержащий 8 банков по 128 мегабита, выстроенных в 16 384 строки и 8 192 столбца.
Выше по рангу
Компании-изготовители памяти берут несколько чипов DRAM и устанавливают их на одну плату, называемую DIMM. Хотя D расшифровывается как dual (двойная), это не значит, что на ней два набора чипов. Под двойным подразумевается количество электрических контактов в нижней части платы; то есть для работы с модулями используются обе стороны платы.
Сами DIMM имеют разный размер и количество чипов:
На фотографии сверху показана стандартная DIMM для настольного ПК, а под ней находится так называемая SO-DIMM (small outline, «DIMM малого профиля»). Маленький модуль предназначен для ПК малого форм-фактора, например, ноутбуков и компактных настольных компьютеров. Из-за малого пространства уменьшается количество используемых чипов, изменяется скорость работы памяти, и так далее.
Существует три основных причины для использования нескольких чипов памяти на DIMM:
- Это увеличивает объём доступного хранилища
- В любой момент времени возможен доступ только к одному банку, поэтому благодаря работе остальных в фоновом режиме повышается производительность.
- Шина адреса в процессоре, обрабатывающая память, шире, чем шина DRAM.
Последнее очень важно, потому что в большинстве чипов DRAM используется только 8-битная шина данных. Однако CPU и GPU в этом от них отличаются: например, CPU AMD Ryzen 7 3800X имеет два встроенных 64-битных контроллера, а в Radeon RX 5700 XT встроено восемь 32-битных контроллеров.
То есть каждому DIMM, который устанавливается в компьютер с Ryzen, потребуется восемь модулей DRAM (8 чипов x 8 бит = 64 бита). Можно подумать, что графическая карта 5700 XT будет иметь 32 чипа памяти, но у неё их только 8. Что же это нам даёт?
В чипы памяти, предназначенные для графических карт, устанавливают больше банков, обычно 16 или 32, потому что для 3D-рендеринга необходим одновременный доступ к большому объёму данных.
Один ранг и два ранга
Множество модулей памяти, «заполняющих» шину данных контроллера памяти, называется рангом, и хотя к контроллеру можно подключить больше одного ранга, за раз он может получать данные только от одного ранга (потому что ранги используют одну шину данных). Это не вызывает проблем, потому что пока один ранг занимается ответом на переданную ему команду, другому рангу можно передать новый набор команд.
Платы DIMM могут иметь несколько рангов и это особенно полезно, когда вам нужно огромное количество памяти, но на материнской плате мало разъёмов под RAM.
Так называемые схемы с двумя (dual) или четырьмя (quad) рангами потенциально могут обеспечить большую производительность, чем одноранговые, но увеличение количества рангов быстро повышает нагрузку на электрическую систему. Большинство настольных ПК способно справиться только с одним-двумя рангами на один контроллер. Если системе нужно больше рангов, то лучше использовать DIMM с буферизацией: такие платы имеют дополнительный чип, облегчающий нагрузку на систему благодаря хранению команд и данных в течение нескольких циклов, прежде чем передать их дальше.
Множество модулей памяти Nanya и один буферный чип — классическая серверная RAM
Но не все ранги имеют размер 64 бита — используемые в серверах и рабочих станциях DIMM часто размером 72 бита, то есть на них есть дополнительный модуль DRAM. Этот дополнительный чип не обеспечивает повышение объёма или производительности; он используется для проверки и устранения ошибок (error checking and correcting, ECC).
Вы ведь помните, что всем процессорам для работы нужна память? В случае ECC RAM небольшому устройству, выполняющему работу, предоставлен собственный модуль.
Шина данных в такой памяти всё равно имеют ширину всего 64 бита, но надёжность хранения данных значительно повышается. Использование буферов и ECC только незначительно влияет на общую производительность, зато сильно повышает стоимость.
Жажда скорости
У всех DRAM есть центральный тактовый сигнал ввода-вывода (I/O, input/output) — напряжение, постоянно переключающееся между двумя уровнями; он используется для упорядочивания всего, что выполняется в чипе и шинах памяти.
Если бы мы вернулись назад в 1993 год, то смогли бы приобрести память типа SDRAM (synchronous, синхронная DRAM), которая упорядочивала все процессы с помощью периода переключения тактового сигнала из низкого в высокое состояние. Так как это происходит очень быстро, такая система обеспечивает очень точный способ определения времени выполнения событий. В те времена SDRAM имела тактовые сигналы ввода-вывода, обычно работавшие с частотой от 66 до 133 МГц, и за каждый такт сигнала в DRAM можно было передать одну команду. В свою очередь, чип за тот же промежуток времени мог передать 8 бит данных.
Быстрое развитие SDRAM, ведущей силой которого был Samsung, привело к созданию в 1998 году её нового типа. В нём передача данных синхронизировалась по повышению и падению напряжения тактового сигнала, то есть за каждый такт данные можно было дважды передать в DRAM и обратно.
Как же называлась эта восхитительная новая технология? Double data rate synchronous dynamic random access memory (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Обычно её просто называют DDR-SDRAM или для краткости DDR.
Память DDR быстро стала стандартом (из-за чего первоначальную версию SDRAM переименовали в single data rate SDRAM, SDR-DRAM) и в течение последующих 20 лет оставалась неотъемлемой частью всех компьютерных систем.
Прогресс технологий позволил усовершенствовать эту память, благодаря чему в 2003 году появилась DDR2, в 2007 году — DDR3, а в 2012 году — DDR4. Каждая новая версия обеспечивала повышение производительности благодаря ускорению тактового сигнала ввода-вывода, улучшению систем сигналов и снижению энергопотребления.
DDR2 внесла изменение, которое мы используем и сегодня: генератор тактовых сигналов ввода-вывода превратился в отдельную систему, время работы которой задавалось отдельным набором синхронизирующих сигналов, благодаря чему она стала в два раза быстрее. Это аналогично тому, как CPU используют для упорядочивания работы тактовый сигнал 100 МГц, хотя внутренние синхронизирующие сигналы работают в 30-40 раз быстрее.
DDR3 и DDR4 сделали шаг вперёд, увеличив скорость тактовых сигналов ввода-вывода в четыре раза, но во всех этих типах памяти шина данных для передачи/получения информации по-прежнему использовала только повышение и падение уровня сигнала ввода-вывода (т.е. удвоенную частоту передачи данных).
Сами чипы памяти не работают на огромных скоростях — на самом деле, они шевелятся довольно медленно. Частота передачи данных (измеряемая в миллионах передач в секунду — millions of transfers per second, MT/s) в современных DRAM настолько высока благодаря использованию в каждом чипе нескольких банков; если бы на каждый модуль приходился только один банк, всё работало бы чрезвычайно медленно.
Каждая новая версия DRAM не обладает обратной совместимостью, то есть используемые для каждого типа DIMM имеют разные количества электрических контактов, разъёмы и вырезы, чтобы пользователь не мог вставить память DDR4 в разъём DDR-SDRAM.
Сверху вниз: DDR-SDRAM, DDR2, DDR3, DDR4
DRAM для графических плат изначально называлась SGRAM (synchronous graphics, синхронная графическая RAM). Этот тип RAM тоже подвергался усовершенствованиям, и сегодня его для понятности называют GDDR. Сейчас мы достигли версии 6, а для передачи данных используется система с учетверённой частотой, т.е. за тактовый цикл происходит 4 передачи.
Кроме более высокой частоты передачи, графическая DRAM обеспечивает дополнительные функции для ускорения передачи, например, возможность одновременного открытия двух страниц одного банка, работающие в DDR шины команд и адресов, а также чипы памяти с гораздо большими скоростями тактовых сигналов.
Какой же минус у всех этих продвинутых технологий? Стоимость и тепловыделение.
Один модуль GDDR6 примерно вдвое дороже аналогичного чипа DDR4, к тому же при полной скорости он становится довольно горячим — именно поэтому графическим картам с большим количеством сверхбыстрой RAM требуется активное охлаждение для защиты от перегрева чипов.
Скорость битов
Производительность DRAM обычно измеряется в количестве битов данных, передаваемых за секунду. Ранее в этой статье мы говорили, что используемая в качестве системной памяти DDR4 имеет чипы с 8-битной шириной шины, то есть каждый модуль может передавать до 8 бит за тактовый цикл.
То есть если частота передачи данных равна 3200 MT/s, то пиковый результат равен 3200 x 8 = 25 600 Мбит в секунду или чуть больше 3 ГБ/с. Так как большинство DIMM имеет 8 чипов, потенциально можно получить 25 ГБ/с. Для GDDR6 с 8 модулями этот результат был бы равен 440 ГБ/с!
Обычно это значение называют полосой пропускания (bandwidth) памяти; оно является важным фактором, влияющим на производительность RAM. Однако это теоретическая величина, потому что все операции внутри чипа DRAM не происходят одновременно.
Чтобы разобраться в этом, давайте взглянем на показанное ниже изображение. Это очень упрощённое (и нереалистичное) представление того, что происходит, когда данные запрашиваются из памяти.
На первом этапе активируется страница DRAM, в которой содержатся требуемые данные. Для этого памяти сначала сообщается, какой требуется ранг, затем соответствующий модуль, а затем конкретный банк.
Чипу передаётся местоположение страницы данных (адрес строки), и он отвечает на это передачей целой страницы. На всё это требуется время и, что более важно, время нужно и для полной активации строки, чтобы гарантировать полную блокировку строки битов перед выполнением доступа к ней.
Затем определяется соответствующий столбец и извлекается единственный бит информации. Все типы DRAM передают данные пакетами, упаковывая информацию в единый блок, и пакет в современной памяти почти всегда равен 8 битам. То есть даже если за один тактовый цикл извлекается один бит, эти данные нельзя передать, пока из других банков не будет получено ещё 7 битов.
А если следующий требуемый бит данных находится на другой странице, то перед активацией следующей необходимо закрыть текущую открытую страницу (это процесс называется pre-charging). Всё это, разумеется, требует больше времени.
Все эти различные периоды между временем отправки команды и выполнением требуемого действия называются таймингами памяти или задержками. Чем ниже значение, тем выше общая производительность, ведь мы тратим меньше времени на ожидание завершения операций.
Некоторые из этих задержек имеют знакомые фанатам компьютеров названия:
Существует ещё много других таймингов и все их нужно тщательно настраивать, чтобы DRAM работала стабильно и не искажала данные, имея при этом оптимальную производительность. Как можно увидеть из таблицы, схема, демонстрирующая циклы в действии, должна быть намного шире!
Хотя при выполнении процессов часто приходится ждать, команды можно помещать в очереди и передавать, даже если память занята чем-то другим. Именно поэтому можно увидеть много модулей RAM там, где нам нужна производительность (системная память CPU и чипы на графических картах), и гораздо меньше модулей там, где они не так важны (в жёстких дисках).
Тайминги памяти можно настраивать — они не заданы жёстко в самой DRAM, потому что все команды поступают из контроллера памяти в процессоре, который использует эту память. Производители тестируют каждый изготавливаемый чип и те из них, которые соответствуют определённым скоростям при заданном наборе таймингов, группируются вместе и устанавливаются в DIMM. Затем тайминги сохраняются в небольшой чип, располагаемый на плате.
Даже памяти нужна память. Красным указано ПЗУ (read-only memory, ROM), в котором содержится информация SPD.
Процесс доступа к этой информации и её использования называется serial presence detect (SPD). Это отраслевой стандарт, позволяющий BIOS материнской платы узнать, на какие тайминги должны быть настроены все процессы.
Многие материнские платы позволяют пользователям изменять эти тайминги самостоятельно или для улучшения производительности, или для повышения стабильности платформы, но многие модули DRAM также поддерживают стандарт Extreme Memory Profile (XMP) компании Intel. Это просто дополнительная информация, хранящаяся в памяти SPD, которая сообщает BIOS: «Я могу работать с вот с такими нестандартными таймингами». Поэтому вместо самостоятельной возни с параметрами пользователь может настроить их одним нажатием мыши.
Спасибо за службу, RAM!
В отличие от других уроков анатомии, этот оказался не таким уж грязным — DIMM сложно разобрать и для изучения модулей нужны специализированные инструменты. Но внутри них таятся потрясающие подробности.
Возьмите в руку планку памяти DDR4-SDRAM на 8 ГБ из любого нового ПК: в ней упаковано почти 70 миллиардов конденсаторов и такое же количество транзисторов. Каждый из них хранит крошечную долю электрического заряда, а доступ к ним можно получить за считанные наносекунды.
Даже при повседневном использовании она может выполнять бесчисленное количество команд, и большинство из плат способны без малейших проблем работать многие годы. И всё это меньше чем за 30 долларов? Это просто завораживает.
DRAM продолжает совершенствоваться — уже скоро появится DDR5, каждый модуль которой обещает достичь уровня полосы пропускания, с трудом достижимый для двух полных DIMM типа DDR4. Сразу после появления она будет очень дорогой, но для серверов и профессиональных рабочих станций такой скачок скорости окажется очень полезным.
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Москва
Звездный бульвар, дом 19к1
ул. Ленинская Слобода, дом 26 стр. 2
МО, Мытищинский район, Сгонниковский с/о, 1-й км Алтуфьевского ш, вл. 2
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Балашиха
шоссе Энтузиастов, дом 54а
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Воронеж
ул. Средне-Московская д.32Б
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Долгопрудный
ул. Первомайская, дом 17
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Зеленоград
Каширское шоссе, дом 96 корпус 1
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Королёв
проспект Космонавтов, дом 34Б
г. Королев, мкр-н Болшево, 3-й Гражданский пер., д. 4
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Красногорск
ул. Дачная, 11а
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Люберцы
улица Инициативная, дом 7Б
Люблинская ул, д. 169к2
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Мытищи
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Одинцово
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Омск
ул.5-я Линия, д. 157-А
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Реутов
ул. Южная, дом 10А
Ивантеевская улица, дом 25А
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Саратов
улица Чапаева, 59, ТД Центральный (1-й этаж)
ул. Таллинская, д. 26
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Тверь
улица Вагжанова, дом 21
Новоясеневский проспект вл 2а стр 1
НИКС – Компьютерный Супермаркет г. Химки
Ленинградская улица, вл16Б
Ваш город – ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара испособы доставки
Понедельник, 9 декабря 2013 14
короткая ссылка на новость:
#GDDR2 #GDDR3 #GDDR4 #GDDR5
- GDDR2(DDR2) – представляет собой самую обычную DDR2, выполненную в другом корпусе для достижения более высоких тактовых частот при работе в составе видеокарты. Впервые был использован в видеокарте GeForce FX5800Ultra, в настоящее время применяется только в видеокартах начального уровня
- GDDR3 – электрические отличия от GDDR2 носят принципиальный характер и заключаются в наличии внутренней терминации и других усовершенствований, но к DDR3 эта память никакого отношения не имеет, поскольку по прежнему осуществляется четырёхкратная внутренняя предвыборка подобно DDR2 (т.е. сами ячейки памяти работают на вчетверо меньшей частоте, чем эффективная частота передачи данных, а тактовая частота интерфейса (которую обычно и считают тактовой частотой памяти) соответственно вдвое меньше этой частоты (также аналогично “обычной” DDR2). Несмотря на относительную “древность”(Впервые был использован в GeForce 6800Ultra), данный тип памяти до сих пор является основным для видеокарт nVidia (Включая GeForce GTX 285), а также применяется в качестве унифицированной оперативной памяти в игровой консоли Xbox360.
- GDDR4 – отличается от GDDR3 в первую очередь наличием восьмикратной предвыборки, подобно «обычной» DDR3, и, следовательно, способностью работать на ещё больших тактовых частотах при одинаковой технологии изготовления. В настоящее время данный тип памяти практически снят с производства и заменён GDDR5. Применялся ограниченно и только в видеокартах ATI, в первую очередь – в Radeon HD3870.
- GDDR5 – cамый современный и самый быстрый тип видеопамяти, радикальное отличие от GDDR4 заключается в раздельном тактировании линий передачи данных и адресов – адреса передаются в режиме DDR (Double Data Rate) на частоте CK, а данные передаются в режиме DDR на частоте WCK, которая в два раза выше первой, т.е. за один такт такая память передает 2 бита адресов и 4 бита данных. Также GDDR5 память отличается наличием эффективных средств снижения энергопотребления, и сейчас используется во всех производительных видеокартах AMD и nVidia. Кстати, эти производители указывают разные частоты для памяти – Nvidia указывает частоту WCK, а AMD – частоту CK.
