Буквенные сокращения по радиоэлектронике
Буквенное сокращение | Расшифровка сокращения |
AM | амплитудная модуляция |
АПЧ | автоматическая подстройка частоты |
АПЧГ | автоматическая подстройка частоты гетеродина |
АПЧФ | автоматическая подстройка частоты и фазы |
АРУ | автоматическая регулировка усиления |
АРЯ | автоматическая регулировка яркости |
АС | акустическая система |
АФУ | антенно-фидерное устройство |
АЦП | аналого-цифровой преобразователь |
АЧХ | амплитудно-частотная характеристика |
БГИМС | большая гибридная интегральная микросхема |
БДУ | беспроводное дистанционное управление |
БИС | большая интегральная схема |
БОС | блок обработки сигналов |
БП | блок питания |
БР | блок развертки |
БРК | блок радиоканала |
БС | блок сведения |
БТК | блокинг-трансформатор кадровый |
БТС | блокинг-трансформатор строчный |
БУ | блок управления |
БЦ | блок цветности |
БЦИ | блок цветности интегральный (с применением микросхем) |
ВД | видеодетектор |
ВИМ | время-импульсная модуляция |
ВУ | видеоусилитель; входное (выходное) устройство |
ВЧ | высокая частота |
Г | гетеродин |
ГВ | головка воспроизводящая |
ГВЧ | генератор высокой частоты |
ГВЧ | гипервысокая частота |
ГЗ | генератор запуска; головка записывающая |
ГИР | гетеродинный индикатор резонанса |
ГИС | гибридная интегральная схема |
ГКР | генератор кадровой развертки |
ГКЧ | генератор качающейся частоты |
ГМВ | генератор метровых волн |
ГПД | генератор плавного диапазона |
ГО | генератор огибающей |
ГС | генератор сигналов |
ГСР | генератор строчной развертки |
гсс | генератор стандартных сигналов |
гг | генератор тактовой частоты |
ГУ | головка универсальная |
ГУН | генератор, управляемый напряжением |
Д | детектор |
дв | длинные волны |
дд | дробный детектор |
дн | делитель напряжения |
дм | делитель мощности |
дмв | дециметровые волны |
ДУ | дистанционное управление |
ДШПФ | динамический шумопонижающий фильтр |
ЕАСС | единая автоматизированная сеть связи |
ЕСКД | единая система конструкторской документации |
зг | генератор звуковой частоты; задающий генератор |
зс | замедляющая система; звуковой сигнал; звукосниматель |
ЗЧ | звуковая частота |
И | интегратор |
икм | импульсно-кодовая модуляция |
ИКУ | измеритель квазипикового уровня |
имс | интегральная микросхема |
ини | измеритель линейных искажений |
инч | инфранизкая частота |
ион | источник образцового напряжения |
ип | источник питания |
ичх | измеритель частотных характеристик |
к | коммутатор |
КБВ | коэффициент бегущей волны |
КВ | короткие волны |
квч | крайне высокая частота |
кзв | канал записи-воспроизведения |
КИМ | кодо-импульсная модуляции |
кк | катушки кадровые отклоняющей системы |
км | кодирующая матрица |
кнч | крайне низкая частота |
кпд | коэффициент полезного действия |
КС | катушки строчные отклоняющей системы |
ксв | коэффициент стоячей волны |
ксвн | коэффициент стоячей волны напряжения |
КТ | контрольная точка |
КФ | катушка фокусирующая |
ЛБВ | лампа бегущей волны |
лз | линия задержки |
лов | лампа обратной волны |
лпд | лавинно-пролетный диод |
лппт | лампово-полупроводниковый телевизор |
м | модулятор |
MA | магнитная антенна |
MB | метровые волны |
мдп | структура металл-диэлектрик-полупроводник |
МОП | структура металл-окисел-полупроводник |
мс | микросхема |
МУ | микрофонный усилитель |
ни | нелинейные искажения |
нч | низкая частота |
ОБ | общая база (включение транзистора по схеме с общей базой) |
овч | очень высокая частота |
ои | общий исток (включение транзистора *по схеме с общим истоком) |
ок | общий коллектор (включение транзистора по схеме с обшим коллектором) |
онч | очень низкая частота |
оос | отрицательная обратная связь |
ОС | отклоняющая система |
ОУ | операционный усилитель |
ОЭ | обший эмиттер (включение транзистора по схеме с общим эмиттером) |
ПАВ | поверхностные акустические волны |
пдс | приставка двухречевого сопровождения |
ПДУ | пульт дистанционного управления |
пкн | преобразователь код-напряжение |
пнк | преобразователь напряжение-код |
пнч | преобразователь напряжение частота |
пос | положительная обратная связь |
ППУ | помехоподавляющее устройство |
пч | промежуточная частота; преобразователь частоты |
птк | переключатель телевизионных каналов |
птс | полный телевизионный сигнал |
ПТУ | промышленная телевизионная установка |
ПУ | предварительный усили^егіь |
ПУВ | предварительный усилитель воспроизведения |
ПУЗ | предварительный усилитель записи |
ПФ | полосовой фильтр; пьезофильтр |
пх | передаточная характеристика |
пцтс | полный цветовой телевизионный сигнал |
РЛС | регулятор линейности строк; радиолокационная станция |
РП | регистр памяти |
РПЧГ | ручная подстройка частоты гетеродина |
РРС | регулятор размера строк |
PC | регистр сдвиговый; регулятор сведения |
РФ | режекторный или заграждающий фильтр |
РЭА | радиоэлектронная аппаратура |
СБДУ | система беспроводного дистанционного управления |
СБИС | сверхбольшая интегральная схема |
СВ | средние волны |
свп | сенсорный выбор программ |
СВЧ | сверхвысокая частота |
сг | сигнал-генератор |
сдв | сверхдлинные волны |
СДУ | светодинамическая установка; система дистанционного управления |
СК | селектор каналов |
СКВ | селектор каналов всеволновый |
ск-д | селектор каналов дециметровых волн |
СК-М | селектор каналов метровых волн |
СМ | смеситель |
енч | сверхнизкая частота |
СП | сигнал сетчатого поля |
сс | синхросигнал |
сси | строчный синхронизирующий импульс |
СУ | селектор-усилитель |
сч | средняя частота |
ТВ | тропосферные радиоволны; телевидение |
твс | трансформатор выходной строчный |
твз | трансформатор выходной канала звука |
твк | трансформатор выходной кадровый |
ТИТ | телевизионная испытательная таблица |
ТКЕ | температурный коэффициент емкости |
тки | температурный коэффициент индуктивности |
ткмп | температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости |
ткнс | температурный коэффициент напряжения стабилизации |
ткс | температурный коэффициент сопротивления |
тс | трансформатор сетевой |
тц | телевизионный центр |
тцп | таблица цветных полос |
ТУ | технические условия |
У | усилитель |
УВ | усилитель воспроизведения |
УВС | усилитель видеосигнала |
УВХ | устройство выборки-хранения |
УВЧ | усилитель сигналов высокой частоты |
УВЧ | ультравысокая частота |
УЗ | усилитель записи |
УЗЧ | усилитель сигналов звуковой частоты |
УКВ | ультракороткие волны |
УЛПТ | унифицированный ламповополупроводниковый телевизор |
УЛЛЦТ | унифицированный лампово полупроводниковый цветной телевизор |
УЛТ | унифицированный ламповый телевизор |
УМЗЧ | усилитель мощности сигналов звуковой частоты |
УНТ | унифицированный телевизор |
УНЧ | усилитель сигналов низкой частоты |
УНУ | управляемый напряжением усилитель. |
УПТ | усилитель постоянного тока; унифицированный полупроводниковый телевизор |
УПЧ | усилитель сигналов промежуточной частоты |
УПЧЗ | усилитель сигналов промежуточной частоты звук? |
УПЧИ | усилитель сигналов промежуточной частоты изображения |
УРЧ | усилитель сигналов радиочастоты |
УС | устройство сопряжения; устройство сравнения |
УСВЧ | усилитель сигналов сверхвысокой частоты |
УСС | усилитель строчных синхроимпульсов |
УСУ | универсальное сенсорное устройство |
УУ | устройство (узел) управления |
УЭ | ускоряющий (управляющий) электрод |
УЭИТ | универсальная электронная испытательная таблица |
ФАПЧ | фазовая автоматическая подстройка частоты |
ФВЧ | фильтр верхних частот |
ФД | фазовый детектор; фотодиод |
ФИМ | фазо-импульсная модуляция |
ФМ | фазовая модуляция |
ФНЧ | фильтр низких частот |
ФПЧ | фильтр промежуточной частоты |
ФПЧЗ | фильтр промежуточной частоты звука |
ФПЧИ | фильтр промежуточной частоты изображения |
ФСИ | фильтр сосредоточенной избирательности |
ФСС | фильтр сосредоточенной селекции |
ФТ | фототранзистор |
ФЧХ | фазо-частотная характеристика |
ЦАП | цифро-аналоговый преобразователь |
ЦВМ | цифровая вычислительная машина |
ЦМУ | цветомузыкальная установка |
ЦТ | центральное телевидение |
ЧД | частотный детектор |
ЧИМ | частотно-импульсная модуляция |
чм | частотная модуляция |
шим | широтно-импульсная модуляция |
шс | шумовой сигнал |
эв | электрон-вольт (е • В) |
ЭВМ. | электронная вычислительная машина |
эдс | электродвижущая сила |
эк | электронный коммутатор |
ЭЛТ | электронно-лучевая трубка |
ЭМИ | электронный музыкальный инструмент |
эмос | электромеханическая обратная связь |
ЭМФ | электромеханический фильтр |
ЭПУ | электропроигрывающее устройство |
ЭЦВМ | электронная цифровая вычислительная машина |
Как определить деталь по smd маркировке | все для ремонта электроники
Данная статья- небольшая попытка разобраться в той путанице, которая происходит в SMD маркировке радиоэлементов.
Если в маркировке радиодеталей советского производства существовала какая-то закономерность, то среди зарубежных радиоэлементов всегда были свои тонкости, заключающиеся в первую очередь в том, что каждый производитель, как правило, вносил свои буквенные индексы в название деталей, а с переходом на SMD ситуация только лишь ухудшилась…
Главная проблема заключается в том, что на SMD корпусе катастрофически мало места, но помимо названия детали, производитель очень часто пытается впихнуть туда еще и дополнительную инфу- номер партии, адрес производства и т.д…
Кроме этого корпус радиоэлемента так-же совершенно ни о чем не говорит- так, к примеру в довольно распространенном корпусе SOT-23 могут быть как транзисторы, так и стабилитроны (или диоды), и вот пара примеров: стабилитроны серии BZX84
А вот транзистор BCX41
В 4-х и более выводных SMD корпусах ситуация еще запутанней- это могут быть и транзисторы, и транзисторные сборки, и различные микросхемы.
Конечно- же производитель обычно указывает информацию по маркировкам в даташитах, но и от этого ничуть не легче- как правило в даташитах прилагается дополнительная инфа в виде символов типа «*» или буквенных индексов
Пример первый: информация из даташита цифрового транзистора серии PDTC123E:
Здесь сказано что буква «W» перед кодом 26 означает что данный транзистор китайского производства.
Пример второй: довольно распространенная микросхема ШИМ-контроллер LD7536 в корпусе SOT-26
Сама по себе микросхема имеет SMD маркировку p36, однако на корпусе имеются еще несколько символов: это и год изготовления, и неделя изготовления и код продукции.
Имеется и еще одна, не совсем страшная, но все-таки проблема- это различная маркировка корпусов у разных производителей.
Дело в том, что и тут имеются свои стандарты:
1. De Facto Standart — общепринятое обозначение корпуса
2 JEDEC — Joint Electron Devices Engineering Council (США)
3. JEITA — Japan Electronics and Information Technology Industries Association
4. А иногда и фирменное — обозначение корпуса, принятое в отдельной компании
Так, к примеру, довольно распространенный корпус
В разных даташитах может называться по разному: SOT-523, SOT-490, SC89-3.
В общем, подводя итоги всего вышесказанного вывод напрашивается сам- если возникла необходимость определить деталь по SMD маркировке, то необходимо одновременно рассматривать несколько вариантов. Для ясности- приведем один пример:
Предположим, у нас имеется неизвестная деталька, в 3-х ногом SMD корпусе, и выглядит она так:
Для того чтобы определить наименование, требуется одновременно рассматривать три варианта маркировки:
1. W26 смотрим в этой таблице
2. W2* смотрим в этой таблице
3. *26 смотрим в этой таблице
При этом так-же еще необходимо и учитывать размеры корпуса ( в данном случае это SOT-23) и схемы включения.
Согласен- итоги статьи малоутешительны, однако если у Вас возникли проблемы- Вы можете заглянуть к нам на ФОРУМ, подумаем вместе!
Кроме этого- мы стараемся ежедневно просматривать массу различных источников и даташитов, так что информация на сайте постоянно пополняется.
Важно!!! Для того чтобы пройти регистрацию на нашем форуме, настоятельно советую заглянуть сначала СЮДА.
Ниже приводится таблица SMD корпусов различных радиоэлементов, надеемся она облегчит Вам поиски нужной информации
Внешний вид | Размеры | Название |
Два вывода | ||
7,0х6,0х2,6мм | smcj do214ab | |
4,6х3,6х2,3мм | smbj do214aa | |
4,5х1,4х2,5мм | gf1 do214ba | |
4,5х2,6х2,0мм | smaj do214ac | |
2,6х1,6х1,1мм | sod123 do219ab | |
2,6х1,6х1,1мм | sod123f | |
2,0х1,3х1,6мм | sod110 | |
1,7х1,25х0,9мм | sod323 sc76 | |
1,7х1,25х0,9мм | sod323f sc90a | |
1,6х0,8х0,4мм | sod1608 | |
1,2х0,8х0,6мм | sod523f sc79 | |
1,0х0,6х0,45мм | sod822 tslp2 | |
Три вывода | ||
9,8х8,8х4,0мм | d2pak to263 | |
6,6х6,1х2,3мм | dpak to252aa | |
6,5х4,6х1,1мм | smpc to277a | |
6,5х3,5х1,8мм | sot223 to261aa sc73 | |
4,7х2,5х1,7мм | sot89 to243aa sc62 | |
2,9х1,8х0,8мм | sot23f | |
2,9х1,5х1,1мм | sot346 to236aa sc59a smini | |
2,9х1,3х1,0мм | sot23 to236ab | |
2,0х2,0х0,65мм | sot1061 | |
2,0х1,25х0,9мм | sot323 sc70 usm | |
1,6х0,8х0,7мм | sot523 sot416 sc75a | |
1,6х0,8х0,7мм | sot523f sot490 sc89-3 UMT3F | |
1,2х0,8х0,5мм | sot723 sc105aa tsfp-3 | |
1,0х0,6х0,5мм | sot883 sc101 tslp3-1 | |
0,8х0,6х0,37мм | sot1123 | |
4 Вывода | ||
4,8х3,9х2,5мм | mbs to269aa | |
4,4х4,1х2,0мм | sop4 | |
4,4х2,6х2,0мм | ssop4 | |
6,5х3,5х1,8мм | sot223-4 | |
2,9х1,3х1,0мм | sot143 | |
2,9х1,3х1,0мм | sot143r | |
2,0х1,3х0,9мм | sot343 | |
1,6х1,2х0,5мм | sot543 | |
1,4х0,8х0,55мм | tsfp4-1 | |
1,2х0,8х0,4мм | tslp4 | |
1,0х1,0х0,6мм | dfn4 | |
0,75х0,75х0,63мм | dsbga4 wlcsp | |
5 выводов | ||
9,8х8,8х4,0мм | d2pak5 to263-5 | |
6,6х6,1х2,3мм | dpak5 to252-5 | |
6,5х3,5х1,8мм | sot223-5 | |
3,3х3,3х1,0мм | mo240 pqfn8l | |
4,5х2,5х1,5мм | sot89-5 | |
2,9х1,6х1,1мм | sot23-5 sot25 mo193ab mo178aa sc74a tsop5 sot753 | |
2,9х1,6х1,0мм | sct595 | |
2,0х1,25х0,95мм | sot353 mo203aa sc88a sc70-5 tssop5 | |
1,6х1,2х0,6мм | sot553 sot665 sc107 | |
0,8х0,8х0,35мм | sot1226 x2son5 | |
6 Выводов | ||
3,0х2,0х0,75мм | mlp2x3 mo229 dfn2030-6 lfcsp6 | |
3,0х1,7х1,1мм | ssot6 mo193 | |
2,0х2,0х0,75мм | dfn2020-6 sot1118 wson6 llp6 | |
2,9х1,6х1,1мм | sot23-6 sot-26 mo178ab sc74 | |
2,9х1,6х0,9мм | tsot6 mo193 | |
2,0х1,25х1,1мм | sot363 mo203ab ttsop6 sc88 sc70-6 us6 | |
1,6х1,2х0,6мм | sot563f sc89-6 sc170c sot666 | |
1,45х1,0х0,55мм | sot886 mo252 xson6 mp6c | |
1,2х0,8х0,4мм | wlcsp6 dsbga6 | |
8 выводов | ||
4,4х3,0х1,0мм | tssop8 mo153 | |
3,05х1,65х1,05мм | chipfet | |
3,0х3,0х0,9мм | tdfn8 wson8 lfcsp8 | |
2,0х2,0х0,85мм | mlf8 | |
3,0х3,0х1,1мм | msop8 mo187aa | |
3,0х3,0х0,75мм | vssop8 | |
Более 9 выводов | количество выводов указано значками ** | |
3,0х3,0х1,1мм | usoic** rm** micro** | |
3,0х3,0х0,9мм | tdfn** vson** dfn** wson** | |
2,9х2,5х1,1мм | msop** mo187da | |
1,8х1,4х0,5мм | uqfn** | |
wdfn** | ||
1,45х1,45х0,6мм | bga** **9pin flip-chip |
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
E2 | Два импульсных диода | Dual |
E3 | Три импульсных диода | Triple |
E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
F2 | Два диода Шоттки | Dual |
F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
S2 | Два сапрессора | Dual |
T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
> 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
Название | Расшифровка | кол-во выводов |
SOT | small outline transistor | 3 |
SOD | small outline diode | 2 |
SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
μBGA | микро BGA | массив выводов |
FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Маркировка sot25, sot26, sot28 smd код на корпусе marking sot23-5, sot23-6, sot23-8 – 3 октября 2021 – блог – oskolchip
Таблица ниже содержит расшифровку кодовых обозначений на корпусах SOT23-5, SOT23-6 и SOT23-8 этот тип корпусов так же называются SOT-25, SOT-26, TSOP26, TSOP23-5, SSOT26, TSOT-23-8, SOT-28 и т.д. При ремонте электроники мастера сталкиваются сталкиваются с трудностями в определении типа микросхемы в подобных корпусах, так как производители вынуждены кодировать их названия из за маленького корпуса. В таблицу внесены микросхемы разных типов DC/DC, AC/DC, ШИМ(pwm), сборки транзисторов и др. их объединяют только схожесть корпуса, на рисунке ниже приведены расположение выводов корпусов SOT25, SOT26, SOT28
Пояснения к таблице:
Маркировка : в этой колонке указывается код маркировки на корпусе, часть кода может быть помечена как “*” этот символ заменяет абсолютно любую букву или цифру в коде, которая на практике означает к примеру партию, год или месяц выпуска , поэтому ее значение не постоянно.
Пример кода: несколько примеров кода, как он может выглядеть на корпусе.
Модель IC: модель или партномер микросхемы.
Тип: тип микросхемы .
Возможная замена: аналог с такой же распиновкой, который заменит микросхему без доработки схемы или с ее минимальными доработками, но все равно не поленитесь сравнить datasheet, решение о замене принимает только мастер.
Распиновка: расположение выводов на корпусе
Схема: один из вариантов схемы включения микросхемы.
PDF: datasheet на микросхему если он есть.
Вся информация в таблице предоставлена для ознакомительных целей и не является офертой .
Маркировка микросхем в корпусе SOT23-5 | |||||||
Маркировка | Пример кода | Модель IC | Тип | Возможная замена | Распиновка | Схема | |
4054 | STC4054 | Li-Ion Charger | TP4054 LTC4054 | ||||
54b | TP4054 | Li-Ion Charger | LTC4054 | ||||
AA*** | SY8008AAAC | DC/DC | SY8008BAAC | ||||
AB*** | SY8008BAAC | SY8008CAAC | |||||
AC*** | SY8008CAAC | ||||||
BI*** | SY8008AACC | SY8008BAAC | |||||
BG*** | SY8008BACC | SY8008CAAC | |||||
AS11D | MT3410L | DC/DC | MT3410 | ||||
AS15D | MT3410 | ||||||
ADJ | MT3410 Rev.V1.2 | MT3410 | |||||
BQ=*** | BQ=602, BQ=JHY | RT8059 | DC/DC | NCP1529 SY8008CAAC | |||
DXJ*** | DXJRIH | NCP1529 | DC/DC | RT8059 SY8008CAAC | |||
LPS A1*** | LPS A18n2 | LP3220S | DC/DC | ||||
LTH7 LTADY | LTC4054 | Li-Ion Charger | TP4054 | ||||
Z02 | QSZ2TR | сборка PNP NPN | |||||
Маркировка микросхем в корпусе SOT23-6 | |||||||
Маркировка | Пример кода | Модель IC | Тип | Возможная замена | Распиновка | Схема | |
**130 | LD7530M | ШИМ | LD7530, LD7530PL | ||||
.1S*** | SF1531SLGT | ШИМ | |||||
**230 | LD7530N | ШИМ | LD7530, LD7530PL | ||||
2263 | TC2263MP | ШИМ | OB2263MP OB2273MP | ||||
25***** | NCP1250 | ШИМ | |||||
2819 819 819L | FM2819 | управление Led | |||||
30** | 3089, 30J3, 30HB | GR8830 | ШИМ | ||||
.31*** | SF1531LGT | ШИМ | |||||
36** | 3694, 36JB, 36H1 | GR8836 | ШИМ | ||||
4870 | SD4870TR | ШИМ | |||||
49 *** | XN1049 | ШИМ | |||||
6000A | PF6000AG | ШИМ | |||||
62*** | OB2262MP | ШИМ | |||||
63*** | 63T32a, 63513 63D12 | OB2263MP | ШИМ | TC2263MP OB2273MP | |||
73*** | 73T515, 73F38p | OB2273MP | ШИМ | OB2263MP TC2263MP | |||
73** | HT2273TP | ШИМ | OB2273MP OB2263MP TC2263MP | ||||
8205A | ML8205 | сборка MOSFET | CJL8205A FS8205A CEG8205A | ||||
853** | SP6853S | ШИМ | |||||
92**** | 92FYB2, 92DdB1 | LP3792 | ШИМ | ||||
AAH** | SG6848x1 | ШИМ | |||||
AAE** | SG5701TZ | ШИМ | |||||
AAl** | SG6858 | ШИМ | |||||
AAK** | SGP400 | ШИМ | |||||
AAJ** | SG6859 | ШИМ | |||||
AAJF** | SG6859A | ШИМ | |||||
AB*** | FAN6862 | ШИМ | |||||
AGM | IAGME, AGMH, 1AGMD, AGMJ | MP1471AGJ | DC/DC | ||||
AEJ | IAEJF, AEJH | MP1471GJ | DC/DC | MP1471AGJ | |||
BB** | SG6849 | ШИМ | |||||
GHN | AP3105 | ШИМ | |||||
GHO | AP3105V | ШИМ | AP3105 | ||||
GHP | AP3105L | ШИМ | AP3105 | ||||
GHQ | AP3105R | ШИМ | AP3105 | ||||
GKN | AP3105NA | ШИМ | AP3105 | ||||
GKO | AP3105NV | ШИМ | AP3105 | ||||
GKP | AP3105NL | ШИМ | AP3105 | ||||
GKQ | AP3105NR | ШИМ | AP3105 | ||||
HX=JE | HX4004A | DC/DC | |||||
IDP=* | R7731AGE | ШИМ | |||||
IL6 | IL6DA, IL6D, IL6DC, IL6DF | MP3202DJ | LED Driver | ||||
**P01 | k tp01, H aP01 | LD7530PL | ШИМ | LD7530, | |||
**P30 | k tp30, KP30 E BP30, QP30 | LD7530 | ШИМ | LD7530, LD7530PL | |||
**P30A | LD7530A | ШИМ | LD7530, LD7530PL | ||||
U863* | U863L, U863G | UC3863G | ШИМ | ||||
Маркировка микросхем в корпусе SOT23-8 | |||||||
Маркировка | Пример кода | Модель IC | Тип | Возможная замена | Распиновка | Схема | |
AEB | IAEB, AEBH, AEBG, AEBJ | MP2161GJ | DC/DC | ||||
AQT | IAQTH | MP2315SGJ | DC/DC | MP2315GJ | |||
AGC | AGCH, AGCD, IAGC, IAGCD, | MP2315GJ | DC/DC | ||||
Обозначения радиодеталей на принципиальных схемах
УГО — это условно графическое изображения радиодетали на схеме. Некоторые УГО различаются друг от друга.
Например, в США обозначение резисторов отличается от СНГ и Европы.
Из-за этого меняется восприятие схемы.
Однако внешне и по обозначениям они похожи. Или например, транзисторы. Где-то они чертятся с кругами, а где-то без. Могут различаться размеры и угол стрелок. В таблице представлены УГО отечественных радиодеталей.
УГОНазвание
Биполярный n-p-n транзистор
Биполярный p-n-p транзистор
Однопереходный транзистор с n базой
Однопереходный транзистор с p базой
Обмотка реле
Заземление
Диод
Диодный мост
Диод Шотки
Двуханодный стабилитрон
Двунаправленный стабилитрон
Обращенный диод
Стабилитрон
Туннельный диод
Варикап
Катушка индуктивности
Катушка индуктивности с подстраиваемым сердечником
Катушка индуктивности с сердечником
Классический трансформатор
Обмотка
Регулируемый сердечник
Электролитический конденсатор
Неполярный конденсатор
Опорный конденсатор
Переменный конденсатор
Подстроечный конденсатор
Двухпозиционный переключатель
Герконовый переключатель
Размыкающий переключатель
Замыкающий переключатель
Полевой транзистор с каналом n типа
Полевой транзистор с каналом p типа
Быстродействующий плавкий предохранитель
Инерционно-плавкий предохранитель
Плавкий предохранитель
Пробивной предохранитель
Термическая катушка
Тугоплавкий предохранитель
Выключатель-предохранитель
Разрядник
Разрядник двухэлектродный
Разрядник электрохимический
Разрядник ионный
Разрядник роговой
Разрядник шаровой
Разрядник симметричный
Разрядник трехэлектродный
Разрядник трубчатый
Разрядник угольный
Разрядник вакуумный
Разрядник вентильный
Гнездо телефонное
Разъем
Разъем
Переменный резистор
Подстроечный резистор
Резистор
Резистор 0,125 Вт
Резистор 0,25 Вт
Резистор 0,5 Вт
Резистор 1 Вт
Резистор 2 Вт
Резистор 5 Вт
Динистор проводящий в обратном направлении
Динистор запираемый в обратном направлении
Диодный симметричный тиристор
Тетродный тиристор
Тиристор с управлением по катоду
Тиристор с управлением по аноду
Тиристор с управлением по катоду
Тиристор триодный симметричный
Запираемый тиристор с управлением по аноду
Запираемый тиристор с управлением по катоду
Диодная оптопара
Фотодиод
Фототиристор
Фототранзистор
Резистивная оптопара
Светодиод
Тиристорная оптопара Это далеко не все детали. И зубрить их особого смысла нет. Такие таблицы пригодятся в виде справочника. Можно опознать что за деталь представлена на схеме во время ее изучения или сборки устройства.
Отечественные обозначения радиодеталей
Перейти к зарубежным обозначениям ▲
Буквенные обозначения электронных компонентов на отечественных схемах регламентированы ГОСТ 2.710-81 «Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах».
A — УстройстваAA — Регулятор токаAB — Приводы исполнительных механизмовAC — Устройство АВРAF — Регулятор частотыAK — Устройство (комплект) реле защитAKB — Устройство блокировки типа КРБAKS — Устройство АПВAKV — Устройство комплектное продольной дифзащиты ЛЭПAKZ — Устройство комплектное реле сопротивленияAR — Устройство комплектное реле УРОВAV — Устройство регулирования напряженияAW — Регулятор мощностиB — Преобразователи неэлектрических величин в электрические (кроме генераторов и источников питания) или наоборот аналоговые или многоразрядные преобразователи или датчики для указания или измеренияBA — ГромкоговорительBB — Магнитострикционный элементBC — Сельсин-датчикBD — Детектор ионизирующих излученийBE — Сельсин-приемникBF — Телефон (капсюль)
BK — Тепловой датчикBL — ФотоэлементBM — МикрофонBP — Датчик давленияBQ — ПьезоэлементBR — Датчик частоты вращения (тахогенератор)BS — ЗвукоснимательBT — Датчик температурыBV — Датчик скоростиBVA — Счетчик вольтамперчасов реактивныхBW — Счетчик ватт-часов активныхC — КонденсаторыCB — Конденсаторный силовой блокCG — Конденсаторный зарядный блокD — Схемы интегральные, микросборкиDA — Схема интегральная аналоговаяDD — Схема интегральная, цифровая, логический элементDS — Устройства хранения информацииDT — Устройство задержкиE — Элементы разныеEK — Нагревательный элементEL — Лампа осветительнаяET — ПиропатронF — Разрядники, предохранители, устройства защитныеFA — Дискретный элемент защиты по току мгновенного действияFP — Дискретный элемент защиты по току инерционного действияFU — Предохранитель плавкийFV — Дискретный элемент защиты по напряжению, разрядникG — Генераторы, источники питания, кварцевые осцилляторыGB — БатареяGC — Синхронный компенсаторGE — Возбудитель генератораGEA — Подвозбудитель (вспомогательный возбудитель)
H — Устройства индикационные и сигнальныеHA — Прибор звуковой сигнализацииHG — Индикатор символьныйHL — Прибор световой сигнализацииHLA — Световое таблоHLG — Лампа сигнализации с линзой зеленойHLR — Лампа сигнализации с линзой краснойHLW — Лампа сигнализации с линзой белойHY — Индикатор полупроводниковыйK — Реле, контакторы, пускателиKA — Реле токовоеKA0 — Реле тока нулевой последовательности, токовая защита нулевой последовательностиKAT — Реле тока с насыщающимся трансформатором, токовая защита с выдержкой времениKAW — Реле тока с торможениемKAZ — Реле тока фильтровоеKB — Реле блокировкиKBS — Реле блокировки от многократных включенийKCC — Реле команды «включить»KCT — Реле команды «отключить»KF — Реле частотыKH — Реле указательноеKHA — Реле импульсной сигнализацииKK — Реле электротепловоеKLP — Реле давления повторительноеKM — Контактор, магнитный пускательKQ — Реле фиксации положения выключателяKQC — Реле положения «Включено»KQQ — Реле фиксации команды включенияKQS — Реле фиксации положения разъединителяKQT — Реле положения «Отключено»KS — Реле контроляKSG — Реле газовоеKSH — Реле струи (напора)
KSS — Реле контроля синхронизмаKSV — Реле контроля напряженияKT — Реле времениKV — Реле напряженияKVZ — Фильтр – реле напряженияKW — Реле мощностиKZ — Реле сопротивленияL — Катушки индуктивности, дросселиLG — РеакторLL — Дроссель люминесцентного освещенияLR — Обмотка возбуждения генератораM — ДвигателиP — Приборы, измерительное оборудованиеPA — АмперметрPC — Счетчик импульсов электромеханическийPF — ЧастотомерPG — ОсциллографPHE — Указатель положенияPI — Счетчик активной энергииPK — Счетчик реактивной энергииPR — ОмметрPS — Регистрирующий приборPT — Часы, измеритель времени действияPV — ВольтметрPVA — ВарметрPW — ВаттметрQ — Выключатели и разъединители в силовых цепяхQF — Выключатель автоматическийQK — КороткозамыкательQN — КороткозамыкательQR — ОтделительQS — РазъединительQW — Выключатель нагрузкиR — РезисторыRK — ТерморезисторRP — ПотенциометрRR — РеостатRS — Шунт измерительныйRU — ВаристорS — Устройства коммутационные в цепях управления, сигнализации и измерительныхSA — Выключатель или переключательSAB — Переключатель, ключ в цепях блокировкиSAC — Переключатель режимаSB — Выключатель кнопочныйSC — КоммутаторSF — Выключатель автоматическийSK — Выключатель, срабатывающий от температурыSL — Выключатель, срабатывающий от уровняSN — Переключатель измеренийSP — Выключатель, срабатывающий от давленияSQ — Путевой выключатель конечныйSQ — Выключатель, срабатывающий от положения (путевой)
SQA — Вспомогательный контакт, фиксирующий аварийное отключение выключателяSQC — Вспомогательный контакт в цепи электромагнита включенияSQK — Вспомогательный контакт, замыкающийся при отключении выключателяSQM — Вспомогательный контакт, замыкающийся при включении выключателя (пуск двигателя завода пружин ABM)
SQT — Вспомогательный контакт в цепи электромагнита отключенияSQY — Вспомогательный контакт готовности пружин, управляющий электродвигателем завода пружин ABMSR — Выключатель, срабатывающий от частоты вращенияSS — Переключатель синхронизацииSX — Накладка оперативнаяT — Трансформаторы, автотрансформаторыTA — Трансформатор токаTAN — Трансформатор тока нулевой последовательностиTAV — ТрансреакторTL — Трансформатор промежуточныйTLV — Трансформатор отбора напряженияTS — Электромагнитный стабилизаторTS — Электромагнитный стабилизаторTUV — Трансформатор регулировочныйTV — Трансформатор напряженияU — Преобразователи электрических величин в электрические, устройства связиUA — Преобразователь токаUB — МодуляторUF — Преобразователь частотыUI — ДискриминаторUR — ДемодуляторUV — Преобразователь напряжения, фазорегуляторUZ — Преобразователь частотный, инвертор, генератор частоты, выпрямительV — Приборы электровакуумные, полупроводниковыеVD — Диод, стабилитронVL — Прибор электровакуумныйVS — ТиристорVT — ТранзисторW — Линии и элементы сверхвысокой частоты, антенныWA — АнтеннаWE — ОтветвительWK — КороткозамыкательWS — ВентильWT — Трансформатор, неоднородность, фазовращательWU — АттенюаторX — Соединения контактныеXA — Токосъемник, контакт скользящийXB — ПеремычкаXG — Испытательный зажимXN — Соединение неразборноеXP — ШтырьXS — ГнездоXT — Соединение разборноеXW — Соединитель высокочастотныйY — Устройства механические с электромагнитным приводомYA — ЭлектромагнитYAB — Замок электромагнитной блокировкиYAC — Электромагнит включения в приводе воздушного выключателя (легкий привод), контактор включенияYAT — Электромагнит отключения (соленоид отключения)
YB — Тормоз с электромагнитным приводомYC — Муфта с электромагнитным приводомYH — Электромагнитный патрон или плитаYMC — Электромагнит включения в приводе масляного выключателя (тяжелый привод)Z — Устройства оконечные, фильтры, ограничителиZA — Фильтр токаZF — Фильтр частотыZL — ОграничительZQ — Фильтр кварцевыйZV — Фильтр напряжения
Буквенные коды функционального назначения радиоэлектронного устройства или элементаA — ВспомогательныйC — СчитающийD — ДифференцирующийF — ЗащитныйG — ИспытательныйH — СигнальныйI — ИнтегрирующийM — ГлавныйN — ИзмерительныйP — ПропорциональныйQ — Состояние (старт, стоп, ограничение)
Полупроводниковые приборы
Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AA | BCW 60 A | SOT 23 | EF | BCW66F | SOT 23 | L8 | BAR 15-1 | SOT 23 |
AB | BCW 60 B | SOT 23 | EG | BCV 49 | SOT 89 | L9 | BAR 16-1 | SOT 23 |
AB | BCX 51-6 | SOT 89 | EG | BCW 66 G | SOT 23 | R2 | BFR 93 A | SOT 23 |
AC | BCW 60 C | SOT 23 | EH | BCW 66 H | SOT 23 | S1A | SMBT 3904 | SOT 23 |
AC | BCX 51 -10 | SOT 89 | EK | BCX 41 | SOT 23 | S1B | SMBT 2222 | SOT 23 |
AD | BCW 60 D | SOT 23 | FC | BFQ 64 | SOT 89 | S1C | SMBTA 20 | SOT 23 |
AD | BCX 51-16 | SOT 89 | FD | BFQ 17 P | SOT 89 | S1D | SMBTA 42 | SOT 23 |
AF | BCX 52-6 | SOT 89 | FD | BCV 26 | SOT 23 | S1E | SMBTA 43 | SOT 23 |
AF | BCW 60FF | SOT 23 | FE | BCV 46 | SOT 23 | S1G | SMBTA 06 | SOT 23 |
AG | BCX 52-10 | SOT 89 | FE | BFQ 19 P | SOT 89 | S1H | SMBTA 05 | SOT 23 |
AG | BCX 70 G | SOT 23 | FF | BCV 27 | SOT 23 | S1M | SMBIA 13 | SOT 23 |
AH | BCX 70 H | SOT 23 | FG | BCV 47 | SOT 23 | S1N | SMBTA 14 | SOT 23 |
AJ | BCX 53-6 | SOT 89 | FM | BFN 24 | SOT 23 | S1P | SMBT2222A | SOT 23 |
AJ | BCX 70 J | SOT 23 | FJ | BFN 26 | SOT 23 | S2A | SMBT 3906 | SOT 23 |
AK | BCX 53-10 | SOT 89 | FK | BFN 25 | SOT 23 | S2B | SMBT 2907 | SOT 23 |
AK | BCX 70 K | SOT 23 | FL | BFN 27 | SOT 23 | S2D | SMBTA 92 | SOT 23 |
AL | BCX 53-16 | SOT 89 | GA | BAW 78 A | SOT 89 | S2E | SMBTA 93 | SOT 23 |
AM | BCX 52-16 | SOT 89 | GB | BAW 78 B | SOT 89 | S2F | SMBT2907A | SOT 23 |
AM | BSS 64 | SOT 23 | GC | BAW 78 C | SOT 89 | S2G | SMBTA 56 | SOT 23 |
AN | BCW 60 PN | SOT 23 | GD | BAW 78 D | SOT 89 | S2H | SMBTA 55 | SOT 23 |
BA | BCW 61 A | SOT 23 | GE | BAW 79 A | SOT 89 | S2 |
Полупроводниковые приборы в корпусе кд-80 (sod-80)
Тип прибора | Цветовая маркировка | Структ. п/п | Аналог (прибл) | Краткие параметры |
---|---|---|---|---|
ВА682 | красная полоса | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz |
ВА683 | красная оранжевая | Pin-Di | BA483 | VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz |
BAS32 | черн. полоса | Si-Di | 1N4148 | Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns |
BAV100 | зелен. черн. | Si-Di | BAV18 | S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns |
BAV101 | зелен. коричн | Si-Di | BAY 19 | S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns |
BAV102 | зелен. красн. | Si-Di | BAV20 | S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns |
BAV103 | зелен. оранж. | Si-Di | BAV21 | S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns |
ВВ215 | белая зелен. | C-Di | BB405B | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF |
ВВ219 | белая | C-Di | BB909 | Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF |
Полупроводниковые приборы
Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AA | BCW 60 A | SOT 23 | EF | BCW66F | SOT 23 | L8 | BAR 15-1 | SOT 23 |
AB | BCW 60 B | SOT 23 | EG | BCV 49 | SOT 89 | L9 | BAR 16-1 | SOT 23 |
AB | BCX 51-6 | SOT 89 | EG | BCW 66 G | SOT 23 | R2 | BFR 93 A | SOT 23 |
AC | BCW 60 C | SOT 23 | EH | BCW 66 H | SOT 23 | S1A | SMBT 3904 | SOT 23 |
AC | BCX 51 -10 | SOT 89 | EK | BCX 41 | SOT 23 | S1B | SMBT 2222 | SOT 23 |
AD | BCW 60 D | SOT 23 | FC | BFQ 64 | SOT 89 | S1C | SMBTA 20 | SOT 23 |
AD | BCX 51-16 | SOT 89 | FD | BFQ 17 P | SOT 89 | S1D | SMBTA 42 | SOT 23 |
AF | BCX 52-6 | SOT 89 | FD | BCV 26 | SOT 23 | S1E | SMBTA 43 | SOT 23 |
AF | BCW 60FF | SOT 23 | FE | BCV 46 | SOT 23 | S1G | SMBTA 06 | SOT 23 |
AG | BCX 52-10 | SOT 89 | FE | BFQ 19 P | SOT 89 | S1H | SMBTA 05 | SOT 23 |
AG | BCX 70 G | SOT 23 | FF | BCV 27 | SOT 23 | S1M | SMBIA 13 | SOT 23 |
AH | BCX 70 H | SOT 23 | FG | BCV 47 | SOT 23 | S1N | SMBTA 14 | SOT 23 |
AJ | BCX 53-6 | SOT 89 | FM | BFN 24 | SOT 23 | S1P | SMBT2222A | SOT 23 |
AJ | BCX 70 J | SOT 23 | FJ | BFN 26 | SOT 23 | S2A | SMBT 3906 | SOT 23 |
AK | BCX 53-10 | SOT 89 | FK | BFN 25 | SOT 23 | S2B | SMBT 2907 | SOT 23 |
AK | BCX 70 K | SOT 23 | FL | BFN 27 | SOT 23 | S2D | SMBTA 92 | SOT 23 |
AL | BCX 53-16 | SOT 89 | GA | BAW 78 A | SOT 89 | S2E | SMBTA 93 | SOT 23 |
AM | BCX 52-16 | SOT 89 | GB | BAW 78 B | SOT 89 | S2F | SMBT2907A | SOT 23 |
AM | BSS 64 | SOT 23 | GC | BAW 78 C | SOT 89 | S2G | SMBTA 56 | SOT 23 |
AN | BCW 60 PN | SOT 23 | GD | BAW 78 D | SOT 89 | S2H | SMBTA 55 | SOT 23 |
BA | BCW 61 A | SOT 23 | GE | BAW 79 A | SOT 89 | S2 |
Полупроводниковые приборы в корпусе кт-47 (sot-89)
Тип прибора | Цветовая маркировка | Структ. п/п | Аналог (прибл) | Краткие параметры |
---|---|---|---|---|
BC868 | САС | Si-N | BC368, BD329 | Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2 |
ВС869 | СЕС | Si-P | BC369, BD330 | Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz |
BCV61 | D91 | Si-N | Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz | |
BCV62 | С91 | Si-P | – | Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz |
ВСХ51 | АА | Si-P | BC636, BD136 | Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz |
ВСХ52 | АЕ | Si-P | BC638, BD138 | Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz |
ВСХ53 | АH | Si-P | BC640, BD140 | Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz |
ВСХ54 | BА | Si-P | BC635, BD135 | Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz |
ВСХ55 | BE | Si-N | BC637, BD137 | Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz |
ВСХ56 | ВН | Si-N | BC639, BD139 | Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz |
ВСХ68 | СА | Si-N | BC368, BD329 | Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz |
ВСХ69 | СЕ | Si-P | BC369, BD300 | Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz |
BF620 | ОС | Si-N | BF420, BF471, BF871 | Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz |
BF621 | DF | Si-P | BF421, BF472, BF872 | Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz |
BF622 | DA | Si-N | BF422, BF469, BF869 | Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz |
BF623 | DB | Si-P | BF423, BF470, BF870 | Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz |
BFQ17 | FA | Si-N | BFW16A | Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz |
BFQ18A | FF | Si-N | BFQ34, BFQ64 | Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz |
BFQ19 | FB | Si-N | BFR96, 2SC3268 | Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz |
BFQ67 | V2 | Si-N | BFQ65 | Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra |
BSR30 | BR1 | Si-P | 2N4030 | Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40 |
BSR31 | BR2 | Si-P | 2N4031 | Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100 |
BSR32 | BR3 | Si-P | 2N4032 | Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40 |
BSR33 | BR4 | Si-P | 2N4033 | Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100 |
BSR40 | AR1 | Si-N | BSX46-6 | Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40 |
BSR41 | AR2 | Si-N | BSX46-16 | Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100 |
BSR42 | AR3 | Si-N | 2N3020 | Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40 |
BSR43 | AR4 | Si-N | 2N3019 | Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100 |
BST15 | BT1 | Si-P | 2N5415 | Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz |
BST16 | BT2 | Si-P | 2N5416 | Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz |
BST39 | AT1 | Si-N | – | Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz |
BST40 | AT2 | Si-N | – | Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz |
BST50 | AS1 | Si-N-Darl | BSR50, BSS50, BDX42 | Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000 |
BST51 | AS2 | Si-N-Darl | BSR51, BSS51, BDX43 | Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000 |
BST52 | AS3 | Si-N-Darl | BSR52, BSS52, BDX44 | Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000 |
BST60 | BS1 | Si-P-Darl | BSR60, BSS60, BDX45 | Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000 |
BST61 | BS2 | Si-P-Darl | BSR61, BSS61, BDX46 | Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000 |
BST62 | BS3 | Si-P-Darl | BSR62, BSS62, BDX47 | Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000 |
BST80 | KM | MOS-N-FET-e | BST70A | V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns |
BST84 | KN | MOS-N-FET-e | BST24A | V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns |
BST86 | KQ | MOS-N-FET-e | BST76A | V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns |
BST120 | LM | MOS-P-FET-e | BST100 | V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns |
BST122 | LN | MOS-P-FET-e | BST110, BS250 | V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns |
BZV49 | см.прим. | Z-Di | BZV85 | Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 – 75V, P= 1W |
ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49… приведена в таблице ниже
Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. |
---|---|---|---|---|---|---|---|
…..C2V4 | Z11 | …..C2V7 | Z12 | …..C3VO | Z13 | …..C3V3 | Z14 |
…..C3V6 | Z15 | …..C3V9 | Z16 | …..C4V3 | Z17 | …..C4V7 | Z1 |
…..C5V1 | Z2 | …..C5V6 | Z3 | …..C6V2 | Z4 | …..C6V8 | Z5 |
…..C7V5 | Z6 | …..C8V2 | Z7 | …..C9V1 | Z8 | …..С10 | Z9 |
…..С11 | Y1 | …..С12 | Y2 | …..С13 | Y3 | …..С15 | Y4 |
…..С16 | Y5 | …..С18 | Y6 | …..С20 | Y7 | …..С22 | Y8 |
…..С24 | Y9 | …..С27 | Y10 | …..С30 | Y11 | …..С33 | Y12 |
…..С36 | Y13 | …..С39 | Y14 | …..С43 | Y15 | …..С47 | Y16 |
…..С51 | Y17 | …..С56 | Y18 | …..С62 | Y19 | …..С68 | Y20 |
…..С75 | Y21 | – |
Принятые сокращения в таблице
C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) – емкостной диод (варикап);MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) – МДП – транзистор с каналом N (P);N-FET- (N-channel field-effect transistors) – полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di- (PIN -diode) – диод;P-FET- (P- channel field-effect transistors) – полевой транзистор с Р-каналом;S- (Sensor devices) – сенсорная схема;Si-Di- (Silicon diode) – кремниевый диод; Si-N- (Silicon NPN transistor)
– кремниевый NPN (обратный) транзистор;Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) – кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-P- (Silicon PNP transistor) – кремниевый PNP (прямой) транзистор;Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)
– кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) – стабилизирующий диод (стабилитрон);Т- (Tuner Diodes) – переключающий диод;Tetrode- (P- N-gate thyristor) – транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf- (Voltage reference diodes) – высокостабильный опорный диод;Vrg- (Voltage requlator diodes) – регулируемый опорный диод;AM- (RF application) – амплитудная модуляция;Band-S- (RF band switching) – ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper- (Chopper) – прерыватель;Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) – сдвоенный транзистор (диод);FED- (Field effect diode) – диод, управляющий напряжением;FM- (RF application) – частотная модуляция;
HF- (RF application [general]) – высокочастотный диапазон;LED- (Light-emitting diode) – светодиод;M- (Mixer stages) – смесительный;Min- (Miniaturized) – миниатюрный;NF- (AF applications) – низкочастотный (звуковой) диапазон;
О- (Oscillator stages) – генераторная схема;ln- (Low noise) – малошумящий;S- (Switching stages) – ключевой;SS- (Fast switching stages) – быстродействующий ключ;sym- (SyMinetrical types) – симметричный;
Tr- (Driver stages) – мощной устройство (мощный управляющий ключ);tuning(RF tuning diode) – переключающий диод для схем переключения диапазона;Tunnel-Di- (Tunnel diode) – тунельный диод;UHF- (RF applications [>250MHz]) – ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni- (General purpose tyres) – универсальный (массового применения);V- (Pre/input stages) – предварительный (для входных цепей);VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) – высокочастотный (УКВ) диапазон;Vid- (Video output stages) – видеочастотный (для цепей видеочастоты);
Тип прибора | маркировка | структ. код п/п | аналог (прибл.) | Краткие параметры | |
---|---|---|---|---|---|
Типов. | Рев. | ||||
ВА316 | А6 | Si-Di | BAW62, 1N4148 | Min, S, 85V, 0.1A, <6ns | |
BAS17 | А91 | Si-St | ВА314 | Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA | |
ВА319 | А8 | Si-Di | BAV19 | Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms | |
BAS20 | А81 | Si-Di | BAV20 | Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms | |
BAS21 | А82 | Si-Di | BAV21 | Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms | |
BAS29 | L20 | Si-Di | BAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
BAS31 | L21 | Si-Di | 2XBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
BAS35 | L22 | Si-Di | 2xBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
ВАТ17 | A3 | Pin-Di | BA480 | VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz | |
ВАТ18 | А2 | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz | |
BAV70 | А4 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
BAV99 | А7 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
BAW56 | А1 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns | |
BBY31 | 81 | C-Di | BB405, BB609 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 – 2.8pF | |
BBY40 | S2 | C-Di | BB809 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF | |
ВС807-16 | 5A | 5AR | Si-P | BC327-16 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
ВС807-25 | 5В | 5BR | Si-P | BC327-25 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
ВС807-40 | 5С | 5CR | Si-P | BC327-40 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
ВС808-16 | 5Е | 5ER | Si-P | BC328-16 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
ВС808-25 | 5F | 5FR | Si-P | BC328-25 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
BC808-40 | 5G | 5GR | Si-P | BC328-40 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
BC817-16 | 6A | 6AR | Si-N | BC337-16 | Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250 |
BC846B | 1В | 1BR | Si-N | BC546B | Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz |
BC847A | 1E | 1ER | Si-N | BC547A, BC107A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
BC847B | 1F | 1FR | Si-N | BC547B, BC107B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC847C | 1G | 1GR | Si-N | BC547C, BC107C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC848A | U | 1JR | Si-N | BC548A, BC108A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
BC848B | 1K | 1KR | Si-N | BC548B, BC108B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC848C | 1L | 1LR | Si-N | BC548C, BC108C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC849B | 2В | 2BR | Si-N | BC549B, ВС108В | Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC849C | 2С | 2CR | Si-N | BC549C, BC109C | Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC850B | 2F | 2PR | Si-N | BC550B, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC850C | 2G | 2GR | Si-N | BC550C, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC856A | ЗА | 3AR | Si-P | BC556A | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
BC856B | 3В | 3BR | Si-P | BC556B | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
BC857A | ЗЕ | 3ER | Si-P | BC557A, BC177A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
BC857B | 3F | 3FR | Si-P | BC557B, BC177B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС857С | 3G | 3GR | Si-P | BC557C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
ВС858А | 3J | 3JR | Si-P | BC558A, BC178A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250 |
ВС858В | ЗК | 3KR | Si-P | BC558B, BC178B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475 |
ВС858С | 3L | 3LR | Si-P | BC558C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800 |
ВС859А | 4А | 4AR | Si-P | BC559A, BC179A, BCY78 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
ВС859В | 4В | 4BR | Si-P | BC559B, BCY79 | Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС859С | 4С | 4CR | Si-P | BC559C, BCY79 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
ВС860А | 4Е | 4ER | Si-P | BC560A, BCY79 | 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
ВС860В | 4F | 4FR | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС860С | 4G | 4GR | Si-P | BC560C, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
BCF29 | С7 | С77 | Si-P | BC559A, BCY78, BC179 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
BCF30 | С8 | С9 | Si-P | BC559B, BCY78 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
BCF32 | 07 | 077 | Si-N | BC549B, BCY58, BC109 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
BCF33 | D8 | D81 | Si-N | BC549C, BCY58 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
BCF70 | Н7 | Н71 | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz, |
BCF81 | К9 | К91 | Si-N | BC550C | Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га |
BCV71 | К7 | К71 | Si-N | BC546A | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220 |
BCV72 | К8 | К81 | Si-N | BC546B | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450 |
BCW29 | С1 | С4 | Si-P | BC178A, BC558A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120 |
BCW30 | С2 | С5 | Si-P | BC178B, BC558B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215 |
BCW31 | D1 | D4 | Si-N | ВС108А,ВС548А | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110 |
BCW32 | 02 | D5 | Si-N | ВС108В, ВС548 | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200 |
BCW33 | D3 | 06 | Si-N | ВС108С, ВС548С | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420 |
BCW60A | АА | Si-N | ВС548А | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220 | |
BCW60B | АВ | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450 | |
BCW60C | АС | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600 | |
BCW60D | AD | Si-N | ВС548С | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800 | |
BCW61A | ВА | Si-P | BC558A | Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220 | |
BCW61B | ВВ | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
BCW61C | ВС | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
BCW61D | BD | Si-P | BC558C | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
BCW69 | Н1 | Н4 | Si-P | ВС557А | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
BCW70 | Н2 | Н5 | Si-P | ВС557В | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215 |
BCW71 | К1 | К4 | Si-N | ВС547А | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110 |
BCW72 | К2 | К5 | Si-N | ВС 547В | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200 |
BCW81 | КЗ | К31 | Si-N | ВС547С | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420 |
BCW89 | НЗ | Н31 | Si-P | ВС556А | Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
BCX17 | Т1 | Т4 | Si-P | ВС327 | Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz |
BCX18 | Т2 | Т5 | Si-P | ВС328 | Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz |
BCX19 | U1 | U4 | Si-N | BC337 | Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz |
BCX20 | U2 | U5 | Si-N | ВС 33 8 | Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz |
BCX70G | AG | Si-N | BC107A, BC547A | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220 | |
BCX70H | AH | Si-N | ВС 107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
BCX70J | AJ | Si-N | ВС107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
BCX70K | AK | Si-N | ВС107С, BC547C | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
BCX71G | BG | Si-P | ВС177А, BC557A | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250 | |
BCX71H | BH | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475 | |
BCX71J | BJ | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650 | |
BCX71K | BK | Si-P | ВС557С | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800 | |
BF510 | S6 | N-FET | BF410A | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V | |
BF511 | S7 | N-FET | BF410B | Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V | |
BF512 | S8 | N-FET | BF410C | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V | |
BF513 | S9 | N-FET | BF410D | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V | |
BF536 | G3 | SI-P | BF936 | Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz | |
BF550 | G2 | G5 | Si-P | BF450 | Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz |
BF569 | G6 | Si-P | BF970 | Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz | |
BF579 | G7 | Si-P | BF979 | Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ | |
BF660 | G8 | G81 | Si-P | BF606A | Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz |
BF767 | G9 | Si-P | BF967 | Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz | |
BF820 | S-N | BF420 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | ||
BF821 | 1W | Si-P | BF421 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | |
BF822 | 1Х | Si-N | BF422 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
BF823 | 1Y | Si-P | BF423 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
BF824 | F8 | Si-P | BF324 | Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz | |
BF840 | F3 | Si-N | BF240 | Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz | |
BF841 | F31 | SI-N | BF241 | Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz | |
BFR30 | М1 | N-FET | BFW-11, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V | |
BFR31 | М2 | N-FET | BFW12, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V | |
BFR53 | N1 | N4 | Si-N | BFW30, BFW93 | Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz |
BFR92 | Р1 | Р4 | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFR92A | Р2 | РЬ | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFR93 | R1 | R4 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
BFR93A | R2 | R5 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
BFS17, (BFS17A) | Е1 (Е2) | Е4 (F5) | Si-N | BFY90, BFW92(A) | Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz |
BFS18 | F1 | F4 | Si-N | BF185, BF495 | Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz |
BFS19 | F2 | F5 | Si-N | BF184, BF494 | Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz |
BFS20 | G1 | G4 | Si-N | BF199 | Min, HF, 30V, 30mA,450MHz |
BFT25 | V1 | V4 | Si-N | BFT24 | Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ |
BFT46 | МЗ | NFT | BFW13, BF245 | Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V | |
BFT92 | W1 | W4 | Si-P “ | BFQ51, BFQ52 | Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFT93 | Х1 | Х4 | Si-P | BFQ23, BFQ24 | Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz |
BRY61 | А5 | BYT | BRY56 | 70V | |
BRY62 | А51 | Tetrode | BRY56, BRY39 | Tetrode, Min, 70V, 0.175A | |
BSR12 | B5 | В8 | Si-P | 2N2894A | Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns |
BSR13 | U7 | U71 | Si-N | 2N2222, PH2222 | Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns |
BSR14 | U8 | U81 | Si-N | 2N2222A, PH2222A | Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns |
BSR15 | T7 | T71 | Si-P | 2N2907, PH2907 | Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns |
BSR16 | T8 | T81 | Si-P | 2N2907A, PH2907A | Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns |
BSR17 | U9 | U91 | Si-N | 2N3903 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150 |
BSR17A | U92 | U93 | Si-N | 2N3904 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300 |
BSR18 | T9 | T91 | Si-P | 2N3905 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz |
BSR18A | T92 | T93 | Si-P | 2N3906 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz |
BSR19 | U35 | Si-N | 2N5550 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
BSR19A | U36 | Si-N | 2N5551 | Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz | |
BSR20 | T35 | Si-P | 2N5400 | Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz | |
BSR20A | T36 | Si-P | 2N5401 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
BSR56 | M4 | N-FET | 2N4856 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V | |
BSR57 | M5 | N-FET | 2N4857 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V | |
BSR58 | M6 | N-FET | 2N4858 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V | |
BSS63 | T3 | T6 | Si-P | BSS68 | Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz |
BSS64 | U3 | U6 | Si-N | BSS38 | Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz |
BSV52 | B2 | B3 | Si-N | PH2369, BSX20 | Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns |
BZX84-… | см.пр им. | Si-St | BZX79 | Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W | |
PBMF4391 | M62 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V | |
PBMF4392 | M63 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V | |
PBMF4393 | M64 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V |
ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84… приведена в таблице ниже
Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. |
---|---|---|---|---|---|---|---|
…..C2V4 | Z11 | …..C2V7 | Z12 | …..C3VO | Z13 | …..C3V3 | Z14 |
…..C3V6 | Z15 | …..C3V9 | Z16 | …..C4V3 | Z17 | …..C4V7 | Z1 |
…..C5V1 | Z2 | …..C5V6 | Z3 | …..C6V2 | Z4 | …..C6V8 | Z5 |
…..C7V5 | Z6 | …..C8V2 | Z7 | …..C9V1 | Z8 | …..С10 | Z9 |
…..С11 | Y1 | …..С12 | Y2 | …..С13 | Y3 | …..С15 | Y4 |
…..С16 | Y5 | …..С18 | Y6 | …..С20 | Y7 | …..С22 | Y8 |
…..С24 | Y9 | …..С27 | Y10 | …..С30 | Y11 | …..С33 | Y12 |
…..С36 | Y13 | …..С39 | Y14 | …..С43 | Y15 | …..С47 | Y16 |
…..С51 | Y17 | …..С56 | Y18 | …..С62 | Y19 | …..С68 | Y20 |
…..С75 | Y21 | – |