Маркировка SMD резисторов – как прочитать номинал SMD резистора

Radiobox – таблица маркировок smd транзисторов и диодов

   
 ТАБЛИЦА МАРКИРОВОК SMD ТРАНЗИСТОРОВ И ДИОДОВ 
 
 
НазваниеКорпусМаркировка
1SMA150ZSMA150A
1SMA180ZSMA180A
1SMA200ZSMA200A
1SMA4742SMA742A
1SMA4744SMA744A
1SMA4746SMA746A
1SMA4752SMA752A
1SMA4761SMA761A
1SMA4762SMA762A
1SMA4764SMA764A
1SMA5926SMA926A
1SMA5927SMA927A
1SMA5928SMA928A
1SMA5929SMA929A
1SMA5930SMA930A
1SMA5931SMA931A
1SMA5932SMA932A
1SMA5933SMA933A
1SMA5934SMA934A
1SMA5935SMA935A
1SMA5936SMA936A
1SMA5937SMA937A
1SMA5938SMA938A
1SMA5939SMA939A
1SMA5940SMA940A
1SMA5941SMA941A
1SMA5942SMA942A
1SMA5943SMA943A
1SMA5944SMA944A
1SMA5945SMA945A
1,5SMC15(C)ASMCDXJ
1,5SMC18(C)ASMCEEJ
1,5SMC200(C)ASMCGTJ
1,5SMC27(C)ASMCEPJ
1,5SMC30(C)ASMCERJ
1,5SMC33(C)ASMCETJ
1,5SMC36(C)ASMCEVJ
1,5SMC39(C)ASMCEXJ
1,5SMC6,8(C)ASMCDEJ
BAS16SOT23A6
BAS17SOT23A91
BAS19SOT23JP
BAS20SOT23JR
BAS21SOT23JS
BAS28SOT143JT
BAS29SOT23L20
BAS31SOT23L21
BAS35SOT23L22
BAS56SOT143L51
BAT17SOT23A3
BAT18SOT23A2
BAT54SOT23L4
BAT54ASOT23L42
BAT54CSOT23L43
BAT54SSOT23L44
BAT74SOT143L41
BAS216SOD110A6
BAS221SOD110JS
BAV23SOT143L30
BAV70SOT23A4
BAV74 JA
BAV99SOT23A74
BAW56SOT23A1
BB804SOD80SF
BBY31SOT23S1
BBY39SOT23S12
BBY40SOT23S2
BBY42 S13
BBY62SOT143S4
BC807SOT235D
BC807-16SOT235A
BC807-25SOT235B
BC807-40SOT235C
BC817-16SOT236A
BC817-25SOT236B
BC817-40SOT236C
BC818SOT236H
BC818-16SOT236E
BC818-40SOT236F
BC846SOT231D
BC846ASOT231A
BC846BSOT231B
BC847SOT231H
BC847ASOT231E
BC847BSOT231F
BC847CSOT231G
BC848SOT231M
BC848ASOT231J
BC848BSOT231K
BC848CSOT231L
BC849SOT232D
BC849BSOT232B
BC849CSOT232C
BC850SOT232H
BC850BSOT232F
BC850CSOT232G
BC856SOT233D
BC856ASOT233A
BC856BSOT233B
BC857SOT233H
BC857ASOT233E
BC857BSOT233F
BC857CSOT233G
BC858SOT233M
BC858ASOT233J
BC858BSOT233K
BC858CSOT233L
BC859SOT234D
BC859ASOT234A
BC859BSOT234B
BC859CSOT234C
BC860SOT234H
BC860ASOT234E
BC860BSOT234F
BC860CSOT234G
BC868SOT23CAC
BC868-10SOT23CBC
BC868-16SOT23CCC
BC868-25SOT23CDC
BC869SOT89CEC
BC869-10SOT89CGC
BCF29SOT23C7
BCF30SOT23C8
BCF32SOT23D7
BCF33SOT23D8
BCF70SOT23H7
BCF81SOT23K9
BCP53-10SOT223AH-10
BCP53-16SOT223AH-16
BCP56-10SOT223AH-10
BCP56-16SOT223AH-16
BCR108SOT23WH
BCR108WSOT323WH
BCR112SOT23WF
BCR133SOT23WC
BCR133WSOT323WC
BCR135SOT23WJ
BCR141SOT23WD
BCR141WSOT323WD
BCR142SOT23WZ
BCR148WSOT323WE
BCR158SOT23WI
BCR169SOT23WS
BCR169WSOT323WS
BCR185SOT23WN
BCR191SOT23WO
BCR198WSOT323WR
BCR512SOT23XF
BCR533SOT23XC
BCR562SOT23XU
BCV26SOT23FD
BCV27SOT23FF
BCV46SOT23FE
BCV47SOT23FG
BCV61SOT1431M
BCV61ASOT1431J
BCV61ASOT143D92
BCV61BSOT1431K
BCV61BSOT143D93
BCV61CSOT1431L
BCV61CSOT143D94
BCV62SOT143C91
BCV62ASOT143C92
 

Smd резисторы – виды, параметры и характеристики

Резистор – это элемент, обладающий каким-либо сопротивлением, применяется в электронике и электротехнике для ограничения тока или получения необходимых напряжений (например, использование резистивного делителя). SMD-резисторы – это резисторы для поверхностного монтажа, иначе говоря – монтажа на поверхность печатной платы.

Основные характеристики для резисторов – это номинальное сопротивление, измеряется в Омах и зависит от толщины, длины и материалов резистивного слоя, а также рассеиваемая мощность.

Электронные компоненты для поверхностного монтажа отличаются малыми габаритами за счет того, что у них либо отсутствуют выводы для подключения в классическом понимании. У элементов для объемного монтажа есть длинные выводы.

SMD резисторы

Ранее при сборке РЭА ими соединяли компоненты цепи между собой (навесной монтаж) или продевали их через печатную плату в соответствующие отверстия. Конструктивно выводы или контакты у них выполнены в вид металлизированных площадок на корпусе элементов. В случае же микросхем и транзисторов поверхностного монтажа у элементов присутствуют короткие жесткие «ножки».

Одной из основных характеристик SMD-резисторов является и типоразмер. Это величина длины и ширины корпуса, по этим параметрам подбирают элементы, соответствующие разводке платы. Обычно размеры в документации пишутся сокращенно четырёхзначным числом, где первые две цифры указывают длину элемента в мм, а вторая пара символов – ширину в мм. Однако, фактически, размеры могут отличаться от маркировки в зависимости от типов и серии элементов.

Типовые размеры SMD-резисторов и их параметры

Типовые размеры SMD-резисторов

 Рисунок 1 – обозначения для расшифровки типоразмеров.

1. SMD-резисторы 0201:

L=0.6 мм; W=0.3 мм; H=0.23 мм; L1=0.13 м.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,05 Вт

  • Рабочее напряжение: 15 В

  • Максимально допустимое напряжение: 50 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

2. SMD-резисторы 0402:

L=1.0 мм; W=0.5 мм; H=0.35 мм; L1=0.25 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,062 Вт

  • Рабочее напряжение: 50 В

  • Максимально допустимое напряжение: 100 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

3. SMD-резисторы 0603:

L=1.6 мм; W=0.8 мм; H=0.45 мм; L1=0.3 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,1 Вт

  • Рабочее напряжение: 50 В

  • Максимально допустимое напряжение: 100 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

4. SMD-резисторы 0805:

L=2.0 мм; W=1.2 мм; H=0.4 мм; L1=0.4 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,125 Вт

  • Рабочее напряжение: 150 В

  • Максимально допустимое напряжение: 200 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

5. SMD-резисторы 1206:

L=3.2 мм; W=1.6 мм; H=0.5 мм; L1=0.5 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,25 Вт

  • Рабочее напряжение: 200 В

  • Максимально допустимое напряжение: 400 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

6. SMD-резисторы 2021:

L=5.0 мм; W=2.5 мм; H=0.55 мм; L1=0.5 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 0,75 Вт

  • Рабочее напряжение: 200 В

  • Максимально допустимое напряжение: 400 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

7. SMD-резисторы 2512:

L=6.35 мм; W=3.2 мм; H=0.55 мм; L1=0.5 мм.

  • Диапазон номинальных значений: 0 Ом, 1 Ом — 30 МОм

  • Допустимое отклонение от номинала: 1% (F); 5% (J)

  • Номинальная мощность: 1 Вт

  • Рабочее напряжение: 200 В

  • Максимально допустимое напряжение: 400 В

  • Рабочий диапазон температур: –55 — 125 °С

Как вы можете видеть, с увеличением размеров чип-резистора увеличивается и номинальная рассеиваемая мощность в таблице ниже нагляднее приведена эта зависимость, а также геометрические размеры резисторов других типов:

Таблица 1 – Маркировка SMD-резисторов

Маркировка SMD-резисторов

В зависимости от размеров может применяться один из трёх видов маркировки номинала резистора. Выделяют три вида маркировки:

1. С помощью 3-х цифр. При этом первые две обозначают количество ом, а последняя количество нулей. Так маркируют резисторы из ряда Е-24, c отклонением от номинала (допуском) в 1 или 5%. Типоразмер резисторов с такой маркировкой – 0603, 0805 и 1206. Пример такой маркировки: 101 = 100 = 100 Ом

Изображение SMD-резистора с номиналом в 10 000 Ом, он же 10 кОм

 Рисунок 2 – изображение SMD-резистора с номиналом в 10 000 Ом, он же 10 кОм.

 2. С помощью 4-х символов. В этом случае 3 первых цифры обозначают количество Ом, а последняя – количество нулей. Так описываются резисторы из ряда Е-96 типоразмеров 0805, 1206. Если в маркировке присутствует буква R – она играет роль запятой, отделяющей целые от долей. Таким образом маркировка 4402 расшифровывается как 44 000 Ом или 44 кОм.

Изображение SMD-резистора с номиналом в 44 кОма

 Рисунок 3 – изображение SMD-резистора с номиналом в 44 кОма

3. Маркировка комбинацией из 3 символов – цифр и букв. При этом 2 первых знака – это цифры, обозначают закодированное значение сопротивления в Омах. Третий символ – это множитель. Таким способом маркируются резисторы типоразмера 0603 из ряда сопротивлений Е-96, с допуском 1%. Перевод букв во множитель выполняется по ряду: S=10^-2; R=10^-1; B=10; C=10^2; D=10^3; E=104; F=10^5.

Расшифровка кодов (первых двух символов) ведется по таблице, изображенной ниже.

Таблица 2 – расшифровка кодов маркировки SMD-резисторов

Расшифровка кодов маркировки SMD-резисторовРезистор с трёхсимвольной маркировкой 10С

Рисунок 4 – резистор с трёхсимвольной маркировкой 10С, если воспользоваться таблицей и приведенным рядом множителей, то 10 – это 124 Ома, а С – это множитель 10^2, что равняется 12 400 Ома или 12.4 кОм.

Основные параметры резисторов

У идеального резистора учитывают только его активное сопротивление. В реальности же дело обстоит иначе – у резисторов есть и паразитные индуктивно-емкостные составляющие. Ниже приведен один из вариантов эквивалентной схемы резистора:

Эквивалентная схема резистора

 Рисунок 5 – Эквивалентная схема резистора

Как можно увидеть на схеме присутствуют и емкости (конденсаторы) и индуктивность. Их наличие связано с тем, что у каждого проводника есть определенная индуктивность, а у группы проводников – паразитная ёмкость. У резистора же они связаны с расположением его резистивного слоя и его конструкцией.

Эти параметры в цепях постоянного тока и низкочастотных цепях обычно не учитывают, но они могут внести существенное влияние в высокочастотных радиопередающих схемах и в импульсных блоках питания, где протекают токи частотами в десятки-сотни кГц. В таких цепях любая паразитная составляющая, в плоть до неправильной разводки проводящих дорожек печатной платы, может сделать невозможной её работу.

Итак, индуктивность и емкость – это элементы, которые оказывают влияние на полное сопротивление и фронты токов и напряжений в зависимости от частоты. Наилучшим по частотным характеристикам являют элементы для поверхностного монтажа, благодаря как раз-таки их малым размерам.

На графике изображено отношение полного сопротивления резистора к активному на различных частотах

Рисунок 6 – На графике изображено отношение полного сопротивления резистора к активному на различных частотах

В полное сопротивление входит и активное сопротивление, и реактивные сопротивления паразитной индуктивностио и емкости. На графике можно наблюдать падение полного сопротивления с ростом частоты.

Конструкция резистора

Резисторы поверхностного монтажа дешевы и удобны при конвеерной автоматизированной сборке электронных устройств. Однако, они не так просты, как может показаться.

Внутреннее устройство SMD-резистора

Рисунок 7 – Внутреннее устройство SMD-резистора

Основой резистора является подложка из Al2O3 – окиси алюминия. Это хороший диэлектрик и материал с хорошей теплопроводностью, что не менее важно, так как в процессе работы вся мощность резистора выделяется в тепло.

:/>  Вылетает при загрузке карты :: Counter-Strike: Global Offensive General Discussions

В качестве резистивного слоя используется тонкая металлическая или оксидная пленка, например – хром, двуокись рутения (как изображено на рисунке выше). От материала из которого состоит эта пленка зависят характеристики резисторов. Резистивный слой отдельных резисторов представляет собой пленку толщиной до 10 мкм, из материала с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), что дает высокую температурную стабильность параметров и возможность создать высокопрецизионные элементы, пример такого материала – константан, однако номиналы таких резисторов редко превышают 100 Ом.

Контактные площадки резистора формируются из набора слоев. Внутренний контактный слой выполняют из дорогих материалов вроде серебра или палладия. Промежуточный – из никеля. А внешний – свинцово оловянный. Такая конструкция обусловлена необходимостью обеспечить высокую адгезию (связанность) слоев. От них зависит надежность контактов и шумы.

Для снижения паразитных составляющих приходят к следующим технологическим решении при формировании резистивного слоя:

Форма резистивного слоя

Рисунок 8 – форма резистивного слоя

Монтаж таких элементов происходит в печах, а в радиолюбительских мастерских с помощью паяльного фена, то есть потоком горячего воздуха. Поэтому при их изготовлении уделяется внимание температурной кривой нагрева и охлаждения.

Кривая нагрева и охлаждения при пайке SMD-резисторов

Рисунок 9 – кривая нагрева и охлаждения при пайке SMD-резисторов

Выводы

Использование компонентов поверхностного монтажа положительно сказалось на массогабаритных показателях радиоэлектронной аппаратуры, а также на частотных характеристиках элемента. Современная промышленность выпускает большую часть распространенных элементов в SMD-исполнении. В том числе: резисторы, конденсаторы, диоды, светодиоды, транзисторы, тиристоры, интегральные микросхемы.

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Полупроводниковые приборы в корпусе кд-80 (sod-80)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
ВА682красная полосаPin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
ВА683красная оранжеваяPin-DiBA483VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32черн. полосаSi-Di1N4148Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100зелен. черн.Si-DiBAV18S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101зелен. коричнSi-DiBAY 19S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102зелен. красн.Si-DiBAV20S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103зелен. оранж.Si-DiBAV21S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
ВВ215белая зелен.C-DiBB405BUHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
ВВ219белаяC-DiBB909Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Полупроводниковые приборы в корпусе кт-47 (sot-89)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
BC868САСSi-NBC368, BD329Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
ВС869СЕСSi-PBC369, BD330Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61D91Si-N Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62С91Si-PMin, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
ВСХ51ААSi-PBC636, BD136Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ52АЕSi-PBC638, BD138Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ53АHSi-PBC640, BD140Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ54Si-PBC635, BD135Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ55BESi-NBC637, BD137Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ56ВНSi-NBC639, BD139Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ68САSi-NBC368, BD329Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
ВСХ69СЕSi-PBC369, BD300Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BF620ОСSi-NBF420, BF471, BF871Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF621DFSi-PBF421, BF472, BF872Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF622DASi-NBF422, BF469, BF869Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BF623DBSi-PBF423, BF470, BF870Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17FASi-NBFW16AMin, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18AFFSi-NBFQ34, BFQ64Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19FBSi-NBFR96, 2SC3268Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67V2Si-NBFQ65Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30BR1Si-P2N4030Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31BR2Si-P2N4031Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32BR3Si-P2N4032Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33BR4Si-P2N4033Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40AR1Si-NBSX46-6Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41AR2Si-NBSX46-16Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42AR3Si-N2N3020Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43AR4Si-N2N3019Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
BST15BT1Si-P2N5415Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16BT2Si-P2N5416Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39AT1Si-NMin, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40AT2Si-NMin, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50AS1Si-N-DarlBSR50, BSS50, BDX42Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51AS2Si-N-DarlBSR51, BSS51, BDX43Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST52AS3Si-N-DarlBSR52, BSS52, BDX44Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST60BS1Si-P-DarlBSR60, BSS60, BDX45Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
BST61BS2Si-P-DarlBSR61, BSS61, BDX46Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST62BS3Si-P-DarlBSR62, BSS62, BDX47Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST80KMMOS-N-FET-eBST70AV-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
BST84KNMOS-N-FET-eBST24AV-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST86KQMOS-N-FET-eBST76AV-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST120LMMOS-P-FET-eBST100V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BST122LNMOS-P-FET-eBST110, BS250V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BZV49см.прим.Z-DiBZV85Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 – 75V, P= 1W

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49… приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

…..C2V4Z11…..C2V7Z12…..C3VOZ13…..C3V3Z14
…..C3V6Z15…..C3V9Z16…..C4V3Z17…..C4V7Z1
…..C5V1Z2…..C5V6Z3…..C6V2Z4…..C6V8Z5
…..C7V5Z6…..C8V2Z7…..C9V1Z8…..С10Z9
…..С11Y1…..С12Y2…..С13Y3…..С15Y4
…..С16Y5…..С18Y6…..С20Y7…..С22Y8
…..С24Y9…..С27Y10…..С30Y11…..С33Y12
…..С36Y13…..С39Y14…..С43Y15…..С47Y16
…..С51Y17…..С56Y18…..С62Y19…..С68Y20
…..С75Y21

Принятые сокращения в таблице

C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) – емкостной диод (варикап);MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) – МДП – транзистор с каналом N (P);N-FET- (N-channel field-effect transistors) – полевой транзистор с N-каналом;

PIN-Di- (PIN -diode) – диод;P-FET- (P- channel field-effect transistors) – полевой транзистор с Р-каналом;S- (Sensor devices) – сенсорная схема;Si-Di- (Silicon diode) – кремниевый диод;                                 Si-N- (Silicon NPN transistor)

– кремниевый NPN (обратный) транзистор;Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) – кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-P- (Silicon PNP transistor) – кремниевый PNP (прямой) транзистор;Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)

– кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) – стабилизирующий диод (стабилитрон);Т- (Tuner Diodes) – переключающий диод;Tetrode- (P- N-gate thyristor) – транзистор с четырехслойной структурой;

:/>  Как убрать стрелки с ярлыков в WIndows XP, 7 и 8

Vrf- (Voltage reference diodes) – высокостабильный опорный диод;Vrg- (Voltage requlator diodes) – регулируемый опорный диод;AM- (RF application) – амплитудная модуляция;Band-S- (RF band switching) – ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);

Chopper- (Chopper) – прерыватель;Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) – сдвоенный транзистор (диод);FED- (Field effect diode) – диод, управляющий напряжением;FM- (RF application) – частотная модуляция;

HF- (RF application [general]) – высокочастотный диапазон;LED- (Light-emitting diode) – светодиод;M- (Mixer stages) – смесительный;Min- (Miniaturized) – миниатюрный;NF- (AF applications) – низкочастотный (звуковой) диапазон;

О- (Oscillator stages) – генераторная схема;ln- (Low noise) – малошумящий;S- (Switching stages) – ключевой;SS- (Fast switching stages) – быстродействующий ключ;sym- (SyMinetrical types) – симметричный;

Tr- (Driver stages) – мощной устройство (мощный управляющий ключ);tuning(RF tuning diode) – переключающий диод для схем переключения диапазона;Tunnel-Di- (Tunnel diode) – тунельный диод;UHF- (RF applications [>250MHz]) – ультрокороткий (СВЧ) диапазон;

Uni- (General purpose tyres) – универсальный (массового применения);V- (Pre/input stages) – предварительный (для входных цепей);VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) – высокочастотный (УКВ) диапазон;Vid- (Video output stages) – видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316А6 Si-DiBAW62, 1N4148Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17А91 Si-StВА314Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319А8 Si-DiBAV19Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20А81 Si-DiBAV20Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21А82 Si-DiBAV21Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29L20 Si-DiBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31L21 Si-Di2XBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35L22 Si-Di2xBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17A3 Pin-DiBA480VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18А2 Pin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70А4 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99А7 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56А1 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY3181 C-DiBB405, BB609UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 – 2.8pF
BBY40S2 C-DiBB809UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-165A5ARSi-PBC327-16Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-255BRSi-PBC327-25Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-405CRSi-PBC327-40Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-165ERSi-PBC328-16Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-255F5FRSi-PBC328-25Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-405G5GRSi-PBC328-40Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-166A6ARSi-NBC337-16Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B1BRSi-NBC546BMin, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A1E1ERSi-NBC547A, BC107AMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B1F1FRSi-NBC547B, BC107BMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C1G1GRSi-NBC547C, BC107CMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848AU1JRSi-NBC548A, BC108AMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B1K1KRSi-NBC548B, BC108BMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C1L1LRSi-NBC548C, BC108CMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B2BRSi-NBC549B, ВС108ВMin, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C2CRSi-NBC549C, BC109CMin, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B2F2PRSi-NBC550B, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C2G2GRSi-NBC550C, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856AЗА3ARSi-PBC556AMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B3BRSi-PBC556BMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857AЗЕ3ERSi-PBC557A, BC177AMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B3F3FRSi-PBC557B, BC177BMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С3G3GRSi-PBC557CMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А3J3JRSi-PBC558A, BC178AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858ВЗК3KRSi-PBC558B, BC178BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С3L3LRSi-PBC558CMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А4ARSi-PBC559A, BC179A, BCY78Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В4BRSi-PBC559B, BCY79Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С4CRSi-PBC559C, BCY79Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А4ERSi-PBC560A, BCY7945V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В4F4FRSi-PBC560B, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С4G4GRSi-PBC560C, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29С7С77Si-PBC559A, BCY78, BC179Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30С8С9Si-PBC559B, BCY78Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF3207077Si-NBC549B, BCY58, BC109Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33D8D81Si-NBC549C, BCY58Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70Н7Н71Si-PBC560B, BCY79Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81К9К91Si-NBC550CMin, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71К7К71Si-NBC546ANF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72К8К81Si-NBC546BNF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29С1С4Si-PBC178A, BC558AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30С2С5Si-PBC178B, BC558BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31D1D4Si-NВС108А,ВС548АMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW3202D5Si-NВС108В, ВС548Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33D306Si-NВС108С, ВС548СMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60AАА Si-NВС548АMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60BАВ Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60CАС Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60DAD Si-NВС548СMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61AВА Si-PBC558AMin, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61BВВ Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61CВС Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61DBD Si-PBC558CMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69Н1Н4Si-PВС557АMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70Н2Н5Si-PВС557ВMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71К1К4Si-NВС547АMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72К2К5Si-NВС 547ВMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81КЗК31Si-NВС547СMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89НЗН31Si-PВС556АMin, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17Т1Т4Si-PВС327Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18Т2Т5Si-PВС328Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19U1U4Si-NBC337Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20U2U5Si-NВС 33 8Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70GAG Si-NBC107A, BC547AMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70HAH Si-NВС 107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70JAJ Si-NВС107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70KAK Si-NВС107С, BC547CMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71GBG Si-PВС177А, BC557AMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71HBH Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71JBJ Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71KBK Si-PВС557СMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510S6 N-FETBF410AMin, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511S7 N-FETBF410BMin, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512S8 N-FETBF410CMin, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513S9 N-FETBF410DMin, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536G3 SI-PBF936Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550G2G5Si-PBF450Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569G6 Si-PBF970Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579G7 Si-PBF979Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660G8G81Si-PBF606AMin, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767G9 Si-PBF967Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820  S-NBF420Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF8211W Si-PBF421Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822 Si-NBF422Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF8231Y Si-PBF423Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824F8 Si-PBF324Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840F3 Si-NBF240Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841F31 SI-NBF241Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30М1 N-FETBFW-11, BF245Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31М2 N-FETBFW12, BF245Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53N1N4Si-NBFW30, BFW93Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92Р1Р4Si-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92AР2РЬSi-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93R1R4Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93AR2R5Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)Е1 (Е2)Е4 (F5)Si-NBFY90, BFW92(A)Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18F1F4Si-NBF185, BF495Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19F2F5Si-NBF184, BF494Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20G1G4Si-NBF199Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25V1V4Si-NBFT24Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46МЗ NFTBFW13, BF245Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92W1W4Si-P “BFQ51, BFQ52Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93Х1Х4Si-PBFQ23, BFQ24Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61А5 BYTBRY5670V
BRY62А51 TetrodeBRY56, BRY39Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12B5В8Si-P2N2894AMin, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13U7U71Si-N2N2222, PH2222Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14U8U81Si-N2N2222A, PH2222AMin, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15T7T71Si-P2N2907, PH2907Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16T8T81Si-P2N2907A, PH2907AMin, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17U9U91Si-N2N3903Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17AU92U93Si-N2N3904Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18T9T91Si-P2N3905Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18AT92T93Si-P2N3906Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19U35 Si-N2N5550Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19AU36 Si-N2N5551Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20T35 Si-P2N5400Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20AT36 Si-P2N5401Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56M4 N-FET2N4856Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57M5 N-FET2N4857Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58M6 N-FET2N4858Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63T3T6Si-PBSS68Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64U3U6Si-NBSS38Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52B2B3Si-NPH2369, BSX20Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-…см.пр им. Si-StBZX79Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391M62 N-FETMin, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392M63 N-FETMin, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393M64 N-FETMin, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V
:/>  Ускорение печати из терминальной сессии Windows Server или доработка EasyPrint напильником / Хабр

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84… приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

…..C2V4Z11…..C2V7Z12…..C3VOZ13…..C3V3Z14
…..C3V6Z15…..C3V9Z16…..C4V3Z17…..C4V7Z1
…..C5V1Z2…..C5V6Z3…..C6V2Z4…..C6V8Z5
…..C7V5Z6…..C8V2Z7…..C9V1Z8…..С10Z9
…..С11Y1…..С12Y2…..С13Y3…..С15Y4
…..С16Y5…..С18Y6…..С20Y7…..С22Y8
…..С24Y9…..С27Y10…..С30Y11…..С33Y12
…..С36Y13…..С39Y14…..С43Y15…..С47Y16
…..С51Y17…..С56Y18…..С62Y19…..С68Y20
…..С75Y21

Таблица кодов транзисторов smd

Обозначение на корпусе

Тип транзистора

“15” на корпусе SOT-23

MMBT3960 (Datasheet “Motorola”)

“1A” на корпусе SOT-23

BC846A (Datasheet “Taitron”)

“1B” на корпусе SOT-23

BC846B (Datasheet “Taitron”)

“1C” на корпусе SOT-23

MMBTA20LT (Datasheet “Motorola”)

“1D” на корпусе SOT-23

BC846 (Datasheet “NXP”)

“1E” на корпусе SOT-23

BC847A (Datasheet “Taitron”)

“1F” на корпусе SOT-23

BC847B (Datasheet “Taitron”)

“1G” на корпусе SOT-23

BC847C (Datasheet “Taitron”)

“1H” на корпусе SOT-23

BC847 (Datasheet “NXP”)

“1N” на корпусе SOT-416

BC847T (Datasheet “NXP”)

“1J” на корпусе SOT-23

BC848A (Datasheet “Taitron”)

“1K” на корпусе SOT-23

BC848B (Datasheet “Taitron”)

“1L” на корпусе SOT-23

BC848C (Datasheet “Taitron”)

“1M” на корпусе SOT-416

BC846T (Datasheet “NXP”)

“1M” на корпусе SOT-323

BC848W (Datasheet “NXP”)

“1M” на корпусе SOT-23

MMBTA13 (Datasheet “Motorola”)

“1N” на корпусе SOT-23

MMBTA414 (Datasheet “Motorola”)

“1V” на корпусе SOT-23

MMBT6427 (Datasheet “Motorola”)

“1P” на корпусе SOT-23

FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.

“1T” на корпусе SOT-23

MMBT3960A (Datasheet “Motorola”)

“1Y” на корпусе SOT-23

MMBT3903 (Datasheet “Samsung”)

“2A” на корпусе SOT-23

FMMBT3906,KST3906,MMBT3906

“2B” на корпусе SOT-23

BC849B (Datasheet “G.S.”)

“2C” на корпусе SOT-23

BC849C (Datasheet “G.S.”)

“2E” на корпусе SOT-23

FMMTA93, KST93

“2F” на корпусе SOT-23

FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT

“2G” на корпусе SOT-23

FMMTA56,KST56

“2H” на корпусе SOT-23

MMBTA55(Datasheet “Taitron”)

“2J” на корпусе SOT-23

MMBT3640(Datasheet “Fairchild”)

“2K” на корпусе SOT-23

FMMT4402(Datasheet “Zetex”)

“2M” на корпусе SOT-23

MMBT404(Datasheet “Motorola”)

“2N” на корпусе SOT-23

MMBT404A(Datasheet “Motorola”)

“2T” на корпусе SOT-23

KST4403,MMBT4403

“2V” на корпусе SOT-23

MMBTA64(Datasheet “Motorola”)

“2U” на корпусе SOT-23

MMBTA63(Datasheet “Motorola”)

“2X” на корпусе SOT-23

MMBT4401,KST4401

“3A” на корпусе SOT-23

MMBTH24(Datasheet “Motorola”)

“3B” на корпусе SOT-23

MMBT918(Datasheet “Motorola”)

“3D” на корпусе SOT-23

MMBTH81(Datasheet “Motorola”)

“3E” на корпусе SOT-23

MMBTH10(Datasheet “Motorola”)

“3F” на корпусе SOT-23

MMBT6543(Datasheet “Motorola”)

“3J-” на корпусе SOT-143B

BCV62A(Datasheet “NXP”)

“3K-” на корпусе SOT-23

BC858B(Datasheet “NXP”)

“3L-” на корпусе SOT-143B

BCV62C(Datasheet “NXP”)

“3S” на корпусе SOT-23

MMBT5551(Datasheet “Fairchild”)

“4As” на корпусе SOT-23

BC859A(Datasheet “Siemens”)

“4Bs” на корпусе SOT-23

BC859B(Datasheet “Siemens”)

“4Cs” на корпусе SOT-23

BC859C(Datasheet “Siemens”)

“4J” на корпусе SOT-23

FMMT38A(Datasheet “Zetex S.”)

“449” на корпусе SOT-23

FMMT449(Datasheet “Diodes Inc.”)

“489” на корпусе SOT-23

FMMT489(Datasheet “Diodes Inc.”)

“491” на корпусе SOT-23

FMMT491(Datasheet “Diodes Inc.”)

“493” на корпусе SOT-23

FMMT493(Datasheet “Diodes Inc.”)

“5A” на корпусе SOT-23

BC807-16(Datasheet “General Sem.”)

“5B” на корпусе SOT-23

BC807-25(Datasheet “General Sem.”)

“5C” на корпусе SOT-23

BC807-40(Datasheet “General Sem.”)

“5E” на корпусе SOT-23

BC808-16(Datasheet “General Sem.”)

“5F” на корпусе SOT-23

BC808-25(Datasheet “General Sem.”)

“5G” на корпусе SOT-23

BC808-40(Datasheet “General Sem.”)

“5J” на корпусе SOT-23

FMMT38B(Datasheet “Zetex S.”)

“549” на корпусе SOT-23

FMMT549(Datasheet “Fairchild”)

“589” на корпусе SOT-23

FMMT589(Datasheet “Fairchild”)

“591” на корпусе SOT-23

FMMT591(Datasheet “Fairchild”)

“593” на корпусе SOT-23

FMMT593(Datasheet “Fairchild”)

“6A-“,”6Ap”,”6At” на корпусе SOT-23

BC817-16(Datasheet “NXP”)

“6B-“,”6Bp”,”6Bt” на корпусе SOT-23

BC817-25(Datasheet “NXP”)

“6C-“,”6Cp”,”6Ct” на корпусе SOT-23

BC817-40(Datasheet “NXP”)

“6E-“,”6Et”,”6Et” на корпусе SOT-23

BC818-16(Datasheet “NXP”)

“6F-“,”6Ft”,”6Ft” на корпусе SOT-23

BC818-25(Datasheet “NXP”)

“6G-“,”6Gt”,”6Gt” на корпусе SOT-23

BC818-40(Datasheet “NXP”)

“7J” на корпусе SOT-23

FMMT38C(Datasheet “Zetex S.”)

“9EA” на корпусе SOT-23

BC860A(Datasheet “Fairchild”)

“9EB” на корпусе SOT-23

BC860B(Datasheet “Fairchild”)

“9EC” на корпусе SOT-23

BC860C(Datasheet “Fairchild”)

“AA” на корпусе SOT-523F

2N7002T(Datasheet “Fairchild”)

“AA” на корпусе SOT-23

BCW60A(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AB” на корпусе SOT-23

BCW60B(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AC” на корпусе SOT-23

BCW60C(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AD” на корпусе SOT-23

BCW60D(Datasheet “Diotec Sem.”)

“AE” на корпусе SOT-89

BCX52(Datasheet “NXP”)

“AG” на корпусе SOT-23

BCX70G(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AH” на корпусе SOT-23

BCX70H(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AJ” на корпусе SOT-23

BCX70J(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AK” на корпусе SOT-23

BCX70K(Datasheet “Central Sem.Corp.”)

“AL” на корпусе SOT-89

BCX53-16(Datasheet “Zetex”)

“AM” на корпусе SOT-89

BCX52-16(Datasheet “Zetex”)

“AS1” на корпусе SOT-89

BST50(Datasheet “Philips”)

“B2” на корпусе SOT-23

BSV52(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BA” на корпусе SOT-23

BCW61A(Datasheet “Fairchild”)

“BA” на корпусе SOT-23

2SA1015LT1(Datasheet “Tip”)

“BA” на корпусе SOT-23

2SA1015(Datasheet “BL Galaxy El.”)

“BB” на корпусе SOT-23

BCW61B(Datasheet “Fairchild”)

“BC” на корпусе SOT-23

BCW61C(Datasheet “Fairchild”)

“BD” на корпусе SOT-23

BCW61D(Datasheet “Fairchild”)

“BE” на корпусе SOT-89

BCX55(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BG” на корпусе SOT-89

BCX55-10(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BH” на корпусе SOT-89

BCX56(Datasheet ” BL Galaxy El.”)

“BJ” на корпусе SOT-23

BCX71J(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BK” на корпусе SOT-23

BCX71K(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BH” на корпусе SOT-23

BCX71H(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BG” на корпусе SOT-23

BCX71G(Datasheet “Diotec Sem.”)

“BR2” на корпусе SOT-89

BSR31(Datasheet “Zetex”)

“C1” на корпусе SOT-23

BCW29(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C2” на корпусе SOT-23

BCW30(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C5” на корпусе SOT-23

MMBA811C5(Datasheet “Samsung Sem.”)

“C6” на корпусе SOT-23

MMBA811C6(Datasheet “Samsung Sem.”)

“C7” на корпусе SOT-23

BCF29(Datasheet “Diotec Sem.”)

“C8” на корпусе SOT-23

BCF30(Datasheet “Diotec Sem.”)

“CEs” на корпусе SOT-23

BSS79B(Datasheet “Siemens”)

“CEC” на корпусе SOT-89

BC869(Datasheet “Philips”)

“CFs” на корпусе SOT-23

BSS79C(Datasheet “Siemens”)

“CHs” на корпусе SOT-23

BSS80B(Datasheet “Infenion”)

“CJs” на корпусе SOT-23

BSS80C(Datasheet “Infenion”)

“CMs” на корпусе SOT-23

BSS82C(Datasheet “Infenion”)

“CLs” на корпусе SOT-23

BSS82B(Datasheet “Infenion”)

“D1” на корпусе SOT-23

BCW31(Datasheet “KEC”)

“D2” на корпусе SOT-23

BCW32(Datasheet “KEC”)

“D3” на корпусе SOT-23

BCW33(Datasheet “KEC”)

D6″ на корпусе SOT-23

MMBC1622D6(Datasheet “Samsung Sem.”)

“D7t”,”D7p” на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet “NXP Sem.”)

“D7” на корпусе SOT-23

BCF32(Datasheet “Diotec Sem.”)

“D8” на корпусе SOT-23

BCF33(Datasheet “Diotec Sem.”)

“DA” на корпусе SOT-23

BCW67A(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DB” на корпусе SOT-23

BCW67B(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DC” на корпусе SOT-23

BCW67C(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DF” на корпусе SOT-23

BCW67F(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DG” на корпусе SOT-23

BCW67G(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“DH” на корпусе SOT-23

BCW67H(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“E2p” на корпусе SOT-23

BFS17A(Datasheet “Philips”)

“EA” на корпусе SOT-23

BCW65A(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EB” на корпусе SOT-23

BCW65B(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EC” на корпусе SOT-23

BCW65C(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EF” на корпусе SOT-23

BCW65F(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EG” на корпусе SOT-23

BCW65G(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“EH” на корпусе SOT-23

BCW65H(Datasheet “Central Sem. Corp.”)

“F1” на корпусе SOT-23

MMBC1009F1(Datasheet “Samsung Sem.”)

“F3” на корпусе SOT-23

MMBC1009F3(Datasheet “Samsung Sem.”)

“FA” на корпусе SOT-89

BFQ17(Datasheet “Philips”)

“FDp”,”FDt”,”FDW” на корпусе SOT-23

BCV26(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FEp”,”FEt”,”FEW” на корпусе SOT-23

BCV46(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FFp”,”FFt”,”FFW” на корпусе SOT-23

BCV27(Datasheet “Philips(NXP)”)

“FGp”,”FGt”,”FGW” на SOT-23

BCV47(Datasheet “Philips(NXP)”)

“GFs” на корпусе SOT-23

BFR92P(Datasheet “Infenion”)

“H1p”,”H1t”,”H1W” на корпусе SOT-23

BCV69(Datasheet “Philips(NXP)”)

“H2p”,”H2t”,”H2W” на корпусе SOT-23

BCV70(Datasheet “Philips(NXP)”)

“H3p”,”H3t” на корпусе SOT-23

BCV89(Datasheet “Philips(NXP)”)

“H7p” на корпусе SOT-23

BCF70

“K1” на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet “Samsung Sem.”)

“K2” на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet “Samsung Sem.”)

“K3p” на корпусе SOT-23

BCW81(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K1p”,”K1t” на корпусе SOT-23

BCW71(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K2p”,”K2t” на корпусе SOT-23

BCW72(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K7p”,”K7t” на корпусе SOT-23

BCV71(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K8p”,”K8t” на корпусе SOT-23

BCV72(Datasheet “Philips(NXP)”)

“K9p” на корпусе SOT-23

BCF81(Datasheet ” Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd”)

“L1” на корпусе SOT-23

BSS65

“L2” на корпусе SOT-23

BSS69(Datasheet “Zetex Sem.”)

“L3” на корпусе SOT-23

BSS70(Datasheet “Zetex Sem.”)

“L4” на корпусе SOT-23

2SC1623L4(Datasheet “BL Galaxy El.”)

“L5” на корпусе SOT-23

BSS65R

“L6” на корпусе SOT-23

BSS69R(Datasheet “Zetex Sem.”)

“L7” на корпусе SOT-23

BSS70R(Datasheet “Zetex Sem.”)

“M3” на корпусе SOT-23

MMBA812M3(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M4” на корпусе SOT-23

MMBA812M4(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M5” на корпусе SOT-23

MMBA812M5(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M6” на корпусе SOT-23

MMBA812M6(Datasheet “Samsung Sem.”)

“M6P” на корпусе SOT-23

BSR58(Datasheet “Philips(NXP)”)

“M7” на корпусе SOT-23

MMBA812M7(Datasheet “Samsung Sem.”)

“P1” на корпусе SOT-23

BFR92(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P2” на корпусе SOT-23

BFR92A(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P4” на корпусе SOT-23

BFR92R(Datasheet “Vishay Telefunken”)

“P5” на корпусе SOT-23

FMMT2369A(Datasheet “Zetex Sem.”)

“Q2” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q2(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q3” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q3(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q4” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q4(Datasheet “Motorola Sc.”)

“Q5” на корпусе SOT-23

MMBC1321Q5(Datasheet “Motorola Sc.”)

“R1p” на корпусе SOT-23

BFR93(Datasheet “Philips(NXP)”)

“R2p” на корпусе SOT-23

BFR93A(Datasheet “Philips(NXP)”)

“s1A” на корпусах SOT-23,SOT-363

SMBT3904(Datasheet “Infineon”)

“s1D” на корпусе SOT-23

SMBTA42(Datasheet “Infineon”)

“S2” на корпусе SOT-23

MMBA813S2(Datasheet “Motorola Sc.”)

“s2A” на корпусе SOT-23

SMBT3906(Datasheet “Infineon”)

“s2D” на корпусе SOT-23

SMBTA92(Datasheet “Siemens Sem.”)

“s2F” на корпусе SOT-23

SMBT2907A(Datasheet “Infineon”)

“S3” на корпусе SOT-23

MMBA813S3(Datasheet “Motorola Sc.”)

“S4” на корпусе SOT-23

MMBA813S4(Datasheet “Motorola Sc.”)

“T1″на корпусе SOT-23

BCX17(Datasheet “Philips(NXP)”)

“T2″на корпусе SOT-23

BCX18(Datasheet “Philips(NXP)”)

“T7″на корпусе SOT-23

BSR15(Datasheet “Diotec Sem.”)

“T8″на корпусе SOT-23

BSR16 (Datasheet “Diotec Sem.”)

“U1p”,”U1t”,”U1W”на корпусе SOT-23

BCX19 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U2″на корпусе SOT-23

BCX20 (Datasheet “Diotec Sem.”)

“U7p”,”U7t”,”U7W”на корпусе SOT-23

BSR13 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U8p”,”U8t”,”U8W”на корпусе SOT-23

BSR14 (Datasheet “Philips(NXP)”)

“U92” на корпусе SOT-23

BSR17A (Datasheet “Philips”)

“Z2V” на корпусе SOT-23

FMMTA64 (Datasheet “Zetex Sem.”)

“ZD” на корпусе SOT-23

MMBT4125 (Datasheet “Samsung Sem.”)

Оставьте комментарий

Adblock
detector