SMD маркировка: чип диодов, расшифровка

Что это такое

SMD — сокращённое сочетание трёх терминов из английского языка — Surface Mounted Device. Расшифровывается понятие как «прибор, устанавливающийся на поверхности».

SMD маркировка: чип диодов, расшифровка
Различные элементы

Интересно. Например, у обычных радиодеталей ножки вставляются в отверстия на печатной плате. Потом с другой стороны проходит припой. SMD приборы отличаются тем, что просто накладываются на специальные контактные площадки, предусмотренные для этого. Припой организуют с этой же стороны.

Благодаря такому поверхностному монтажу появилась возможность уменьшить габариты и плотность элементов, расположенных на плате. Сама установка тоже стала проще. С такими технологиями легко справляются даже автоматизированные роботы. Автомат сам легко определяет, на каком месте расположить элемент.

После этого происходят к разогреву площади посредством ИК. Либо поверхность обрабатывают лазером, пока не достигается температура плавления. После использования специальной монтажной пены процесс можно считать завершённым. С работой поможет и существующее обозначение СМД диодов.

SMD маркировка: чип диодов, расшифровка
Резисторы

Буквенные коды радиоэлементов на принципиальных схемах

Устройства: усилители, приборы телеуправления, лазеры, мазеры; общее обозначениеА
Преобразователи неэлектрических величин в электрические (кроме генераторов и источников питания) или наоборот, аналоговые или многоразрядные преобразователи, датчики для указания или измерения; общее обозначениеВ
ГромкоговорительВА
Магнитострикционный элементВВ
Детектор ионизирующих излученийBD
Сельсин-датчикВС
Сельсин-приемникBE
Телефон (капсюль)BF
Тепловой датчикВК
ФотоэлементBL
МикрофонВМ
Датчик давленияВР
ПьезоэлементВО
Датчик частоты вращения, тахогенераторBR
ЗвукоснимательBS
Датчик скоростиВѴ
КонденсаторыС
Микросхемы интегральные, микросборки: общее обозначениеD
Микросхема интегральная аналоговаяDA
Микросхема интегральная цифровая, логический элементDD
Устройство хранения информации (памяти)DS
Устройство задержкиDT
Элементы разные: общее обозначениеЕ
Лампа осветительнаяEL
Нагревательный элементЕК
Разрядники, предохранители, устройства защиты: общее обозначениеF
Предохранитель плавкийFU
Генераторы, источники питания, кварцевые генераторы: общее обозначениеG
Батарея гальванических элементов, аккумуляторовGB
Устройства индикационные и сигнальные; общее обозначениеН
Прибор звуковой сигнализацииНА
Индикатор символьныйHG
Прибор световой сигнализацииHL
Реле, контакторы, пускатели; общее обозначениеК
Реле электротепловоѳкк
Реле времениКТ
Контактор, магнитный пускателькм
Катушки индуктивности, дроссели; общее обозначениеL
Двигатели, общее обозначениеМ
Приборы измерительные; общее обозначениеР
Амперметр (миллиамперметр, микроамперметр)РА
Счетчик импульсовPC
ЧастотомерPF
ОмметрPR
Регистрирующий приборPS
Измеритель времени действия, часыРТ
ВольтметрPV
ВаттметрPW
Резисторы постоянные и переменные; общее обозначениеR
ТерморезисторRK
Шунт измерительныйRS
ВаристорRU
Выключатели, разъединители, короткозамыкатели в силовых цепях (в цепях питания оборудования); общее обозначениеQ
Устройства коммутационные в цепях управления, сигнализации и измерительных; общее обозначениеS
Выключатель или переключательSA
Выключатель кнопочныйSB
Выключатель автоматическийSF
Трансформаторы, автотрансформаторы; общее обозначениеT
Электромагнитный стабилизаторTS
Преобразователи электрических величин в электрические, устройства связи; общее обозначениеи
Модуляторив
ДемодуляторUR
ДискриминаторUl
Преобразователь частотный, инвертор, генератор частоты, выпрямительUZ
Приборы полупроводниковые и электровакуумные; общее обозначениеV
Диод, стабилитронVD
ТранзисторVT
ТиристорVS
Прибор электровакуумныйVL
Линии и элементы СВЧ; общее обозначениеW
ОтветвительWE
Коро ткоэа мы ка тельWK
ВентильWS
Трансформатор, фазовращатель, неоднородностьWT
АттенюаторWU
АнтеннаWA
Соединения контактные; общее обозначениеX
Штырь (вилка)ХР
Гнездо (розетка)XS
Соединение разборноеXT
Соединитель высокочастотныйXW
Устройства механические с электромагнитным приводом; общее обозначениеY
ЭлектромагнитYA
Тормоз с электромагнитным приводомYB
Муфта с электромагнитным приводомYC
Устройства оконечные, фильтры; общее обозначениеZ
ОграничительZL
Фильтр кварцевыйZQ

Буквенные сокращения по радиоэлектронике

Буквенное сокращениеРасшифровка сокращения
AMамплитудная модуляция
АПЧавтоматическая подстройка частоты
АПЧГавтоматическая подстройка частоты гетеродина
АПЧФавтоматическая подстройка частоты и фазы
АРУавтоматическая регулировка усиления
АРЯавтоматическая регулировка яркости
АСакустическая система
АФУантенно-фидерное устройство
АЦПаналого-цифровой преобразователь
АЧХамплитудно-частотная характеристика
БГИМСбольшая гибридная интегральная микросхема
БДУбеспроводное дистанционное управление
БИСбольшая интегральная схема
БОСблок обработки сигналов
БПблок питания
БРблок развертки
БРКблок радиоканала
БСблок сведения
БТКблокинг-трансформатор кадровый
БТСблокинг-трансформатор строчный
БУблок управления
БЦблок цветности
БЦИблок цветности интегральный (с применением микросхем)
ВДвидеодетектор
ВИМвремя-импульсная модуляция
ВУвидеоусилитель; входное (выходное) устройство
ВЧвысокая частота
Ггетеродин
ГВголовка воспроизводящая
ГВЧгенератор высокой частоты
ГВЧгипервысокая частота
ГЗгенератор запуска; головка записывающая
ГИРгетеродинный индикатор резонанса
ГИСгибридная интегральная схема
ГКРгенератор кадровой развертки
ГКЧгенератор качающейся частоты
ГМВгенератор метровых волн
ГПДгенератор плавного диапазона
ГОгенератор огибающей
ГСгенератор сигналов
ГСРгенератор строчной развертки
гссгенератор стандартных сигналов
гггенератор тактовой частоты
ГУголовка универсальная
ГУНгенератор, управляемый напряжением
Ддетектор
двдлинные волны
дддробный детектор
днделитель напряжения
дмделитель мощности
дмвдециметровые волны
ДУдистанционное управление
ДШПФдинамический шумопонижающий фильтр
ЕАССединая автоматизированная сеть связи
ЕСКДединая система конструкторской документации
зггенератор звуковой частоты; задающий генератор
зсзамедляющая система; звуковой сигнал; звукосниматель
ЗЧзвуковая частота
Иинтегратор
икмимпульсно-кодовая модуляция
ИКУизмеритель квазипикового уровня
имсинтегральная микросхема
иниизмеритель линейных искажений
инчинфранизкая частота
ионисточник образцового напряжения
иписточник питания
ичхизмеритель частотных характеристик
ккоммутатор
КБВкоэффициент бегущей волны
КВкороткие волны
квчкрайне высокая частота
кзвканал записи-воспроизведения
КИМкодо-импульсная модуляции
кккатушки кадровые отклоняющей системы
кмкодирующая матрица
кнчкрайне низкая частота
кпдкоэффициент полезного действия
КСкатушки строчные отклоняющей системы
ксвкоэффициент стоячей волны
ксвнкоэффициент стоячей волны напряжения
КТконтрольная точка
КФкатушка фокусирующая
ЛБВлампа бегущей волны
лзлиния задержки
ловлампа обратной волны
лпдлавинно-пролетный диод
лпптлампово-полупроводниковый телевизор
ммодулятор
MAмагнитная антенна
MBметровые волны
мдпструктура металл-диэлектрик-полупроводник
МОПструктура металл-окисел-полупроводник
мсмикросхема
МУмикрофонный усилитель
нинелинейные искажения
нчнизкая частота
ОБобщая база (включение транзистора по схеме с общей базой)
овчочень высокая частота
оиобщий исток (включение транзистора *по схеме с общим истоком)
окобщий коллектор (включение транзистора по схеме с обшим коллектором)
ончочень низкая частота
оосотрицательная обратная связь
ОСотклоняющая система
ОУоперационный усилитель
ОЭобший эмиттер (включение транзистора по схеме с общим эмиттером)
ПАВповерхностные акустические волны
пдсприставка двухречевого сопровождения
ПДУпульт дистанционного управления
пкнпреобразователь код-напряжение
пнкпреобразователь напряжение-код
пнчпреобразователь напряжение частота
посположительная обратная связь
ППУпомехоподавляющее устройство
пчпромежуточная частота; преобразователь частоты
пткпереключатель телевизионных каналов
птсполный телевизионный сигнал
ПТУпромышленная телевизионная установка
ПУпредварительный усили^егіь
ПУВпредварительный усилитель воспроизведения
ПУЗпредварительный усилитель записи
ПФполосовой фильтр; пьезофильтр
пхпередаточная характеристика
пцтсполный цветовой телевизионный сигнал
РЛСрегулятор линейности строк; радиолокационная станция
РПрегистр памяти
РПЧГручная подстройка частоты гетеродина
РРСрегулятор размера строк
PCрегистр сдвиговый; регулятор сведения
РФрежекторный или заграждающий фильтр
РЭАрадиоэлектронная аппаратура
СБДУсистема беспроводного дистанционного управления
СБИСсверхбольшая интегральная схема
СВсредние волны
свпсенсорный выбор программ
СВЧсверхвысокая частота
сгсигнал-генератор
сдвсверхдлинные волны
СДУсветодинамическая установка; система дистанционного управления
СКселектор каналов
СКВселектор каналов всеволновый
ск-дселектор каналов дециметровых волн
СК-Мселектор каналов метровых волн
СМсмеситель
енчсверхнизкая частота
СПсигнал сетчатого поля
сссинхросигнал
ссистрочный синхронизирующий импульс
СУселектор-усилитель
счсредняя частота
ТВтропосферные радиоволны; телевидение
твстрансформатор выходной строчный
твзтрансформатор выходной канала звука
твктрансформатор выходной кадровый
ТИТтелевизионная испытательная таблица
ТКЕтемпературный коэффициент емкости
ткитемпературный коэффициент индуктивности
ткмптемпературный коэффициент начальной магнитной проницаемости
ткнстемпературный коэффициент напряжения стабилизации
ткстемпературный коэффициент сопротивления
тстрансформатор сетевой
тцтелевизионный центр
тцптаблица цветных полос
ТУтехнические условия
Уусилитель
УВусилитель воспроизведения
УВСусилитель видеосигнала
УВХустройство выборки-хранения
УВЧусилитель сигналов высокой частоты
УВЧультравысокая частота
УЗусилитель записи
УЗЧусилитель сигналов звуковой частоты
УКВультракороткие волны
УЛПТунифицированный ламповополупроводниковый телевизор
УЛЛЦТунифицированный лампово полупроводниковый цветной телевизор
УЛТунифицированный ламповый телевизор
УМЗЧусилитель мощности сигналов звуковой частоты
УНТунифицированный телевизор
УНЧусилитель сигналов низкой частоты
УНУуправляемый напряжением усилитель.
УПТусилитель постоянного тока; унифицированный полупроводниковый телевизор
УПЧусилитель сигналов промежуточной частоты
УПЧЗусилитель сигналов промежуточной частоты звук?
УПЧИусилитель сигналов промежуточной частоты изображения
УРЧусилитель сигналов радиочастоты
УСустройство сопряжения; устройство сравнения
УСВЧусилитель сигналов сверхвысокой частоты
УССусилитель строчных синхроимпульсов
УСУуниверсальное сенсорное устройство
УУустройство (узел) управления
УЭускоряющий (управляющий) электрод
УЭИТуниверсальная электронная испытательная таблица
ФАПЧфазовая автоматическая подстройка частоты
ФВЧфильтр верхних частот
ФДфазовый детектор; фотодиод
ФИМфазо-импульсная модуляция
ФМфазовая модуляция
ФНЧфильтр низких частот
ФПЧфильтр промежуточной частоты
ФПЧЗфильтр промежуточной частоты звука
ФПЧИфильтр промежуточной частоты изображения
ФСИфильтр сосредоточенной избирательности
ФССфильтр сосредоточенной селекции
ФТфототранзистор
ФЧХфазо-частотная характеристика
ЦАПцифро-аналоговый преобразователь
ЦВМцифровая вычислительная машина
ЦМУцветомузыкальная установка
ЦТцентральное телевидение
ЧДчастотный детектор
ЧИМчастотно-импульсная модуляция
чмчастотная модуляция
шимширотно-импульсная модуляция
шсшумовой сигнал
эвэлектрон-вольт (е • В)
ЭВМ.электронная вычислительная машина
эдсэлектродвижущая сила
экэлектронный коммутатор
ЭЛТэлектронно-лучевая трубка
ЭМИэлектронный музыкальный инструмент
эмосэлектромеханическая обратная связь
ЭМФэлектромеханический фильтр
ЭПУэлектропроигрывающее устройство
ЭЦВМэлектронная цифровая вычислительная машина

Диод в цепи переменного тока

Кто забыл, что такое переменный ток, читаем эту статью. Итак, для того, чтобы рассмотреть работу диода в цепи переменного тока, давайте составим схему. Здесь мы видим генератор частоты G, диод и два клеммника Х1 и Х2, с которых мы будем снимать сигнал с помощью осциллографа.

Мой генератор частоты выглядит вот так.

генератор частот

Осциллограмму будем снимать с помощью цифрового осциллографа

Генератор выдает переменное синусоидальное напряжение.

синусоидальный сигнал
синусоидальный сигнал

Что же будет после диода? Цепляемся к клеммам X1 и X2 и видим вот такую осциллограмму.

переменное напряжение после диода
переменное напряжение после диода

Диод вырезал нижнюю часть синусоиды, оставив только верхнюю часть.

А что будет, если мы поменяем выводы диода? Схема примет такой вид.

переменый ток после диода
переменый ток после диода

Что же получим на клеммах Х1 и Х2 ? Смотрим на осциллограмму.

переменный ток после диода
переменный ток после диода

Ничего себе! Диод срезал только положительную часть синусоиды!

Диод в цепи постоянного тока

Как мы уже говорили, диод пропускает электрический ток только в одном направлении. Для того, чтобы это показать, давайте соберем простую схему.

прямое включение диода
прямое включение диода

Так как наша лампа накаливания на 12 Вольт, следовательно, на блоке питания тоже выставляем значение в 12 В и собираем всю электрическую цепь по схеме выше. В результате, лампочка у нас прекрасно горит. Это говорит о том, что через диод проходит электрический ток. В этом случае говорят, что диод включен в прямом направлении.

диод в прямом включении
диод в прямом включении

Давайте теперь поменяем выводы диода. В результате, схема примет такой вид.

обратное включение диода
обратное включение диода

Как вы видите, лампочка не горит, так как диод не пропускает электрический ток, то есть блокирует его прохождение, хотя источник питания и выдает свои честные 12 Вольт.

:/>  Как открыть папку в командной строке в Windows 10

обратное включение
обратное включение диода

Какой вывод можно из этого сделать? Диод проводит постоянный ток только в одном направлении.

Для корпусов sod80 (minimelf):

Кодирование SMD диодов в корпусе SOD80
Таблица 3 — Кодирование SMD диодов в корпусе SOD80.

Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.

Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.

Цветовая маркировка:

Цветовое кодирование SMD диодов в корпусе SOD80
Таблица 4 — Цветовое кодирование SMD диодов в корпусе SOD80.

Часто производитель кодирует лишь тип диода:

Цветовое кодирование типа SMD диодов
Таблица 5 — Цветовое кодирование типа SMD диодов.

Дополнительно о маркировке smd разных компонентов

Конденсаторы с SMD-маркировкой выпускаются с разными корпусами:

  • Металлические.
  • Пластиковые.
  • Керамические, со своей микросхемой.

Важно. Неполярные разновидности техники выпускаются вообще без маркировки. 1 пф — 10 мкф — в таких пределах находится ёмкость у этих устройств. Обычно электролитические разновидности конденсаторов имеют вид бочонков, в алюминиевых корпусах с маркировкой. Их используют для поверхностного монтажа.

Танталовые устройства обычно располагаются внутри корпусов прямоугольной формы. Они отличаются не только цветовым исполнением, но и расцветкой.

Электролитические и танталовые устройства обозначаются примерно так же, как и резисторы.

Если символов в маркировке 3 — то первая буква всегда связана с производителем. Второй символ нужен для указания на ёмкость.

Третий символ — обозначение множителя.

Сплошная полоса или чёрточка на корпусе чаще снабжает танталовые разновидности приборов. Она связана с положительным выводом. Главное — не перепутать с выводными электролитическими. У них минусовой контакт, который маркируется с помощью чёрточки или полоски.

SMD маркировка: чип диодов, расшифровка
Диоды и корпуса

SMD маркировка облегчает поиск компонентов при конструировании тех или иных электронных изделий. Достаточно изучить буквы и цифры, чтобы понять, какая деталь необходима для достижения максимального результата. Многие сайты содержат специальные таблицы, со всеми символами всех моделей.

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размерОчень-очень маленькиеОчень маленькиеМаленькиеСредние
2 выводаSOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2)SOD323, SOD328SOD123F, SOD123WSOD128
3 выводаSOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416SOT323, SOT1061 (DFN2020-3)SOT23SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводовWLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665SOT353SOT143B, SOT753SOT223, POWER-SO8
6-8 выводовSOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6*SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6)SOT457, SOT505SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводовWLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8)WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24*SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12)SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.

Типы корпусов SMD по названиям 

НазваниеРасшифровкакол-во выводов
SOTsmall outline transistor3
SODsmall outline diode2
SOICsmall outline integrated circuit>4, в две линии по бокам
TSOPthin outline package (тонкий SOIC)>4, в две линии по бокам 
SSOPусаженый SOIC>4, в две линии по бокам
TSSOPтонкий усаженный SOIC>4, в две линии по бокам
QSOPSOIC четвертного размера>4, в две линии по бокам
VSOPQSOP ещё меньшего размера>4, в две линии по бокам
PLCCИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J>4, в четыре линии по бокам 
CLCCИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
QFPквадратный плоский корпус>4, в четыре линии по бокам 
LQFP низкопрофильный QFP>4, в четыре линии по бокам 
PQFP пластиковый QFP>4, в четыре линии по бокам 
CQFP керамический QFP>4, в четыре линии по бокам 
TQFP тоньше QFP>4, в четыре линии по бокам 
PQFNсиловой QFP без выводов с площадкой под радиатор>4, в четыре линии по бокам 
BGABall grid array. Массив шариков вместо выводовмассив выводов
LFBGA низкопрофильный FBGAмассив выводов
CGA корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоямассив выводов
CCGA СGA в керамическом корпусемассив выводов
μBGA микро BGAмассив выводов
FCBGAFlip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводоммассив выводов
LLPбезвыводной корпус 

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Полупроводниковые приборы в корпусе кд-80 (sod-80)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
ВА682красная полосаPin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
ВА683красная оранжеваяPin-DiBA483VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32черн. полосаSi-Di1N4148Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100зелен. черн.Si-DiBAV18S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101зелен. коричнSi-DiBAY 19S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102зелен. красн.Si-DiBAV20S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103зелен. оранж.Si-DiBAV21S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
ВВ215белая зелен.C-DiBB405BUHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
ВВ219белаяC-DiBB909Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Полупроводниковые приборы в корпусе кт-47 (sot-89)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
BC868САСSi-NBC368, BD329Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
ВС869СЕСSi-PBC369, BD330Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61D91Si-N Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62С91Si-PMin, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
ВСХ51ААSi-PBC636, BD136Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ52АЕSi-PBC638, BD138Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ53АHSi-PBC640, BD140Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ54Si-PBC635, BD135Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ55BESi-NBC637, BD137Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ56ВНSi-NBC639, BD139Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ68САSi-NBC368, BD329Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
ВСХ69СЕSi-PBC369, BD300Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
BF620ОСSi-NBF420, BF471, BF871Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF621DFSi-PBF421, BF472, BF872Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
BF622DASi-NBF422, BF469, BF869Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BF623DBSi-PBF423, BF470, BF870Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17FASi-NBFW16AMin, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18AFFSi-NBFQ34, BFQ64Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19FBSi-NBFR96, 2SC3268Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67V2Si-NBFQ65Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30BR1Si-P2N4030Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31BR2Si-P2N4031Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32BR3Si-P2N4032Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33BR4Si-P2N4033Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40AR1Si-NBSX46-6Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41AR2Si-NBSX46-16Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42AR3Si-N2N3020Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43AR4Si-N2N3019Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
BST15BT1Si-P2N5415Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16BT2Si-P2N5416Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39AT1Si-NMin, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40AT2Si-NMin, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50AS1Si-N-DarlBSR50, BSS50, BDX42Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51AS2Si-N-DarlBSR51, BSS51, BDX43Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST52AS3Si-N-DarlBSR52, BSS52, BDX44Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST60BS1Si-P-DarlBSR60, BSS60, BDX45Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
BST61BS2Si-P-DarlBSR61, BSS61, BDX46Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
BST62BS3Si-P-DarlBSR62, BSS62, BDX47Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
BST80KMMOS-N-FET-eBST70AV-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
BST84KNMOS-N-FET-eBST24AV-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST86KQMOS-N-FET-eBST76AV-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
BST120LMMOS-P-FET-eBST100V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BST122LNMOS-P-FET-eBST110, BS250V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
BZV49см.прим.Z-DiBZV85Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 – 75V, P= 1W
:/>  Справочник по MOSFET транзисторам

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49… приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

…..C2V4Z11…..C2V7Z12…..C3VOZ13…..C3V3Z14
…..C3V6Z15…..C3V9Z16…..C4V3Z17…..C4V7Z1
…..C5V1Z2…..C5V6Z3…..C6V2Z4…..C6V8Z5
…..C7V5Z6…..C8V2Z7…..C9V1Z8…..С10Z9
…..С11Y1…..С12Y2…..С13Y3…..С15Y4
…..С16Y5…..С18Y6…..С20Y7…..С22Y8
…..С24Y9…..С27Y10…..С30Y11…..С33Y12
…..С36Y13…..С39Y14…..С43Y15…..С47Y16
…..С51Y17…..С56Y18…..С62Y19…..С68Y20
…..С75Y21

Принятые сокращения в таблице

C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) – емкостной диод (варикап);MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) – МДП – транзистор с каналом N (P);N-FET- (N-channel field-effect transistors) – полевой транзистор с N-каналом;

PIN-Di- (PIN -diode) – диод;P-FET- (P- channel field-effect transistors) – полевой транзистор с Р-каналом;S- (Sensor devices) – сенсорная схема;Si-Di- (Silicon diode) – кремниевый диод;                                 Si-N- (Silicon NPN transistor)

– кремниевый NPN (обратный) транзистор;Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) – кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-P- (Silicon PNP transistor) – кремниевый PNP (прямой) транзистор;Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)

– кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) – стабилизирующий диод (стабилитрон);Т- (Tuner Diodes) – переключающий диод;Tetrode- (P- N-gate thyristor) – транзистор с четырехслойной структурой;

Vrf- (Voltage reference diodes) – высокостабильный опорный диод;Vrg- (Voltage requlator diodes) – регулируемый опорный диод;AM- (RF application) – амплитудная модуляция;Band-S- (RF band switching) – ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);

Chopper- (Chopper) – прерыватель;Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) – сдвоенный транзистор (диод);FED- (Field effect diode) – диод, управляющий напряжением;FM- (RF application) – частотная модуляция;

HF- (RF application [general]) – высокочастотный диапазон;LED- (Light-emitting diode) – светодиод;M- (Mixer stages) – смесительный;Min- (Miniaturized) – миниатюрный;NF- (AF applications) – низкочастотный (звуковой) диапазон;

О- (Oscillator stages) – генераторная схема;ln- (Low noise) – малошумящий;S- (Switching stages) – ключевой;SS- (Fast switching stages) – быстродействующий ключ;sym- (SyMinetrical types) – симметричный;

Tr- (Driver stages) – мощной устройство (мощный управляющий ключ);tuning(RF tuning diode) – переключающий диод для схем переключения диапазона;Tunnel-Di- (Tunnel diode) – тунельный диод;UHF- (RF applications [>250MHz]) – ультрокороткий (СВЧ) диапазон;

Uni- (General purpose tyres) – универсальный (массового применения);V- (Pre/input stages) – предварительный (для входных цепей);VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) – высокочастотный (УКВ) диапазон;Vid- (Video output stages) – видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316А6 Si-DiBAW62, 1N4148Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17А91 Si-StВА314Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319А8 Si-DiBAV19Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20А81 Si-DiBAV20Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21А82 Si-DiBAV21Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29L20 Si-DiBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31L21 Si-Di2XBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35L22 Si-Di2xBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17A3 Pin-DiBA480VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18А2 Pin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70А4 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99А7 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56А1 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY3181 C-DiBB405, BB609UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 – 2.8pF
BBY40S2 C-DiBB809UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-165A5ARSi-PBC327-16Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-255BRSi-PBC327-25Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-405CRSi-PBC327-40Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-165ERSi-PBC328-16Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-255F5FRSi-PBC328-25Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-405G5GRSi-PBC328-40Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-166A6ARSi-NBC337-16Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B1BRSi-NBC546BMin, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A1E1ERSi-NBC547A, BC107AMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B1F1FRSi-NBC547B, BC107BMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C1G1GRSi-NBC547C, BC107CMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848AU1JRSi-NBC548A, BC108AMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B1K1KRSi-NBC548B, BC108BMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C1L1LRSi-NBC548C, BC108CMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B2BRSi-NBC549B, ВС108ВMin, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C2CRSi-NBC549C, BC109CMin, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B2F2PRSi-NBC550B, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C2G2GRSi-NBC550C, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856AЗА3ARSi-PBC556AMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B3BRSi-PBC556BMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857AЗЕ3ERSi-PBC557A, BC177AMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B3F3FRSi-PBC557B, BC177BMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С3G3GRSi-PBC557CMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А3J3JRSi-PBC558A, BC178AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858ВЗК3KRSi-PBC558B, BC178BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С3L3LRSi-PBC558CMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А4ARSi-PBC559A, BC179A, BCY78Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В4BRSi-PBC559B, BCY79Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С4CRSi-PBC559C, BCY79Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А4ERSi-PBC560A, BCY7945V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В4F4FRSi-PBC560B, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С4G4GRSi-PBC560C, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29С7С77Si-PBC559A, BCY78, BC179Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30С8С9Si-PBC559B, BCY78Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF3207077Si-NBC549B, BCY58, BC109Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33D8D81Si-NBC549C, BCY58Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70Н7Н71Si-PBC560B, BCY79Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81К9К91Si-NBC550CMin, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71К7К71Si-NBC546ANF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72К8К81Si-NBC546BNF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29С1С4Si-PBC178A, BC558AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30С2С5Si-PBC178B, BC558BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31D1D4Si-NВС108А,ВС548АMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW3202D5Si-NВС108В, ВС548Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33D306Si-NВС108С, ВС548СMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60AАА Si-NВС548АMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60BАВ Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60CАС Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60DAD Si-NВС548СMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61AВА Si-PBC558AMin, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61BВВ Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61CВС Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61DBD Si-PBC558CMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69Н1Н4Si-PВС557АMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70Н2Н5Si-PВС557ВMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71К1К4Si-NВС547АMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72К2К5Si-NВС 547ВMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81КЗК31Si-NВС547СMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89НЗН31Si-PВС556АMin, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17Т1Т4Si-PВС327Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18Т2Т5Si-PВС328Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19U1U4Si-NBC337Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20U2U5Si-NВС 33 8Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70GAG Si-NBC107A, BC547AMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70HAH Si-NВС 107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70JAJ Si-NВС107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70KAK Si-NВС107С, BC547CMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71GBG Si-PВС177А, BC557AMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71HBH Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71JBJ Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71KBK Si-PВС557СMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510S6 N-FETBF410AMin, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511S7 N-FETBF410BMin, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512S8 N-FETBF410CMin, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513S9 N-FETBF410DMin, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536G3 SI-PBF936Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550G2G5Si-PBF450Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569G6 Si-PBF970Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579G7 Si-PBF979Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660G8G81Si-PBF606AMin, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767G9 Si-PBF967Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820  S-NBF420Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF8211W Si-PBF421Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822 Si-NBF422Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF8231Y Si-PBF423Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824F8 Si-PBF324Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840F3 Si-NBF240Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841F31 SI-NBF241Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30М1 N-FETBFW-11, BF245Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31М2 N-FETBFW12, BF245Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53N1N4Si-NBFW30, BFW93Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92Р1Р4Si-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92AР2РЬSi-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93R1R4Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93AR2R5Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)Е1 (Е2)Е4 (F5)Si-NBFY90, BFW92(A)Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18F1F4Si-NBF185, BF495Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19F2F5Si-NBF184, BF494Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20G1G4Si-NBF199Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25V1V4Si-NBFT24Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46МЗ NFTBFW13, BF245Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92W1W4Si-P “BFQ51, BFQ52Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93Х1Х4Si-PBFQ23, BFQ24Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61А5 BYTBRY5670V
BRY62А51 TetrodeBRY56, BRY39Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12B5В8Si-P2N2894AMin, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13U7U71Si-N2N2222, PH2222Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14U8U81Si-N2N2222A, PH2222AMin, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15T7T71Si-P2N2907, PH2907Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16T8T81Si-P2N2907A, PH2907AMin, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17U9U91Si-N2N3903Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17AU92U93Si-N2N3904Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18T9T91Si-P2N3905Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18AT92T93Si-P2N3906Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19U35 Si-N2N5550Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19AU36 Si-N2N5551Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20T35 Si-P2N5400Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20AT36 Si-P2N5401Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56M4 N-FET2N4856Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57M5 N-FET2N4857Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58M6 N-FET2N4858Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63T3T6Si-PBSS68Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64U3U6Si-NBSS38Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52B2B3Si-NPH2369, BSX20Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-…см.пр им. Si-StBZX79Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391M62 N-FETMin, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392M63 N-FETMin, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393M64 N-FETMin, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V
:/>  Активация Windows 7 или как убрать черный экран с рабочего стола

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84… приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

…..C2V4Z11…..C2V7Z12…..C3VOZ13…..C3V3Z14
…..C3V6Z15…..C3V9Z16…..C4V3Z17…..C4V7Z1
…..C5V1Z2…..C5V6Z3…..C6V2Z4…..C6V8Z5
…..C7V5Z6…..C8V2Z7…..C9V1Z8…..С10Z9
…..С11Y1…..С12Y2…..С13Y3…..С15Y4
…..С16Y5…..С18Y6…..С20Y7…..С22Y8
…..С24Y9…..С27Y10…..С30Y11…..С33Y12
…..С36Y13…..С39Y14…..С43Y15…..С47Y16
…..С51Y17…..С56Y18…..С62Y19…..С68Y20
…..С75Y21

Стабилитроны в sod323, серия bzt52

Маркировка стабилитрона Код маркировки стабилитрона Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R диф. Uст в диапазоне -60 … 125°ССкладЗаказ
BZT52-C2V4S W1 2,28B 2,4B 2,52B 85 Oм -0,075%
BZT52-C3V3S W4 3,1B 3,3B 3,5B 95 Oм -0,055%
BZT52-C3V9S W6 3,7B 3,9B 4,1B 95 Oм -0,050%
BZT52-C4V3S W7 4,0В 4,3В 4,6В 95 Ом -0,035%
BZT52-C4V7S W8 4,4В 4,7В 5,0В 78 Ом -0,015%
BZT52-C5V1S W9 4,8B 5,1B 5,4B 60 Ом -0,005%
BZT52-C5V6S WA 5,2B 5,6B 6,0B 40 Ом 0,020%
BZT52-C6V2S WB 5,8B 6,2B 6,6B 10 Ом 0,030%
BZT52-C6V8S WC 6,4B 6,8B 7,2B 8 Ом 0,045%
BZT52-C7V5S WD 7,0B 7,5B 7,9B 7 Ом 0,05%
BZT52-С8V2S WE 7,7B 8,2B 8,7B 7 Ом 0,055%
BZT52-С10S WG 9,4B 10B 10,6B 15 Ом 0,070%
BZT52-С12S WI 11,4B 12B 12,7B 20 Ом 0,080%
BZT52-С15S WL 13,8B 15B 15,6B 30 Ом 0,090%
BZT52-С24S WR 22,8B 24B 25,6B 80 Ом 0,090%

Упаковка:

В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 5000 стабилитронов BZT52.

Стабилитроны в sot23, серия bzx84

Маркировка стабилитрона Код маркировки стабилитрона Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R диф. Uст в диапазоне -60 … 125°ССкладЗаказ
BZX84C2V7 WT4 2,4B 2,7B 3,1B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V0 WT9 2,8B 3,0B 3,2B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V3 WB1 3,1В 3,3В 3,5В 85 Ом -0,06%
BZX84C3V9 WB3 3,7В 3,9В 4,1В 85 Ом -0,06%
BZX84C4V3 WB6 4,1B 4,3B 4,5B 80 Ом -0,03%
BZX84C4V7 Z1W 4,4В 4,7В 5,0В 80 Ом -0,03%
BZX84C5V1 Z2W 4,9B 5,1B 5,3B 60 Ом 0,03%
BZX84C5V6 Z3W 5,2В 5,6В 6,0В 40 Ом 0,03%
BZX84C6V2 Z4W 5,8В 6,2В 6,6В 10 Ом 0,05%
BZX84C6V8 Z5W 6,4В 6,8В 7,2В 15 Ом 0,05%
BZX84C7V5 Z6W 7,1В 7,5В 7,9В 15 Ом 0,05%
BZX84C8V2 Z7W 7,7В 8,2В 8,7В 15 Ом 0,06%
BZX84C9V1 Z8W 8,8В 9,1В 9,5В 20 Ом 0,05%
BZX84C10 Z9W 9,4В 10,0В 10,6В 20 Ом 0,07%
BZX84C12 Y2W 11,4В 12,0В 12,7В 25 Ом 0,07%
BZX84C15 Y4W 13,8В 15,0В 15,6В 30 Ом 0,08%
BZX84C18 Y6W 16,8В 18,0В 19,1В 45 Ом 0,08%
BZX84C20 Y7W 17,8В 20,0В 21,0В 45 Ом 0,08%

Упаковка:

В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 стабилитронов BZX84.

Маркировка выводных диодов:

Наиболее распространены следующие системы кодирования:

  • JEDEC (США) — Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.

Вид кода: <цифра><буква><серийный номер>[суффикс].

Первая цифра — цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).

Буква — всегда буква “N”.

Серийный номер — двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.

Суффикс — отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.

Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001—1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).

Обозначение состоит из четырех элементов.

Первый элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:

  • A — германий;
  • B — кремний;
  • C — арсенид галлия;
  • R — другие полупроводниковые материалы.

Второй элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:

  • A — маломощные импульсные и универсальные диоды;
  • B — варикапы;
  • E — туннельные диоды;
  • G — приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
  • H — магниточувствительные диоды;
  • P — светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
  • Q — светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
  • X — умножительные диоды;
  • Y — выпрямительные диоды, бустеры;
  • Z — стабилитроны, ограничители.

Третий элемент — буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.

Четвертый элемент — двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.

В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.

Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%).

Например, BZY88C4V7 — это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.

Цветовое кодирование диодов (pro electron)
Таблица 1 — Цветовое кодирование диодов (PRO ELECTRON).

Обозначение состоит из пяти элементов.

Первый элемент — цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).

Второй элемент — буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).

Третий элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:

  • E — диоды;
  • G — диоды Ганна;
  • Q — светоизлучающие диоды;
  • R — выпрямительные диоды;
  • S — слаботочные диоды;
  • T — лавинные диоды;
  • V — варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
  • Z — стабилитроны, ограничители.

Четвертый элемент — это серийный (регистрационный) номер прибора.

Пятый элемент — модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).

После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.