Что это такое
SMD — сокращённое сочетание трёх терминов из английского языка — Surface Mounted Device. Расшифровывается понятие как «прибор, устанавливающийся на поверхности».

Интересно. Например, у обычных радиодеталей ножки вставляются в отверстия на печатной плате. Потом с другой стороны проходит припой. SMD приборы отличаются тем, что просто накладываются на специальные контактные площадки, предусмотренные для этого. Припой организуют с этой же стороны.
Благодаря такому поверхностному монтажу появилась возможность уменьшить габариты и плотность элементов, расположенных на плате. Сама установка тоже стала проще. С такими технологиями легко справляются даже автоматизированные роботы. Автомат сам легко определяет, на каком месте расположить элемент.
После этого происходят к разогреву площади посредством ИК. Либо поверхность обрабатывают лазером, пока не достигается температура плавления. После использования специальной монтажной пены процесс можно считать завершённым. С работой поможет и существующее обозначение СМД диодов.

Буквенные коды радиоэлементов на принципиальных схемах
| Устройства: усилители, приборы телеуправления, лазеры, мазеры; общее обозначение | А |
| Преобразователи неэлектрических величин в электрические (кроме генераторов и источников питания) или наоборот, аналоговые или многоразрядные преобразователи, датчики для указания или измерения; общее обозначение | В |
| Громкоговоритель | ВА |
| Магнитострикционный элемент | ВВ |
| Детектор ионизирующих излучений | BD |
| Сельсин-датчик | ВС |
| Сельсин-приемник | BE |
| Телефон (капсюль) | BF |
| Тепловой датчик | ВК |
| Фотоэлемент | BL |
| Микрофон | ВМ |
| Датчик давления | ВР |
| Пьезоэлемент | ВО |
| Датчик частоты вращения, тахогенератор | BR |
| Звукосниматель | BS |
| Датчик скорости | ВѴ |
| Конденсаторы | С |
| Микросхемы интегральные, микросборки: общее обозначение | D |
| Микросхема интегральная аналоговая | DA |
| Микросхема интегральная цифровая, логический элемент | DD |
| Устройство хранения информации (памяти) | DS |
| Устройство задержки | DT |
| Элементы разные: общее обозначение | Е |
| Лампа осветительная | EL |
| Нагревательный элемент | ЕК |
| Разрядники, предохранители, устройства защиты: общее обозначение | F |
| Предохранитель плавкий | FU |
| Генераторы, источники питания, кварцевые генераторы: общее обозначение | G |
| Батарея гальванических элементов, аккумуляторов | GB |
| Устройства индикационные и сигнальные; общее обозначение | Н |
| Прибор звуковой сигнализации | НА |
| Индикатор символьный | HG |
| Прибор световой сигнализации | HL |
| Реле, контакторы, пускатели; общее обозначение | К |
| Реле электротепловоѳ | кк |
| Реле времени | КТ |
| Контактор, магнитный пускатель | км |
| Катушки индуктивности, дроссели; общее обозначение | L |
| Двигатели, общее обозначение | М |
| Приборы измерительные; общее обозначение | Р |
| Амперметр (миллиамперметр, микроамперметр) | РА |
| Счетчик импульсов | PC |
| Частотомер | PF |
| Омметр | PR |
| Регистрирующий прибор | PS |
| Измеритель времени действия, часы | РТ |
| Вольтметр | PV |
| Ваттметр | PW |
| Резисторы постоянные и переменные; общее обозначение | R |
| Терморезистор | RK |
| Шунт измерительный | RS |
| Варистор | RU |
| Выключатели, разъединители, короткозамыкатели в силовых цепях (в цепях питания оборудования); общее обозначение | Q |
| Устройства коммутационные в цепях управления, сигнализации и измерительных; общее обозначение | S |
| Выключатель или переключатель | SA |
| Выключатель кнопочный | SB |
| Выключатель автоматический | SF |
| Трансформаторы, автотрансформаторы; общее обозначение | T |
| Электромагнитный стабилизатор | TS |
| Преобразователи электрических величин в электрические, устройства связи; общее обозначение | и |
| Модулятор | ив |
| Демодулятор | UR |
| Дискриминатор | Ul |
| Преобразователь частотный, инвертор, генератор частоты, выпрямитель | UZ |
| Приборы полупроводниковые и электровакуумные; общее обозначение | V |
| Диод, стабилитрон | VD |
| Транзистор | VT |
| Тиристор | VS |
| Прибор электровакуумный | VL |
| Линии и элементы СВЧ; общее обозначение | W |
| Ответвитель | WE |
| Коро ткоэа мы ка тель | WK |
| Вентиль | WS |
| Трансформатор, фазовращатель, неоднородность | WT |
| Аттенюатор | WU |
| Антенна | WA |
| Соединения контактные; общее обозначение | X |
| Штырь (вилка) | ХР |
| Гнездо (розетка) | XS |
| Соединение разборное | XT |
| Соединитель высокочастотный | XW |
| Устройства механические с электромагнитным приводом; общее обозначение | Y |
| Электромагнит | YA |
| Тормоз с электромагнитным приводом | YB |
| Муфта с электромагнитным приводом | YC |
| Устройства оконечные, фильтры; общее обозначение | Z |
| Ограничитель | ZL |
| Фильтр кварцевый | ZQ |
Буквенные сокращения по радиоэлектронике
| Буквенное сокращение | Расшифровка сокращения |
| AM | амплитудная модуляция |
| АПЧ | автоматическая подстройка частоты |
| АПЧГ | автоматическая подстройка частоты гетеродина |
| АПЧФ | автоматическая подстройка частоты и фазы |
| АРУ | автоматическая регулировка усиления |
| АРЯ | автоматическая регулировка яркости |
| АС | акустическая система |
| АФУ | антенно-фидерное устройство |
| АЦП | аналого-цифровой преобразователь |
| АЧХ | амплитудно-частотная характеристика |
| БГИМС | большая гибридная интегральная микросхема |
| БДУ | беспроводное дистанционное управление |
| БИС | большая интегральная схема |
| БОС | блок обработки сигналов |
| БП | блок питания |
| БР | блок развертки |
| БРК | блок радиоканала |
| БС | блок сведения |
| БТК | блокинг-трансформатор кадровый |
| БТС | блокинг-трансформатор строчный |
| БУ | блок управления |
| БЦ | блок цветности |
| БЦИ | блок цветности интегральный (с применением микросхем) |
| ВД | видеодетектор |
| ВИМ | время-импульсная модуляция |
| ВУ | видеоусилитель; входное (выходное) устройство |
| ВЧ | высокая частота |
| Г | гетеродин |
| ГВ | головка воспроизводящая |
| ГВЧ | генератор высокой частоты |
| ГВЧ | гипервысокая частота |
| ГЗ | генератор запуска; головка записывающая |
| ГИР | гетеродинный индикатор резонанса |
| ГИС | гибридная интегральная схема |
| ГКР | генератор кадровой развертки |
| ГКЧ | генератор качающейся частоты |
| ГМВ | генератор метровых волн |
| ГПД | генератор плавного диапазона |
| ГО | генератор огибающей |
| ГС | генератор сигналов |
| ГСР | генератор строчной развертки |
| гсс | генератор стандартных сигналов |
| гг | генератор тактовой частоты |
| ГУ | головка универсальная |
| ГУН | генератор, управляемый напряжением |
| Д | детектор |
| дв | длинные волны |
| дд | дробный детектор |
| дн | делитель напряжения |
| дм | делитель мощности |
| дмв | дециметровые волны |
| ДУ | дистанционное управление |
| ДШПФ | динамический шумопонижающий фильтр |
| ЕАСС | единая автоматизированная сеть связи |
| ЕСКД | единая система конструкторской документации |
| зг | генератор звуковой частоты; задающий генератор |
| зс | замедляющая система; звуковой сигнал; звукосниматель |
| ЗЧ | звуковая частота |
| И | интегратор |
| икм | импульсно-кодовая модуляция |
| ИКУ | измеритель квазипикового уровня |
| имс | интегральная микросхема |
| ини | измеритель линейных искажений |
| инч | инфранизкая частота |
| ион | источник образцового напряжения |
| ип | источник питания |
| ичх | измеритель частотных характеристик |
| к | коммутатор |
| КБВ | коэффициент бегущей волны |
| КВ | короткие волны |
| квч | крайне высокая частота |
| кзв | канал записи-воспроизведения |
| КИМ | кодо-импульсная модуляции |
| кк | катушки кадровые отклоняющей системы |
| км | кодирующая матрица |
| кнч | крайне низкая частота |
| кпд | коэффициент полезного действия |
| КС | катушки строчные отклоняющей системы |
| ксв | коэффициент стоячей волны |
| ксвн | коэффициент стоячей волны напряжения |
| КТ | контрольная точка |
| КФ | катушка фокусирующая |
| ЛБВ | лампа бегущей волны |
| лз | линия задержки |
| лов | лампа обратной волны |
| лпд | лавинно-пролетный диод |
| лппт | лампово-полупроводниковый телевизор |
| м | модулятор |
| MA | магнитная антенна |
| MB | метровые волны |
| мдп | структура металл-диэлектрик-полупроводник |
| МОП | структура металл-окисел-полупроводник |
| мс | микросхема |
| МУ | микрофонный усилитель |
| ни | нелинейные искажения |
| нч | низкая частота |
| ОБ | общая база (включение транзистора по схеме с общей базой) |
| овч | очень высокая частота |
| ои | общий исток (включение транзистора *по схеме с общим истоком) |
| ок | общий коллектор (включение транзистора по схеме с обшим коллектором) |
| онч | очень низкая частота |
| оос | отрицательная обратная связь |
| ОС | отклоняющая система |
| ОУ | операционный усилитель |
| ОЭ | обший эмиттер (включение транзистора по схеме с общим эмиттером) |
| ПАВ | поверхностные акустические волны |
| пдс | приставка двухречевого сопровождения |
| ПДУ | пульт дистанционного управления |
| пкн | преобразователь код-напряжение |
| пнк | преобразователь напряжение-код |
| пнч | преобразователь напряжение частота |
| пос | положительная обратная связь |
| ППУ | помехоподавляющее устройство |
| пч | промежуточная частота; преобразователь частоты |
| птк | переключатель телевизионных каналов |
| птс | полный телевизионный сигнал |
| ПТУ | промышленная телевизионная установка |
| ПУ | предварительный усили^егіь |
| ПУВ | предварительный усилитель воспроизведения |
| ПУЗ | предварительный усилитель записи |
| ПФ | полосовой фильтр; пьезофильтр |
| пх | передаточная характеристика |
| пцтс | полный цветовой телевизионный сигнал |
| РЛС | регулятор линейности строк; радиолокационная станция |
| РП | регистр памяти |
| РПЧГ | ручная подстройка частоты гетеродина |
| РРС | регулятор размера строк |
| PC | регистр сдвиговый; регулятор сведения |
| РФ | режекторный или заграждающий фильтр |
| РЭА | радиоэлектронная аппаратура |
| СБДУ | система беспроводного дистанционного управления |
| СБИС | сверхбольшая интегральная схема |
| СВ | средние волны |
| свп | сенсорный выбор программ |
| СВЧ | сверхвысокая частота |
| сг | сигнал-генератор |
| сдв | сверхдлинные волны |
| СДУ | светодинамическая установка; система дистанционного управления |
| СК | селектор каналов |
| СКВ | селектор каналов всеволновый |
| ск-д | селектор каналов дециметровых волн |
| СК-М | селектор каналов метровых волн |
| СМ | смеситель |
| енч | сверхнизкая частота |
| СП | сигнал сетчатого поля |
| сс | синхросигнал |
| сси | строчный синхронизирующий импульс |
| СУ | селектор-усилитель |
| сч | средняя частота |
| ТВ | тропосферные радиоволны; телевидение |
| твс | трансформатор выходной строчный |
| твз | трансформатор выходной канала звука |
| твк | трансформатор выходной кадровый |
| ТИТ | телевизионная испытательная таблица |
| ТКЕ | температурный коэффициент емкости |
| тки | температурный коэффициент индуктивности |
| ткмп | температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости |
| ткнс | температурный коэффициент напряжения стабилизации |
| ткс | температурный коэффициент сопротивления |
| тс | трансформатор сетевой |
| тц | телевизионный центр |
| тцп | таблица цветных полос |
| ТУ | технические условия |
| У | усилитель |
| УВ | усилитель воспроизведения |
| УВС | усилитель видеосигнала |
| УВХ | устройство выборки-хранения |
| УВЧ | усилитель сигналов высокой частоты |
| УВЧ | ультравысокая частота |
| УЗ | усилитель записи |
| УЗЧ | усилитель сигналов звуковой частоты |
| УКВ | ультракороткие волны |
| УЛПТ | унифицированный ламповополупроводниковый телевизор |
| УЛЛЦТ | унифицированный лампово полупроводниковый цветной телевизор |
| УЛТ | унифицированный ламповый телевизор |
| УМЗЧ | усилитель мощности сигналов звуковой частоты |
| УНТ | унифицированный телевизор |
| УНЧ | усилитель сигналов низкой частоты |
| УНУ | управляемый напряжением усилитель. |
| УПТ | усилитель постоянного тока; унифицированный полупроводниковый телевизор |
| УПЧ | усилитель сигналов промежуточной частоты |
| УПЧЗ | усилитель сигналов промежуточной частоты звук? |
| УПЧИ | усилитель сигналов промежуточной частоты изображения |
| УРЧ | усилитель сигналов радиочастоты |
| УС | устройство сопряжения; устройство сравнения |
| УСВЧ | усилитель сигналов сверхвысокой частоты |
| УСС | усилитель строчных синхроимпульсов |
| УСУ | универсальное сенсорное устройство |
| УУ | устройство (узел) управления |
| УЭ | ускоряющий (управляющий) электрод |
| УЭИТ | универсальная электронная испытательная таблица |
| ФАПЧ | фазовая автоматическая подстройка частоты |
| ФВЧ | фильтр верхних частот |
| ФД | фазовый детектор; фотодиод |
| ФИМ | фазо-импульсная модуляция |
| ФМ | фазовая модуляция |
| ФНЧ | фильтр низких частот |
| ФПЧ | фильтр промежуточной частоты |
| ФПЧЗ | фильтр промежуточной частоты звука |
| ФПЧИ | фильтр промежуточной частоты изображения |
| ФСИ | фильтр сосредоточенной избирательности |
| ФСС | фильтр сосредоточенной селекции |
| ФТ | фототранзистор |
| ФЧХ | фазо-частотная характеристика |
| ЦАП | цифро-аналоговый преобразователь |
| ЦВМ | цифровая вычислительная машина |
| ЦМУ | цветомузыкальная установка |
| ЦТ | центральное телевидение |
| ЧД | частотный детектор |
| ЧИМ | частотно-импульсная модуляция |
| чм | частотная модуляция |
| шим | широтно-импульсная модуляция |
| шс | шумовой сигнал |
| эв | электрон-вольт (е • В) |
| ЭВМ. | электронная вычислительная машина |
| эдс | электродвижущая сила |
| эк | электронный коммутатор |
| ЭЛТ | электронно-лучевая трубка |
| ЭМИ | электронный музыкальный инструмент |
| эмос | электромеханическая обратная связь |
| ЭМФ | электромеханический фильтр |
| ЭПУ | электропроигрывающее устройство |
| ЭЦВМ | электронная цифровая вычислительная машина |
Диод в цепи переменного тока
Кто забыл, что такое переменный ток, читаем эту статью. Итак, для того, чтобы рассмотреть работу диода в цепи переменного тока, давайте составим схему. Здесь мы видим генератор частоты G, диод и два клеммника Х1 и Х2, с которых мы будем снимать сигнал с помощью осциллографа.
Мой генератор частоты выглядит вот так.
генератор частот
Осциллограмму будем снимать с помощью цифрового осциллографа
Генератор выдает переменное синусоидальное напряжение.

синусоидальный сигнал
Что же будет после диода? Цепляемся к клеммам X1 и X2 и видим вот такую осциллограмму.

переменное напряжение после диода
Диод вырезал нижнюю часть синусоиды, оставив только верхнюю часть.
А что будет, если мы поменяем выводы диода? Схема примет такой вид.

переменый ток после диода
Что же получим на клеммах Х1 и Х2 ? Смотрим на осциллограмму.

переменный ток после диода
Ничего себе! Диод срезал только положительную часть синусоиды!
Диод в цепи постоянного тока
Как мы уже говорили, диод пропускает электрический ток только в одном направлении. Для того, чтобы это показать, давайте соберем простую схему.

прямое включение диода
Так как наша лампа накаливания на 12 Вольт, следовательно, на блоке питания тоже выставляем значение в 12 В и собираем всю электрическую цепь по схеме выше. В результате, лампочка у нас прекрасно горит. Это говорит о том, что через диод проходит электрический ток. В этом случае говорят, что диод включен в прямом направлении.

диод в прямом включении
Давайте теперь поменяем выводы диода. В результате, схема примет такой вид.

обратное включение диода
Как вы видите, лампочка не горит, так как диод не пропускает электрический ток, то есть блокирует его прохождение, хотя источник питания и выдает свои честные 12 Вольт.

обратное включение диода
Какой вывод можно из этого сделать? Диод проводит постоянный ток только в одном направлении.
Для корпусов sod80 (minimelf):

Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.
Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.
Цветовая маркировка:

Часто производитель кодирует лишь тип диода:

Дополнительно о маркировке smd разных компонентов
Конденсаторы с SMD-маркировкой выпускаются с разными корпусами:
- Металлические.
- Пластиковые.
- Керамические, со своей микросхемой.
Важно. Неполярные разновидности техники выпускаются вообще без маркировки. 1 пф — 10 мкф — в таких пределах находится ёмкость у этих устройств. Обычно электролитические разновидности конденсаторов имеют вид бочонков, в алюминиевых корпусах с маркировкой. Их используют для поверхностного монтажа.
Танталовые устройства обычно располагаются внутри корпусов прямоугольной формы. Они отличаются не только цветовым исполнением, но и расцветкой.
Электролитические и танталовые устройства обозначаются примерно так же, как и резисторы.
Если символов в маркировке 3 — то первая буква всегда связана с производителем. Второй символ нужен для указания на ёмкость.
Третий символ — обозначение множителя.
Сплошная полоса или чёрточка на корпусе чаще снабжает танталовые разновидности приборов. Она связана с положительным выводом. Главное — не перепутать с выводными электролитическими. У них минусовой контакт, который маркируется с помощью чёрточки или полоски.

SMD маркировка облегчает поиск компонентов при конструировании тех или иных электронных изделий. Достаточно изучить буквы и цифры, чтобы понять, какая деталь необходима для достижения максимального результата. Многие сайты содержат специальные таблицы, со всеми символами всех моделей.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
| выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
| 2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
| 3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
| 4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
| 6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
| > 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
| Название | Расшифровка | кол-во выводов |
| SOT | small outline transistor | 3 |
| SOD | small outline diode | 2 |
| SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
| TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
| SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
| TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
| QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
| VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
| PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
| LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
| BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
| LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
| CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
| CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
| μBGA | микро BGA | массив выводов |
| FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
| LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Полупроводниковые приборы
Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AA | BCW 60 A | SOT 23 | EF | BCW66F | SOT 23 | L8 | BAR 15-1 | SOT 23 |
AB | BCW 60 B | SOT 23 | EG | BCV 49 | SOT 89 | L9 | BAR 16-1 | SOT 23 |
AB | BCX 51-6 | SOT 89 | EG | BCW 66 G | SOT 23 | R2 | BFR 93 A | SOT 23 |
AC | BCW 60 C | SOT 23 | EH | BCW 66 H | SOT 23 | S1A | SMBT 3904 | SOT 23 |
AC | BCX 51 -10 | SOT 89 | EK | BCX 41 | SOT 23 | S1B | SMBT 2222 | SOT 23 |
AD | BCW 60 D | SOT 23 | FC | BFQ 64 | SOT 89 | S1C | SMBTA 20 | SOT 23 |
AD | BCX 51-16 | SOT 89 | FD | BFQ 17 P | SOT 89 | S1D | SMBTA 42 | SOT 23 |
AF | BCX 52-6 | SOT 89 | FD | BCV 26 | SOT 23 | S1E | SMBTA 43 | SOT 23 |
AF | BCW 60FF | SOT 23 | FE | BCV 46 | SOT 23 | S1G | SMBTA 06 | SOT 23 |
AG | BCX 52-10 | SOT 89 | FE | BFQ 19 P | SOT 89 | S1H | SMBTA 05 | SOT 23 |
AG | BCX 70 G | SOT 23 | FF | BCV 27 | SOT 23 | S1M | SMBIA 13 | SOT 23 |
AH | BCX 70 H | SOT 23 | FG | BCV 47 | SOT 23 | S1N | SMBTA 14 | SOT 23 |
AJ | BCX 53-6 | SOT 89 | FM | BFN 24 | SOT 23 | S1P | SMBT2222A | SOT 23 |
AJ | BCX 70 J | SOT 23 | FJ | BFN 26 | SOT 23 | S2A | SMBT 3906 | SOT 23 |
AK | BCX 53-10 | SOT 89 | FK | BFN 25 | SOT 23 | S2B | SMBT 2907 | SOT 23 |
AK | BCX 70 K | SOT 23 | FL | BFN 27 | SOT 23 | S2D | SMBTA 92 | SOT 23 |
AL | BCX 53-16 | SOT 89 | GA | BAW 78 A | SOT 89 | S2E | SMBTA 93 | SOT 23 |
AM | BCX 52-16 | SOT 89 | GB | BAW 78 B | SOT 89 | S2F | SMBT2907A | SOT 23 |
AM | BSS 64 | SOT 23 | GC | BAW 78 C | SOT 89 | S2G | SMBTA 56 | SOT 23 |
AN | BCW 60 PN | SOT 23 | GD | BAW 78 D | SOT 89 | S2H | SMBTA 55 | SOT 23 |
BA | BCW 61 A | SOT 23 | GE | BAW 79 A | SOT 89 | S2 |
Полупроводниковые приборы в корпусе кд-80 (sod-80)
| Тип прибора | Цветовая маркировка | Структ. п/п | Аналог (прибл) | Краткие параметры |
|---|---|---|---|---|
| ВА682 | красная полоса | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz |
| ВА683 | красная оранжевая | Pin-Di | BA483 | VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz |
| BAS32 | черн. полоса | Si-Di | 1N4148 | Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns |
| BAV100 | зелен. черн. | Si-Di | BAV18 | S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns |
| BAV101 | зелен. коричн | Si-Di | BAY 19 | S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns |
| BAV102 | зелен. красн. | Si-Di | BAV20 | S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns |
| BAV103 | зелен. оранж. | Si-Di | BAV21 | S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns |
| ВВ215 | белая зелен. | C-Di | BB405B | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF |
| ВВ219 | белая | C-Di | BB909 | Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF |
Полупроводниковые приборы
Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус | Обозначение | Тип | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AA | BCW 60 A | SOT 23 | EF | BCW66F | SOT 23 | L8 | BAR 15-1 | SOT 23 |
AB | BCW 60 B | SOT 23 | EG | BCV 49 | SOT 89 | L9 | BAR 16-1 | SOT 23 |
AB | BCX 51-6 | SOT 89 | EG | BCW 66 G | SOT 23 | R2 | BFR 93 A | SOT 23 |
AC | BCW 60 C | SOT 23 | EH | BCW 66 H | SOT 23 | S1A | SMBT 3904 | SOT 23 |
AC | BCX 51 -10 | SOT 89 | EK | BCX 41 | SOT 23 | S1B | SMBT 2222 | SOT 23 |
AD | BCW 60 D | SOT 23 | FC | BFQ 64 | SOT 89 | S1C | SMBTA 20 | SOT 23 |
AD | BCX 51-16 | SOT 89 | FD | BFQ 17 P | SOT 89 | S1D | SMBTA 42 | SOT 23 |
AF | BCX 52-6 | SOT 89 | FD | BCV 26 | SOT 23 | S1E | SMBTA 43 | SOT 23 |
AF | BCW 60FF | SOT 23 | FE | BCV 46 | SOT 23 | S1G | SMBTA 06 | SOT 23 |
AG | BCX 52-10 | SOT 89 | FE | BFQ 19 P | SOT 89 | S1H | SMBTA 05 | SOT 23 |
AG | BCX 70 G | SOT 23 | FF | BCV 27 | SOT 23 | S1M | SMBIA 13 | SOT 23 |
AH | BCX 70 H | SOT 23 | FG | BCV 47 | SOT 23 | S1N | SMBTA 14 | SOT 23 |
AJ | BCX 53-6 | SOT 89 | FM | BFN 24 | SOT 23 | S1P | SMBT2222A | SOT 23 |
AJ | BCX 70 J | SOT 23 | FJ | BFN 26 | SOT 23 | S2A | SMBT 3906 | SOT 23 |
AK | BCX 53-10 | SOT 89 | FK | BFN 25 | SOT 23 | S2B | SMBT 2907 | SOT 23 |
AK | BCX 70 K | SOT 23 | FL | BFN 27 | SOT 23 | S2D | SMBTA 92 | SOT 23 |
AL | BCX 53-16 | SOT 89 | GA | BAW 78 A | SOT 89 | S2E | SMBTA 93 | SOT 23 |
AM | BCX 52-16 | SOT 89 | GB | BAW 78 B | SOT 89 | S2F | SMBT2907A | SOT 23 |
AM | BSS 64 | SOT 23 | GC | BAW 78 C | SOT 89 | S2G | SMBTA 56 | SOT 23 |
AN | BCW 60 PN | SOT 23 | GD | BAW 78 D | SOT 89 | S2H | SMBTA 55 | SOT 23 |
BA | BCW 61 A | SOT 23 | GE | BAW 79 A | SOT 89 | S2 |
Полупроводниковые приборы в корпусе кт-47 (sot-89)
| Тип прибора | Цветовая маркировка | Структ. п/п | Аналог (прибл) | Краткие параметры |
|---|---|---|---|---|
| BC868 | САС | Si-N | BC368, BD329 | Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2 |
| ВС869 | СЕС | Si-P | BC369, BD330 | Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz |
| BCV61 | D91 | Si-N | Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz | |
| BCV62 | С91 | Si-P | – | Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz |
| ВСХ51 | АА | Si-P | BC636, BD136 | Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz |
| ВСХ52 | АЕ | Si-P | BC638, BD138 | Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz |
| ВСХ53 | АH | Si-P | BC640, BD140 | Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz |
| ВСХ54 | BА | Si-P | BC635, BD135 | Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz |
| ВСХ55 | BE | Si-N | BC637, BD137 | Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz |
| ВСХ56 | ВН | Si-N | BC639, BD139 | Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz |
| ВСХ68 | СА | Si-N | BC368, BD329 | Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz |
| ВСХ69 | СЕ | Si-P | BC369, BD300 | Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz |
| BF620 | ОС | Si-N | BF420, BF471, BF871 | Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz |
| BF621 | DF | Si-P | BF421, BF472, BF872 | Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz |
| BF622 | DA | Si-N | BF422, BF469, BF869 | Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz |
| BF623 | DB | Si-P | BF423, BF470, BF870 | Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz |
| BFQ17 | FA | Si-N | BFW16A | Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz |
| BFQ18A | FF | Si-N | BFQ34, BFQ64 | Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz |
| BFQ19 | FB | Si-N | BFR96, 2SC3268 | Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz |
| BFQ67 | V2 | Si-N | BFQ65 | Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra |
| BSR30 | BR1 | Si-P | 2N4030 | Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40 |
| BSR31 | BR2 | Si-P | 2N4031 | Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100 |
| BSR32 | BR3 | Si-P | 2N4032 | Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40 |
| BSR33 | BR4 | Si-P | 2N4033 | Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100 |
| BSR40 | AR1 | Si-N | BSX46-6 | Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40 |
| BSR41 | AR2 | Si-N | BSX46-16 | Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100 |
| BSR42 | AR3 | Si-N | 2N3020 | Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40 |
| BSR43 | AR4 | Si-N | 2N3019 | Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100 |
| BST15 | BT1 | Si-P | 2N5415 | Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz |
| BST16 | BT2 | Si-P | 2N5416 | Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz |
| BST39 | AT1 | Si-N | – | Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz |
| BST40 | AT2 | Si-N | – | Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz |
| BST50 | AS1 | Si-N-Darl | BSR50, BSS50, BDX42 | Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000 |
| BST51 | AS2 | Si-N-Darl | BSR51, BSS51, BDX43 | Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000 |
| BST52 | AS3 | Si-N-Darl | BSR52, BSS52, BDX44 | Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000 |
| BST60 | BS1 | Si-P-Darl | BSR60, BSS60, BDX45 | Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000 |
| BST61 | BS2 | Si-P-Darl | BSR61, BSS61, BDX46 | Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000 |
| BST62 | BS3 | Si-P-Darl | BSR62, BSS62, BDX47 | Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000 |
| BST80 | KM | MOS-N-FET-e | BST70A | V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns |
| BST84 | KN | MOS-N-FET-e | BST24A | V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns |
| BST86 | KQ | MOS-N-FET-e | BST76A | V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns |
| BST120 | LM | MOS-P-FET-e | BST100 | V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns |
| BST122 | LN | MOS-P-FET-e | BST110, BS250 | V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns |
| BZV49 | см.прим. | Z-Di | BZV85 | Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 – 75V, P= 1W |
ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49… приведена в таблице ниже
| Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| …..C2V4 | Z11 | …..C2V7 | Z12 | …..C3VO | Z13 | …..C3V3 | Z14 |
| …..C3V6 | Z15 | …..C3V9 | Z16 | …..C4V3 | Z17 | …..C4V7 | Z1 |
| …..C5V1 | Z2 | …..C5V6 | Z3 | …..C6V2 | Z4 | …..C6V8 | Z5 |
| …..C7V5 | Z6 | …..C8V2 | Z7 | …..C9V1 | Z8 | …..С10 | Z9 |
| …..С11 | Y1 | …..С12 | Y2 | …..С13 | Y3 | …..С15 | Y4 |
| …..С16 | Y5 | …..С18 | Y6 | …..С20 | Y7 | …..С22 | Y8 |
| …..С24 | Y9 | …..С27 | Y10 | …..С30 | Y11 | …..С33 | Y12 |
| …..С36 | Y13 | …..С39 | Y14 | …..С43 | Y15 | …..С47 | Y16 |
| …..С51 | Y17 | …..С56 | Y18 | …..С62 | Y19 | …..С68 | Y20 |
| …..С75 | Y21 | – | |||||
Принятые сокращения в таблице
C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) – емкостной диод (варикап);MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) – МДП – транзистор с каналом N (P);N-FET- (N-channel field-effect transistors) – полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di- (PIN -diode) – диод;P-FET- (P- channel field-effect transistors) – полевой транзистор с Р-каналом;S- (Sensor devices) – сенсорная схема;Si-Di- (Silicon diode) – кремниевый диод; Si-N- (Silicon NPN transistor)
– кремниевый NPN (обратный) транзистор;Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) – кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-P- (Silicon PNP transistor) – кремниевый PNP (прямой) транзистор;Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)
– кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) – стабилизирующий диод (стабилитрон);Т- (Tuner Diodes) – переключающий диод;Tetrode- (P- N-gate thyristor) – транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf- (Voltage reference diodes) – высокостабильный опорный диод;Vrg- (Voltage requlator diodes) – регулируемый опорный диод;AM- (RF application) – амплитудная модуляция;Band-S- (RF band switching) – ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper- (Chopper) – прерыватель;Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) – сдвоенный транзистор (диод);FED- (Field effect diode) – диод, управляющий напряжением;FM- (RF application) – частотная модуляция;
HF- (RF application [general]) – высокочастотный диапазон;LED- (Light-emitting diode) – светодиод;M- (Mixer stages) – смесительный;Min- (Miniaturized) – миниатюрный;NF- (AF applications) – низкочастотный (звуковой) диапазон;
О- (Oscillator stages) – генераторная схема;ln- (Low noise) – малошумящий;S- (Switching stages) – ключевой;SS- (Fast switching stages) – быстродействующий ключ;sym- (SyMinetrical types) – симметричный;
Tr- (Driver stages) – мощной устройство (мощный управляющий ключ);tuning(RF tuning diode) – переключающий диод для схем переключения диапазона;Tunnel-Di- (Tunnel diode) – тунельный диод;UHF- (RF applications [>250MHz]) – ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni- (General purpose tyres) – универсальный (массового применения);V- (Pre/input stages) – предварительный (для входных цепей);VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) – высокочастотный (УКВ) диапазон;Vid- (Video output stages) – видеочастотный (для цепей видеочастоты);
| Тип прибора | маркировка | структ. код п/п | аналог (прибл.) | Краткие параметры | |
|---|---|---|---|---|---|
Типов. | Рев. | ||||
| ВА316 | А6 | Si-Di | BAW62, 1N4148 | Min, S, 85V, 0.1A, <6ns | |
| BAS17 | А91 | Si-St | ВА314 | Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA | |
| ВА319 | А8 | Si-Di | BAV19 | Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms | |
| BAS20 | А81 | Si-Di | BAV20 | Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms | |
| BAS21 | А82 | Si-Di | BAV21 | Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms | |
| BAS29 | L20 | Si-Di | BAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| BAS31 | L21 | Si-Di | 2XBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| BAS35 | L22 | Si-Di | 2xBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
| ВАТ17 | A3 | Pin-Di | BA480 | VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz | |
| ВАТ18 | А2 | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz | |
| BAV70 | А4 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BAV99 | А7 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BAW56 | А1 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns | |
| BBY31 | 81 | C-Di | BB405, BB609 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 – 2.8pF | |
| BBY40 | S2 | C-Di | BB809 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF | |
| ВС807-16 | 5A | 5AR | Si-P | BC327-16 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
| ВС807-25 | 5В | 5BR | Si-P | BC327-25 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
| ВС807-40 | 5С | 5CR | Si-P | BC327-40 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
| ВС808-16 | 5Е | 5ER | Si-P | BC328-16 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
| ВС808-25 | 5F | 5FR | Si-P | BC328-25 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
| BC808-40 | 5G | 5GR | Si-P | BC328-40 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
| BC817-16 | 6A | 6AR | Si-N | BC337-16 | Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250 |
| BC846B | 1В | 1BR | Si-N | BC546B | Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz |
| BC847A | 1E | 1ER | Si-N | BC547A, BC107A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
| BC847B | 1F | 1FR | Si-N | BC547B, BC107B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC847C | 1G | 1GR | Si-N | BC547C, BC107C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC848A | U | 1JR | Si-N | BC548A, BC108A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
| BC848B | 1K | 1KR | Si-N | BC548B, BC108B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC848C | 1L | 1LR | Si-N | BC548C, BC108C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC849B | 2В | 2BR | Si-N | BC549B, ВС108В | Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC849C | 2С | 2CR | Si-N | BC549C, BC109C | Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC850B | 2F | 2PR | Si-N | BC550B, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
| BC850C | 2G | 2GR | Si-N | BC550C, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
| BC856A | ЗА | 3AR | Si-P | BC556A | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
| BC856B | 3В | 3BR | Si-P | BC556B | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| BC857A | ЗЕ | 3ER | Si-P | BC557A, BC177A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
| BC857B | 3F | 3FR | Si-P | BC557B, BC177B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС857С | 3G | 3GR | Si-P | BC557C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| ВС858А | 3J | 3JR | Si-P | BC558A, BC178A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250 |
| ВС858В | ЗК | 3KR | Si-P | BC558B, BC178B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475 |
| ВС858С | 3L | 3LR | Si-P | BC558C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800 |
| ВС859А | 4А | 4AR | Si-P | BC559A, BC179A, BCY78 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
| ВС859В | 4В | 4BR | Si-P | BC559B, BCY79 | Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС859С | 4С | 4CR | Si-P | BC559C, BCY79 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| ВС860А | 4Е | 4ER | Si-P | BC560A, BCY79 | 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
| ВС860В | 4F | 4FR | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
| ВС860С | 4G | 4GR | Si-P | BC560C, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
| BCF29 | С7 | С77 | Si-P | BC559A, BCY78, BC179 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
| BCF30 | С8 | С9 | Si-P | BC559B, BCY78 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
| BCF32 | 07 | 077 | Si-N | BC549B, BCY58, BC109 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
| BCF33 | D8 | D81 | Si-N | BC549C, BCY58 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
| BCF70 | Н7 | Н71 | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz, |
| BCF81 | К9 | К91 | Si-N | BC550C | Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га |
| BCV71 | К7 | К71 | Si-N | BC546A | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220 |
| BCV72 | К8 | К81 | Si-N | BC546B | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450 |
| BCW29 | С1 | С4 | Si-P | BC178A, BC558A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120 |
| BCW30 | С2 | С5 | Si-P | BC178B, BC558B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215 |
| BCW31 | D1 | D4 | Si-N | ВС108А,ВС548А | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110 |
| BCW32 | 02 | D5 | Si-N | ВС108В, ВС548 | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200 |
| BCW33 | D3 | 06 | Si-N | ВС108С, ВС548С | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420 |
| BCW60A | АА | Si-N | ВС548А | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220 | |
| BCW60B | АВ | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450 | |
| BCW60C | АС | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600 | |
| BCW60D | AD | Si-N | ВС548С | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800 | |
| BCW61A | ВА | Si-P | BC558A | Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220 | |
| BCW61B | ВВ | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
| BCW61C | ВС | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
| BCW61D | BD | Si-P | BC558C | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
| BCW69 | Н1 | Н4 | Si-P | ВС557А | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
| BCW70 | Н2 | Н5 | Si-P | ВС557В | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215 |
| BCW71 | К1 | К4 | Si-N | ВС547А | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110 |
| BCW72 | К2 | К5 | Si-N | ВС 547В | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200 |
| BCW81 | КЗ | К31 | Si-N | ВС547С | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420 |
| BCW89 | НЗ | Н31 | Si-P | ВС556А | Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
| BCX17 | Т1 | Т4 | Si-P | ВС327 | Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz |
| BCX18 | Т2 | Т5 | Si-P | ВС328 | Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz |
| BCX19 | U1 | U4 | Si-N | BC337 | Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz |
| BCX20 | U2 | U5 | Si-N | ВС 33 8 | Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz |
| BCX70G | AG | Si-N | BC107A, BC547A | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220 | |
| BCX70H | AH | Si-N | ВС 107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
| BCX70J | AJ | Si-N | ВС107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
| BCX70K | AK | Si-N | ВС107С, BC547C | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
| BCX71G | BG | Si-P | ВС177А, BC557A | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250 | |
| BCX71H | BH | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475 | |
| BCX71J | BJ | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650 | |
| BCX71K | BK | Si-P | ВС557С | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800 | |
| BF510 | S6 | N-FET | BF410A | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V | |
| BF511 | S7 | N-FET | BF410B | Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V | |
| BF512 | S8 | N-FET | BF410C | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V | |
| BF513 | S9 | N-FET | BF410D | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V | |
| BF536 | G3 | SI-P | BF936 | Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz | |
| BF550 | G2 | G5 | Si-P | BF450 | Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz |
| BF569 | G6 | Si-P | BF970 | Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz | |
| BF579 | G7 | Si-P | BF979 | Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ | |
| BF660 | G8 | G81 | Si-P | BF606A | Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz |
| BF767 | G9 | Si-P | BF967 | Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz | |
| BF820 | S-N | BF420 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | ||
| BF821 | 1W | Si-P | BF421 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF822 | 1Х | Si-N | BF422 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF823 | 1Y | Si-P | BF423 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
| BF824 | F8 | Si-P | BF324 | Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz | |
| BF840 | F3 | Si-N | BF240 | Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz | |
| BF841 | F31 | SI-N | BF241 | Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz | |
| BFR30 | М1 | N-FET | BFW-11, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V | |
| BFR31 | М2 | N-FET | BFW12, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V | |
| BFR53 | N1 | N4 | Si-N | BFW30, BFW93 | Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz |
| BFR92 | Р1 | Р4 | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFR92A | Р2 | РЬ | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFR93 | R1 | R4 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
| BFR93A | R2 | R5 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
| BFS17, (BFS17A) | Е1 (Е2) | Е4 (F5) | Si-N | BFY90, BFW92(A) | Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz |
| BFS18 | F1 | F4 | Si-N | BF185, BF495 | Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz |
| BFS19 | F2 | F5 | Si-N | BF184, BF494 | Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz |
| BFS20 | G1 | G4 | Si-N | BF199 | Min, HF, 30V, 30mA,450MHz |
| BFT25 | V1 | V4 | Si-N | BFT24 | Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ |
| BFT46 | МЗ | NFT | BFW13, BF245 | Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V | |
| BFT92 | W1 | W4 | Si-P “ | BFQ51, BFQ52 | Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
| BFT93 | Х1 | Х4 | Si-P | BFQ23, BFQ24 | Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz |
| BRY61 | А5 | BYT | BRY56 | 70V | |
| BRY62 | А51 | Tetrode | BRY56, BRY39 | Tetrode, Min, 70V, 0.175A | |
| BSR12 | B5 | В8 | Si-P | 2N2894A | Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns |
| BSR13 | U7 | U71 | Si-N | 2N2222, PH2222 | Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns |
| BSR14 | U8 | U81 | Si-N | 2N2222A, PH2222A | Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns |
| BSR15 | T7 | T71 | Si-P | 2N2907, PH2907 | Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns |
| BSR16 | T8 | T81 | Si-P | 2N2907A, PH2907A | Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns |
| BSR17 | U9 | U91 | Si-N | 2N3903 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150 |
| BSR17A | U92 | U93 | Si-N | 2N3904 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300 |
| BSR18 | T9 | T91 | Si-P | 2N3905 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz |
| BSR18A | T92 | T93 | Si-P | 2N3906 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz |
| BSR19 | U35 | Si-N | 2N5550 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR19A | U36 | Si-N | 2N5551 | Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR20 | T35 | Si-P | 2N5400 | Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR20A | T36 | Si-P | 2N5401 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
| BSR56 | M4 | N-FET | 2N4856 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V | |
| BSR57 | M5 | N-FET | 2N4857 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V | |
| BSR58 | M6 | N-FET | 2N4858 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V | |
| BSS63 | T3 | T6 | Si-P | BSS68 | Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz |
| BSS64 | U3 | U6 | Si-N | BSS38 | Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz |
| BSV52 | B2 | B3 | Si-N | PH2369, BSX20 | Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns |
| BZX84-… | см.пр им. | Si-St | BZX79 | Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W | |
| PBMF4391 | M62 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V | |
| PBMF4392 | M63 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V | |
| PBMF4393 | M64 | N-FET | – | Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V | |
ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84… приведена в таблице ниже
| Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. | Тип | марк. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| …..C2V4 | Z11 | …..C2V7 | Z12 | …..C3VO | Z13 | …..C3V3 | Z14 |
| …..C3V6 | Z15 | …..C3V9 | Z16 | …..C4V3 | Z17 | …..C4V7 | Z1 |
| …..C5V1 | Z2 | …..C5V6 | Z3 | …..C6V2 | Z4 | …..C6V8 | Z5 |
| …..C7V5 | Z6 | …..C8V2 | Z7 | …..C9V1 | Z8 | …..С10 | Z9 |
| …..С11 | Y1 | …..С12 | Y2 | …..С13 | Y3 | …..С15 | Y4 |
| …..С16 | Y5 | …..С18 | Y6 | …..С20 | Y7 | …..С22 | Y8 |
| …..С24 | Y9 | …..С27 | Y10 | …..С30 | Y11 | …..С33 | Y12 |
| …..С36 | Y13 | …..С39 | Y14 | …..С43 | Y15 | …..С47 | Y16 |
| …..С51 | Y17 | …..С56 | Y18 | …..С62 | Y19 | …..С68 | Y20 |
| …..С75 | Y21 | – | |||||
Стабилитроны в sod323, серия bzt52
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Упаковка:
В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 5000 стабилитронов BZT52.
Стабилитроны в sot23, серия bzx84
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Упаковка:
В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 стабилитронов BZX84.
Маркировка выводных диодов:
Наиболее распространены следующие системы кодирования:
- JEDEC (США) — Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.
Вид кода: <цифра><буква><серийный номер>[суффикс].
Первая цифра — цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).
Буква — всегда буква “N”.
Серийный номер — двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.
Суффикс — отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.
Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001—1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).
Обозначение состоит из четырех элементов.
Первый элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:
- A — германий;
- B — кремний;
- C — арсенид галлия;
- R — другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- A — маломощные импульсные и универсальные диоды;
- B — варикапы;
- E — туннельные диоды;
- G — приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
- H — магниточувствительные диоды;
- P — светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
- Q — светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
- X — умножительные диоды;
- Y — выпрямительные диоды, бустеры;
- Z — стабилитроны, ограничители.
Третий элемент — буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.
Четвертый элемент — двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.
В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%).
Например, BZY88C4V7 — это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.

Обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент — цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).
Второй элемент — буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).
Третий элемент — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- E — диоды;
- G — диоды Ганна;
- Q — светоизлучающие диоды;
- R — выпрямительные диоды;
- S — слаботочные диоды;
- T — лавинные диоды;
- V — варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z — стабилитроны, ограничители.
Четвертый элемент — это серийный (регистрационный) номер прибора.
Пятый элемент — модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).
После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.




